SIC
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Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Temperatura operacional Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Poder - Máx Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Configuraça TIPO DE FET Ganho Escorra para um tensão de origem (VDSS) Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C Tensão de conduça (max rds on, min rds on) Rds em (max) @ id, vgs VGS (th) (max) @ id Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS VGs (Máximoo) CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Recurso FET DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) Tensão - Colapso do Emissor de Colecionador (Max) Corrente - Coletor (IC) (Max) Corrente - Corte de Colecionador (Max) Tipo de transistor Vce saturação (max) @ ib, ic Ganho ATUAL DE CC (HFE) (min) @ IC, VCE Frequencia - Transmissão Figura de Ruído (dB typ @ f)
FCPF9N60NT onsemi Fcpf9n60nt 2.7000
RFQ
ECAD 812 0,00000000 Onsemi Supermos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FCPF9N60 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 9a (TC) 10V 385mohm @ 4.5a, 10V 4V A 250µA 29 NC @ 10 V ± 30V 1240 pf @ 100 V - 29.8W (TC)
FCPF13N60NT onsemi FCPF13N60NT 3.6800
RFQ
ECAD 999 0,00000000 Onsemi Supermos ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 FCPF13 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-220F-3 download ROHS3 Compatível Não Aplicável Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 600 v 13a (TC) 10V 258mohm @ 6.5a, 10V 4V A 250µA 39,5 nc @ 10 V ± 30V 1765 pf @ 100 V - 33.8W (TC)
FDB029N06 onsemi FDB029N06 7.2400
RFQ
ECAD 800 0,00000000 Onsemi PowerTrench® Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab FDB029 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) D²PAK (TO-263) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 800 N-canal 60 v 120A (TC) 10V 3.1mohm @ 75a, 10V 4.5V a 250µA 151 nc @ 10 V ± 20V 9815 pf @ 25 V - 231W (TC)
FDMC15N06 onsemi FDMC15N06 0,7788
RFQ
ECAD 6654 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-POWERWDFN FDMC15 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-mlp (3,3x3.3) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 N-canal 55 v 2.4a (ta), 15a (tc) 10V 900MOHM @ 15A, 10V 4V A 250µA 11,5 nc @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 2.3W (TA), 35W (TC)
DMG1013T-7 Diodes Incorporated DMG1013T-7 0,3000
RFQ
ECAD 140 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-523 DMG1013 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 460mA (TA) 1.8V, 4.5V 700MOHM @ 350MA, 4,5V 1V a 250µA 0,622 NC a 4,5 V ± 6V 59,76 pf @ 16 V - 270mW (TA)
CSD75204W15 Texas Instruments CSD75204W15 -
RFQ
ECAD 1422 0,00000000 Texas Instruments NexFET ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 9-UFBGA, DSBGA CSD75204 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 700mW 9-DSBGA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) - 3a - 900MV A 250µA 3.9NC @ 4.5V 410pf @ 10V Portão de Nível Lógico
STP30N65M5 STMicroelectronics STP30N65M5 6.6600
RFQ
ECAD 5 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ V. Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-220-3 STP30 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-220 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 650 v 22a (TC) 10V 139mohm @ 11a, 10V 5V A 250µA 64 nc @ 10 V ± 25V 2880 pf @ 100 V - 140W (TC)
STW18NM80 STMicroelectronics STW18NM80 7.6800
RFQ
ECAD 7149 0,00000000 Stmicroelectronics MDMESH ™ Tubo Ativo 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 STW18 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) To-247-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-10085-5 Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 800 v 17a (TC) 10V 295mohm @ 8.5a, 10V 5V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 30V 2070 pf @ 50 V - 190W (TC)
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated DMN26D0UT-7 0,3300
RFQ
ECAD 160 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-523 DMN26 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 230mA (TA) 1.2V, 4.5V 3ohm @ 100ma, 4,5V 1V a 250µA ± 10V 14.1 pf @ 15 V - 300mW (TA)
DMN2041L-7 Diodes Incorporated DMN2041L-7 0,3800
RFQ
ECAD 206 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2041 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-23-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 v 6.4a (ta) 2.5V, 4.5V 28mohm @ 6a, 4.5V 1.2V a 250µA 15,6 nc @ 10 V ± 12V 550 pf @ 10 V - 780MW (TA)
DMN4009LK3-13 Diodes Incorporated DMN4009LK3-13 -
RFQ
ECAD 7240 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 DMN4009 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-252-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 v 18a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 14a, 10v 3V A 250µA 21 NC a 4,5 V ± 20V 2072 pf @ 20 V - 2.19W (TA)
TT8J2TR Rohm Semiconductor Tt8j2tr 0,9800
RFQ
ECAD 10 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SMD, Chumbo Plano TT8 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.25W 8-TSST download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 30V 2.5a 84mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 1MA 4.8NC @ 5V 460pf @ 10V Portão de Nível Lógico
UM6J1NTN Rohm Semiconductor Um6j1ntn 0,4800
RFQ
ECAD 19 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Um6j1 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW Umt6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Duplo) 30V 200Ma 1.4OHM @ 200MA, 10V 2.5V @ 1MA - 30pf @ 10V Portão de Nível Lógico
EM6K7T2R Rohm Semiconductor EM6K7T2R 0,5400
RFQ
