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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 28443776C | - | ![]() | 4961 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Última compra | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | CG7815AAT | - | ![]() | 6101 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | ||||||||||||||||||
![]() | P770011C-F9C975 | - | ![]() | 5940 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado na SIC | - | REACH não afetado | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MT29F1T08CUCBH8-6ITR:B | - | ![]() | 8973 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 152-LBGA | MT29F1T08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 152-LBGA (14x18) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 167 MHz | Não volátil | 1Tbit | CLARÃO | 128G x 8 | Paralelo | - | |||||
![]() | AT93C86A-10SU-1.8-T | 0,4100 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | AT93C86A | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 2 MHz | Não volátil | 16 Kbits | EEPROM | 2K x 8, 1K x 16 | Serial de 3 fios | 10ms | ||||
![]() | S25FL512SAGBHB213 | 10.5875 | ![]() | 2426 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FL-S | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | FLASH-NEM (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-BGA (8x6) | download | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Não volátil | 512Mbps | 6,5ns | CLARÃO | 64M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 750µs | |||||||
![]() | W63AH6NBVACI | 4.9953 | ![]() | 6374 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 178-VFBGA | W63AH6 | SDRAM - LPDDR3 móvel | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 178-VFBGA (11x11,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W63AH6NBVACI | EAR99 | 8542.32.0032 | 189 | 933 MHz | Volátil | 1 Gbit | 5,5ns | DRAM | 64M x 16 | HSUL_12 | 15s | ||
![]() | A0643480-C | 17.5000 | ![]() | 8322 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-A0643480-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| CAT25160VE-GC | - | ![]() | 9208 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | CAT25160 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | - | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 100 | 10 MHz | Não volátil | 16 Kbits | EEPROM | 2K x 8 | IPS | 5ms | |||||||
![]() | CY7C1046BV33-12VC | 7.0000 | ![]() | 63 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1046 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 32-SOJ | download | RoHS não compatível | 2 (1 ano) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 1m x 4 | Paralelo | 12s | ||||
![]() | MPC2605ZP83 | 46.6900 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Motorola | - | Volume | Ativo | 20°C ~ 110°C (TJ) | Montagem em superfície | 241-BGA | MPC2605 | BATER | 3.135 V ~ 3.465 V | 241-PBGA (25x25) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | 83 MHz | Volátil | 256 Kbits | BATER | - | Paralelo | - | |||||
![]() | S25FS128SAGBHV200 | 2.8200 | ![]() | 185 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FS128SAGBHV200 | 107 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1168KV18-400BZC | 33.7600 | ![]() | 887 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1168 | SRAM - Sincrona, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 9 | 400 MHz | Volátil | 18Mbps | SRAM | 1M x 18 | Paralelo | - | Não selecionado | |||||
![]() | S29CD032J0PFAM010 | - | ![]() | 8959 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | OBSOLETO | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1412AV18-250BZC | 47.0800 | ![]() | 129 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1412 | SRAM - Sincrona, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | download | RoHS não compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volátil | 36Mbps | SRAM | 2M x 18 | Paralelo | - | Não selecionado | |||||
![]() | CY7C0851AV-167AXC | - | ![]() | 6452 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 176-LQFP | CY7C0851 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 3.135 V ~ 3.465 V | 176-TQFP (24x24) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 167 MHz | Volátil | 2Mbit | SRAM | 64K x 36 | Paralelo | - | ||||
![]() | CY62127DV30LL-70ZI | 1.3400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | MoBL® | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | CY62127 | SRAM - Assíncrona | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 1Mbit | 70 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
![]() | STK14C88-5L35M | - | ![]() | 7215 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | * | Volume | Ativo | download | Fornecedor indefinido | REACH não afetado | 2156-STK14C88-5L35M-428 | 3A001A2C | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MX25L25745GMI-08G | 2.7680 | ![]() | 1546 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | FLASH-NEM (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-POP | - | 3 (168 horas) | 1092-MX25L25745GMI-08G | 44 | 120 MHz | Não volátil | 256Mbps | 6 ns | CLARÃO | 64M x 4, 128M x 2, 256M x 1 | Finanças | 30µs, 750µs | ||||||||
![]() | MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR | 32.5650 | ![]() | 3030 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 557-MT62F1G32D4DS-031AAT:BTR | 2.000 | 3,2 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 1G x 32 | Paralelo | - | |||||||||
![]() | MT57W1MH18BF-7.5 | 23.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | SRAM - Sincrona, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 18Mbps | 500 CV | SRAM | 1M x 18 | HSTL | - | ||||
| S80KS2562GABHB020 | 15.4500 | ![]() | 676 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S80KS2562 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 1,7 V ~ 2 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0024 | 338 | 200 MHz | Volátil | 256Mbps | 35 ns | PSRAM | 32M x 8 | Hiperônibus | 35 anos | ||||
![]() | M3004316045NX0PTAR | 10.5203 | ![]() | 2614 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | MRAM (RAM magnetoresistiva) | 2,7 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | Compatível com ROHS3 | 800-M3004316045NX0PTARTR | 1 | Não volátil | 4Mbit | 45 ns | BATER | 256K x 16 | Paralelo | 45ns | ||||||||
![]() | MB85RS64TPNF-G-JNE2 | 1.6913 | ![]() | 8392 | 0,00000000 | Kaga FEI América, Inc. | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | FRAM (RAM ferroelétrica) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-POP | - | 865-MB85RS64TPNF-G-JNE2 | 95 | 10 MHz | Não volátil | 64 Kbits | 18 ns | QUADRO | 8K x 8 | IPS | - | ||||||||
![]() | MT62F1G64D8EK-031 AUT:B | 71.3850 | ![]() | 9767 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Caixa | Ativo | -40°C ~ 125°C | Montagem em superfície | 441-TFBGA | SDRAM-LPDDR5 móvel | 1,05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AUT:B | 1 | 3,2 GHz | Volátil | 64 Gbits | DRAM | 1G x 64 | Paralelo | - | |||||||||
![]() | FM24C256FLEM8 | 0,8800 | ![]() | 431 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | FM24C256 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Não volátil | 256 Kbits | 900 ns | EEPROM | 32K x 8 | I²C | 6ms | |||
![]() | IS43LR32320C-5BLI-TR | 8.3524 | ![]() | 2827 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 90-TFBGA | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 706-IS43LR32320C-5BLI-TR | 2.500 | 208 MHz | Volátil | 1 Gbit | 5 ns | DRAM | 32M x 32 | Paralelo | 14,4s | ||||||
| MX25U12832FM2I02 | 2.4800 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | MX25U12832 | FLASH - NEM | 1,65 V ~ 2 V | 8-POP | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 1092-MX25U12832FM2I02 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 133 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | SPI - E/S quádrupla, QPI | 40µs, 3ms | ||||
![]() | 28C64A-35B/XA | 16.0000 | ![]() | 7144 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Volume | Ativo | - | - | - | 28C64A | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | - | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Não volátil | 64 Kbits | EEPROM | 8K x 8 | Paralelo | 1ms | |||||
![]() | CAT24C04WI-GT3 | 0,1300 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Catalisador Semiconductor Inc. | * | Volume | Ativo | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 2156-CAT24C04WI-GT3-736 | 2.340 |

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