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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY15B064Q-SXE | - |  | 6734 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automotivo, AEC-Q100, F-RAM ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CY15B064 | Fram (Ram Ferroelética) | 3V ~ 3,6V | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2832-CY15B064Q-SXE | 1 | 16 MHz | Não Volátil | 64kbit | Fram | 8k x 8 | Spi | - | Não Verificado | |||||
 | SM662GEB MELHOR | 17.8500 | | 5 | 0,00000000 | Silicon Motion, Inc. | FERRI-EMMC® | Bandeja | Ativo | - | Montagem na Superfície | 100 lbga | Flash - NAND (TLC) | - | 100-BGA (14x18) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1984-SM662GEBBBEST | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 980 | Não Volátil | - | Clarão | Emmc | - | ||||||
 | MX25L2006EZUI-12G | 0,5500 | | 10 | 0,00000000 | Macronix | MX25XXX05/06/08 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | MX25L2006 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (2x3) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0071 | 12.000 | 86 MHz | Não Volátil | 2MBIT | Clarão | 256k x 8 | Spi | 50µs, 3ms | ||||
 | W9751G8NB-25 | 2.8500 | | 7720 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 60-VFBGA | W9751G8 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-VFBGA (8x9.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W9751G8NB-25 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Volátil | 512MBIT | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | STK14CA8-RF45TR | - | | 2434 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-BSSOP (0,295 ", Largura de 7,50 mm) | STK14CA8 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 2.7V ~ 3,6V | 48-SSOP | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Não Volátil | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | | 315 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 24FC04HT-I/MS | 0,3450 | | 2119 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | 24FC04 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8 msop | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Não Volátil | 4kbit | 450 ns | EEPROM | 256 x 8 x 2 | I²C | 5ms | |||
 | 70V9169L6PF8 | - | | 6799 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 70V9169 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 3V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 144kbit | 6,5 ns | Sram | 16k x 9 | Paralelo | - | ||||
 | 7106548-C | 111.2500 | | 5408 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-7106548-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| AS6C8016B-55ZIN | 7.3900 | | 132 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | SRAM - Assíncrono | 2.7V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS6C8016B-55ZIN | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volátil | 8MBIT | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | W25Q80EWZPAG | - | | 6798 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25Q80 | Flash - NEM | 1,65V ~ 1,95V | 8-WSON (6x5) | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25Q80EWZPAG | Obsoleto | 1 | 104 MHz | Não Volátil | 8MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 8 | Spi - quad e/s | 30µs, 800µs | ||||
 | CY7C245-35LMB | 22.3000 | | 50 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | CY7C245 | EPROM - UV | 4.5V ~ 5,5V | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 16kbit | 35 ns | Eprom | 2k x 8 | Paralelo | - | |||||||
 | CY62138FV30LL-45ZSXIT | - | | 5119 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY62138 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 2MBIT | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | CY7C1021L-15ZC | 3.6400 | | 612 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY7C1021 | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 44-TSOP II | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
 | MT55L512L18FF-11 | 8.9300 | | 1825 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | MT55L512L | SRAM - Síncrono, ZBT | 3.135V ~ 3.465V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 90 MHz | Volátil | 8MBIT | 8,5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | Em004lxqbdh13cs1t | 15.2500 | | 1233 | 0,00000000 | Everspin Technologies Inc. | Emxxlx | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | MRAM (Ram Magnetoresistiva) | 1.65V ~ 2V | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 819-EM004LXQBDH13CS1T | 570 | 200 MHz | Não Volátil | 4MBIT | 7 ns | Bater | 512k x 8 | Spi - quad e/s | - | ||||||
 | 7130SA100PF | - | | 3029 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64-LQFP | 7130SA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 64-TQFP (14x14) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 45 | Volátil | 8kbit | 100 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 100ns | ||||
 | MT29F128G08CECABH1-12: a | - | | 1844 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-VBGA | MT29F128G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 83 MHz | Não Volátil | 128 gbit | Clarão | 16g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | 4x70p26062-c | 93.7500 | | 3578 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-4X70P26062-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W25Q512JVEIQ | 6.5900 | | 13 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | W25Q512 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-WSON (8x6) | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/s | - | |||||
 | MT47H128M8CF-25E IT: H TR | - | | 1126 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 60-TFBGA | MT47H128M8 | Sdram - ddr2 | 1.7V ~ 1,9V | 60-FBGA (8x10) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 400 MHz | Volátil | 1Gbit | 400 ps | Dram | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| MP2666RC/32G-C | 130.0000 | | 2763 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-MP2666RC/32G-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1513JV18-300BZXC | - | | 6003 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1513 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| K6X4008C1F-MF55T00 | 4.8000 | | 52 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 32-TSOP Reverso | - | 3277-K6X4008C1F-MF55T00TR | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4MBIT | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 55ns | Não Verificado | ||||||||
 | S29PL127J70TFI080 | 12.0300 | | 182 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | PL-J | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | S29pl127 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 182 | Não Volátil | 128Mbit | 70 ns | Clarão | 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT29F8G08ABAWP-AITX: B TR | - | | 7074 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | MT29F8G08 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP i | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.000 | Não Volátil | 8gbit | Clarão | 1g x 8 | Paralelo | - | |||||
| IS25LX512M-LHLE | 9.3700 | | 1158 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Clarão | 2.7V ~ 3,6V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS25LX512M-LHLE | 480 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | 6 ns | Clarão | 64m x 8 | Spi - e/s octal | 1,8ms | ||||||
 | CY62126DV30LL-55ZXIT | 1.8000 | | 9 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY62126 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 1Mbit | 55 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
 | 7130SA55C | 83.1160 | | 6643 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7130SA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48 Lados Bronzeados | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 8 | Volátil | 8kbit | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | IS29GL256-70SLEB | 7.9800 | | 751 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | IS29GL256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 56-TSOP i | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS29GL256-70SLEB | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 96 | Não Volátil | 256Mbit | 70 ns | Clarão | 32m x 8 | Paralelo | 200µs |
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