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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61LPS51236A-250B3I | - | ![]() | 1076 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 165-TBGA | IS61LPS51236 | SRAM - Sincrona, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volátil | 18Mbps | 2,6ns | SRAM | 512 mil x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | MT53E1G16D1Z42NWC1 | 18.5900 | ![]() | 4472 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Caixa | Ativo | - | 557-MT53E1G16D1Z42NWC1 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | S71VS128RC0AHK4L0 | - | ![]() | 5624 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | VS-R | Volume | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 56-VFBGA | S71VS128 | FLASH, PSRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 56-VFRBGA (7,7x6,2) | download | 1 | 108 MHz | Não Volátil, Volátil | 128 Mbit (FLASH), 64 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | - | Paralelo | - | Não selecionado | ||||||||
![]() | W631GG8MB09J | - | ![]() | 8132 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-VFBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W631GG8MB09J | OBSOLETO | 242 | 1.066 GHz | Volátil | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | SSTL_15 | 15s | |||
![]() | W25Q32JWSNIQ | - | ![]() | 5989 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | W25Q32 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W25Q32JWSNIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Não volátil | 32Mbps | 6 ns | CLARÃO | 4M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 5ms | ||
![]() | IS43TR81280C-125JBLI | 3.7208 | ![]() | 1086 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 706-IS43TR81280C-125JBLI | 242 | 800 MHz | Volátil | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | Paralelo | 15s | ||||||
![]() | MT46V128M4TG-6T:FTR | - | ![]() | 3259 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | MT46V128M4 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP | download | RoHS não compatível | 4 (72 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 167 MHz | Volátil | 512Mbps | 700 CV | DRAM | 128M x 4 | Paralelo | 15s | |||
![]() | CY7C1021CV33-12VC | 1.8100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1021 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-SOJ | download | RoHS não compatível | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 166 | Volátil | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 12s | Não selecionado | |||||
![]() | CY7C1444AV33-167AXCT | - | ![]() | 6957 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | CY7C1444 | SRAM - Sincrona, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 167 MHz | Volátil | 36Mbps | 3,4ns | SRAM | 1M x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | 70V26S15JI | - | ![]() | 9659 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Tubo | Última compra | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 84-LCC (condutor J) | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 3V~3,6V | 84-CLP (29,31x29,31) | - | 800-70V26S15JI | 1 | Volátil | 256 Kbits | 15 ns | SRAM | 16K x 16 | Paralelo | 15s | |||||||||
![]() | FM24W256-G | 6.4400 | ![]() | 9231 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FRAM® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | FM24W256 | FRAM (RAM ferroelétrica) | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 97 | 1MHz | Não volátil | 256 Kbits | 550 ns | QUADRO | 32K x 8 | I²C | - | |||
![]() | CY7C1041GE30-10BVXI | - | ![]() | 3472 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 48-VFBGA | CY7C1041 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 48-VFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 50 | Volátil | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 10s | Não selecionado | |||||||
![]() | IDT71T75702S75PFI8 | - | ![]() | 2529 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 100-LQFP | IDT71T75 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71T75702S75PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 18Mbps | 7,5ns | SRAM | 512 mil x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | S27KL0643GABHV023 | 4.4100 | ![]() | 6320 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HyperRAM™ KL | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3A991B2 | 8542.32.0041 | 2.500 | 200 MHz | Volátil | 64Mbps | 35 ns | PSRAM | 8M x 8 | SPI - E/S octal | 35ns | ||||||
![]() | AT34C02Y1-10YI-2.7 | - | ![]() | 3427 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | AT34C02 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-MAPA (3x4,9) | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | AT34C02Y1-10YI2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | 400 kHz | Não volátil | 2Kbit | 900 ns | EEPROM | 256x8 | I²C | 5ms | ||
