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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DS1350WP-100IND+ | 87.0300 | ![]() | 55 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrada | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Módulo 34-PowerCap™ | DS1350W | NVSRAM (SRAM não volátil) | 3V~3,6V | Módulo 34-PowerCap | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 175-DS1350WP-100IND+ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | Não volátil | 4Mbit | 100 ns | NVSRAM | 512K x 8 | Paralelo | 100ns | ||
![]() | S99GL032N0070 | - | ![]() | 8126 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 71V547XS100PF | 1.6600 | ![]() | 598 | 0,00000000 | IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 71V547 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 4,5 Mbits | 10 ns | SRAM | 128K x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | SST39VF1601C-70-4I-B3KE-MCF-T | - | ![]() | 4018 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | SST39 MPF® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFBGA | SST39VF1601 | CLARÃO | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Não volátil | 16Mbps | 70 ns | CLARÃO | 1m x 16 | Paralelo | 10µs | |||
![]() | CY7C1318BV18-167BZC | - | ![]() | 7205 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1318 | SRAM - Sincrona, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 167 MHz | Volátil | 18Mbps | SRAM | 1M x 18 | Paralelo | - | |||
![]() | AT27C4096-90JC | - | ![]() | 7575 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montagem em superfície | 44-LCC (cabo J) | AT27C4096 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-CLP (16,6x16,6) | download | RoHS não compatível | 2 (1 ano) | REACH não afetado | AT27C409690JC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 27 | Não volátil | 4Mbit | 90 ns | EPROM | 256K x 16 | Paralelo | - | ||
![]() | IS42S32200L-7B | - | ![]() | 7440 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V~3,6V | 90-TFBGA (8x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Volátil | 64Mbps | 5,4ns | DRAM | 2M x 32 | Paralelo | - | ||
![]() | 24LC01BT-E/SN16KVAO | - | ![]() | 2317 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 24LC01B | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 kHz | Não volátil | 1Kbit | 900 ns | EEPROM | 128x8 | I²C | 5ms | |||
![]() | MT53B512M64D4NW-062 WT:C TR | - | ![]() | 5975 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1,6 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||
![]() | AT25FF161A-SHN-B | 0,4764 | ![]() | 6663 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | AT25FF161 | FLASH - NEM | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | 1265-AT25FF161A-SHN-B | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Não volátil | 16Mbps | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 12µs, 8ms | |||
| MT53E1G32D2FW-046 WT:B TR | 17.9550 | ![]() | 6735 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 200-TFBGA | MT53E1G32 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 557-MT53E1G32D2FW-046WT:BTR | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 32 Gbits | 3,5ns | DRAM | 1G x 32 | Paralelo | 18 anos | ||||
![]() | IS46TR16640BL-125JBLA1 | - | ![]() | 1957 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM-DDR3 | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Volátil | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Paralelo | - | ||
![]() | IS29GL128-70FLEB | 7.2900 | ![]() | 288 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | IS29GL128 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LFBGA (11x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 706-IS29GL128-70FLEB | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | Não volátil | 128Mbps | 70 ns | CLARÃO | 16M x 8 | Paralelo | 200µs | ||
![]() | MT29PZZZ4D4BKESK-18 W.94H TR | - | ![]() | 7364 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | 168-VFBGA | 168-VFBGA (12x12) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | ||||||||||||||
![]() | 93LC86-I/SN | 1.2000 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 93LC86 | EEPROM | 2,5 V ~ 6,0 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3MHz | Não volátil | 16 Kbits | EEPROM | 2K x 8, 1K x 16 | Microfio | 5ms | |||
![]() | S29GL256S10DHA023 | - | ![]() | 6466 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-S | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | S29GL256 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (9x9) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.200 | Não volátil | 256Mbps | 100 ns | CLARÃO | 16M x 16 | Paralelo | 60ns | |||
![]() | W25Q64JVZESQ | - | ![]() | 3361 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | W25Q64 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W25Q64JVZESQ | 1 | 133 MHz | Não volátil | 64Mbps | 6 ns | CLARÃO | 8M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 3ms | ||||
![]() | MT28F400B5WP-8 BTR | - | ![]() | 1798 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT28F400B5 | FLASH - NEM | 4,5 V ~ 5,5 V | 48-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.000 | Não volátil | 4Mbit | 80 ns | CLARÃO | 512K x 8, 256K x 16 | Paralelo | 80ns | |||
![]() | 25AA512-I/SN | 2.6100 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 25AA512 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 25AA512ISN | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Não volátil | 512 Kbits | EEPROM | 64K x 8 | IPS | 5ms | ||
| S26KL128SDABHA030 | 6.4750 | ![]() | 8453 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, HyperFlash™ KL | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S26KL128 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 338 | 100 MHz | Não volátil | 128Mbps | 96 ns | CLARÃO | 16M x 8 | Paralelo | - | |||
| 24LC014H-E/ST | 0,5100 | ![]() | 2513 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | 24LC014H | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1MHz | Não volátil | 1Kbit | 400 ns | EEPROM | 128x8 | I²C | 5ms | |||
![]() | AT45DB321D-MWU | - | ![]() | 6775 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-VDFN | AT45DB321 | CLARÃO | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFN (8x6) | download | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 66 MHz | Não volátil | 32Mbps | CLARÃO | 528 bytes x 8.192 páginas | IPS | 6ms | |||||
![]() | IDT71V65602S100PFG | - | ![]() | 8183 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | IDT71V65602 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71V65602S100PFG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | Volátil | 9Mbit | 5 ns | SRAM | 256 mil x 36 | Paralelo | - | ||
![]() | MT53D768M32D2DS-046 WT ES:A TR | - | ![]() | 7790 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | MT53D768 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | OBSOLETO | 2.000 | 2.133 GHz | Volátil | 24GB | DRAM | 768M x 32 | - | - | ||||||||||
![]() | CY7C1415SV18-250BZC | - | ![]() | 1233 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1415 | SRAM - Sincrona, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | - | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volátil | 36Mbps | SRAM | 1M x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | S25FL129P0XBHI303 | - | ![]() | 1175 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FL-P | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | S25FL129 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-BGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 104 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 5µs, 3ms | |||
![]() | IDT71V3559SA75BQGI | - | ![]() | 5654 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | IDT71V3559 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71V3559SA75BQGI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | Volátil | 4,5 Mbits | 7,5ns | SRAM | 256K x 18 | Paralelo | - | |||
![]() | EDFB164A1PB-JD-FD | - | ![]() | 6746 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TA) | - | - | EDFB164 | SDRAM - LPDDR3 móvel | 1,14 V ~ 1,95 V | - | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.190 | 933 MHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 512M x 64 | Paralelo | - | |||||
![]() | AT27C010L-45PC | - | ![]() | 1337 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Através do furo | 32 DIP (0,600", 15,24mm) | AT27C010 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PDIP | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | AT27C010L45PC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 12 | Não volátil | 1Mbit | 45 ns | EPROM | 128K x 8 | Paralelo | - | ||
| S26KL256SDABHV020 | 12.0000 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HyperFlash™ KL | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S26KL256 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.690 | 100 MHz | Não volátil | 256Mbps | 96 ns | CLARÃO | 32M x 8 | Paralelo | - |

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