![]() | AT25XE161D-SSHN-B | 0,4795 | ![]() | 2123 | 0,00000000 | Serviços de operações da Renesas Electronics Limited | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | FLASH-NEM (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1695-AT25XE161D-SSHN-B | 98 | 133 MHz | Não volátil | 16Mbps | 8 ns | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 32µs, 6,5ms | |||||||
![]() | MT29F4G08ABEAAH4-ITS:E TR | 4.5900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 63-VFBGA | MT29F4G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 4 Gbits | CLARÃO | 512M x 8 | Paralelo | - | |||||
![]() | MT48LC64M4A2P-6A:G | - | ![]() | 4177 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | MT48LC64M4A2 | SDRAM | 3V~3,6V | 54-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.080 | 167 MHz | Volátil | 256Mbps | 5,4ns | DRAM | 64M x 4 | Paralelo | 12s | |||
![]() | CAT93C66SE-26650 | 0,1200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Catalisador Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | CAT93C66 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2 MHz | Não volátil | 4Kbit | EEPROM | 512x8, 256x16 | Microfio | - | ||||
| N25Q064A13EV140 | - | ![]() | 5342 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 24-TBGA | N25Q064A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | Não volátil | 64Mbps | CLARÃO | 16M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | |||||
| 70T631S10BCI8 | 268.9869 | ![]() | 7262 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 256-LBGA | 70T631 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 2,4 V ~ 2,6 V | 256-CABGA (17x17) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4,5 Mbits | 10 ns | SRAM | 256K x 18 | Paralelo | 10s | |||||
![]() | IS62WV1288BLL-55HI | - | ![]() | 2033 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 32-TFSOP (0,465", 11,80 mm de largura) | IS62WV1288 | SRAM - Assíncrona | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-sTSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Volátil | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
| MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR | 14.8400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 60-VFBGA | MT46H128M16 | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-VFBGA (8x9) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 208 MHz | Volátil | 2 Gbits | 5 ns | DRAM | 128M x 16 | Paralelo | 14,4s | ||||
![]() | W66BL6NBUAFJ TR | 5.6550 | ![]() | 8840 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Fita e Carretel (TR) | Não para novos designs | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | W66BL6 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-WFBGA (10x14,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W66BL6NBUAFJTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 1,6 GHz | Volátil | 2 Gbits | 3,5ns | DRAM | 128M x 16 | LVSTL_11 | 18 anos | ||
![]() | N01L83W2AN25IT | - | ![]() | 3567 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 32-LFSOP (0,465", 11,80 mm de largura) | N01L83 | SRAM - Assíncrona | 2,3 V ~ 3,6 V | 32-sTSOP I | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Volátil | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | Paralelo | 55ns | |||||
![]() | S26KS512SDGBHV030 | 12.5200 | ![]() | 340 | 0,00000000 | Expansão | HyperFlash™KS | Volume | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S26KS512 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-FBGA (6x8) | download | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 24 | 133 MHz | Não volátil | 512Mbps | 96 ns | CLARÃO | 64M x 8 | Paralelo | - | Não selecionado | |||||
![]() | MT57W512H36JF-5 | 28.0100 | ![]() | 262 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | MT57W512H | SRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volátil | 18Mbps | 5 ns | SRAM | 512 mil x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | MX30LF2G18AC-XKJ | 3.8060 | ![]() | 1790 | 0,00000000 | Macronix | MX30LF | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 63-VFBGA | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | 3 (168 horas) | 1092-MX30LF2G18AC-XKJ | 220 | Não volátil | 2 Gbits | 16 ns | CLARÃO | 256M x 8 | ONFI | 20ns, 600µs | ||||||||
![]() | MT44K32M18RB-093E TI:A | - | ![]() | 4743 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 168-TBGA | MT44K32M18 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 1.066 GHz | Volátil | 576Mbps | 8 ns | DRAM | 32M x 18 | Paralelo | - | |||
![]() | S29PL064J60BFW123 | - | ![]() | 8908 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | PL-J | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-VFBGA | S29PL064 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8,15x6,15) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | Não volátil | 64Mbps | 60 ns | CLARÃO | 4M x 16 | Paralelo | 60ns |

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