ECAD 589 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SOT-563, SOT-666 Em6k7 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 150mW EMT6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 8.000 2 canal n (Duplo) 20V 200Ma 1.2OHM @ 200MA, 2.5V 1V @ 1MA - 25pf @ 10V Portão de Nível Lógico
RZE002P02TL Rohm Semiconductor Rze002p02tl 0,3900
RFQ
ECAD 109 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície SC-75, SOT-416 Rze002 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) EMT3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.21.0095 3.000 Canal P. 20 v 200Ma (TA) 1.2V, 4.5V 1.2OHM @ 200MA, 4.5V 1V @ 100µA 1,4 NC a 4,5 V ± 10V 115 pf @ 10 V - 150mW (TA)
DMN3024LSD-13 Diodes Incorporated DMN3024LSD-13 0,6400
RFQ
ECAD 100 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) DMN3024 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 1.8W 8-so download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 2 canal n (Duplo) 30V 6.8a 24mohm @ 7a, 10V 3V A 250µA 12.9NC @ 10V 608pf @ 15V Portão de Nível Lógico
CSD16408Q5 Texas Instruments CSD16408Q5 0,6424
RFQ
ECAD 9150 0,00000000 Texas Instruments NexFET ™ Tape & Reel (TR) Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 8-PowerTdfn CSD16408 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 8-vsonp (5x6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 v 22a (ta), 113a (tc) 4.5V, 10V 4.5mohm @ 25a, 10V 2.1V @ 250µA 8,9 nc a 4,5 V +16V, -12V 1300 pf @ 12,5 V - 3.1W (TA)
CSD25302Q2 Texas Instruments CSD25302Q2 -
RFQ
ECAD 4281 0,00000000 Texas Instruments NexFET ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície 6-SMD, FiOS Planos CSD2530 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) 6-SON download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 3.000 Canal P. 20 v 5a (TC) 1.8V, 4.5V 49mohm @ 3a, 4.5V 900MV A 250µA 3,4 NC a 4,5 V ± 8V 350 pf @ 10 V - 2.4W (TA)
MRF555T Microsemi Corporation MRF555T -
RFQ
ECAD 9235 0,00000000 Microsemi Corporation - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montagem na Superfície Macro de Potência MRF555 3w Macro de Potência download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0075 1.000 11dB ~ 12,5dB 16V 500mA Npn 50 @ 100mA, 5V - -
IXFB170N30P IXYS IXFB170N30P 31.4408
RFQ
ECAD 6927 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA IXFB170 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Plus264 ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 300 v 170A (TC) 10V 18mohm @ 85a, 10V 4.5V @ 1MA 258 nc @ 10 V ± 20V 20000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXFH12N90P IXYS IXFH12N90P 10.1600
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco To-247-3 IXFH12 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-247AD (IXFH) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal 900 v 12a (TC) 10V 900MOHM @ 6A, 10V 6.5V @ 1Ma 56 nc @ 10 V ± 30V 3080 pf @ 25 V - 380W (TC)
IXFK250N10P IXYS IXFK250N10P 24.5300
RFQ
ECAD 78 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA IXFK250 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-264AA (IXFK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 100 v 250a (TC) 10V 6.5mohm @ 50a, 10V 5V @ 1MA 205 nc @ 10 V ± 20V 16000 pf @ 25 V - 1250W (TC)
IXFK40N90P IXYS IXFK40N90P 29.8700
RFQ
ECAD 240 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Através do buraco TO-264-3, TO-264AA IXFK40 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-264AA (IXFK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 25 N-canal 900 v 40A (TC) 10V 230mohm @ 20a, 10V 6.5V @ 1Ma 230 NC @ 10 V ± 30V 14000 pf @ 25 V - 960W (TC)
IXFN300N10P IXYS IXFN300N10P 48.2300
RFQ
ECAD 6259 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc IXFN300 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-227B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 N-canal 100 v 295a (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 5V @ 8MA 279 NC @ 10 V ± 20V 23000 pf @ 25 V - 1070W (TC)
IXFN56N90P IXYS IXFN56N90P 61.8500
RFQ
ECAD 8 0,00000000 Ixys HiperFet ™, Polar Tubo Ativo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montagem do chassi SOT-227-4, Minibloc IXFN56 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) SOT-227B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 10 N-canal 900 v 56a (TC) 10V 135mohm @ 28a, 10V 6.5V @ 3Ma 375 nc @ 10 V ± 30V 23000 pf @ 25 V - 1000W (TC)
IXTC62N15P IXYS Ixtc62n15p -
RFQ
ECAD 9751 0,00000000 Ixys PolarHT ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Através do buraco Isoplus220 ™ Ixtc62 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) Isoplus220 ™ download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 50 N-canal 150 v 36a (TC) 10V 45mohm @ 31a, 10V 5V A 250µA 70 nc @ 10 V ± 20V 2250 pf @ 25 V - 150W (TC)
IXTQ28N15P IXYS Ixtq28n15p -
RFQ
ECAD 6432 0,00000000 Ixys Polar Tubo Ativo - Através do buraco TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq28 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) TO-3P download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 30 N-canal - - - - -
STD75N3LLH6 STMicroelectronics Std75n3llH6 -
RFQ
ECAD 9004 0,00000000 Stmicroelectronics Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 STD75N MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 v 75a (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 37.5a, 10V 2,5V a 250µA 17 NC @ 4,5 V ± 20V 1690 pf @ 25 V - 60W (TC)
STD6N52K3 STMicroelectronics STD6N52K3 1.7000
RFQ
ECAD 2 0,00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3 ™ Tape & Reel (TR) Ativo 150 ° C (TJ) Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Std6 MOSFET (ÓXIDO DE METAL) DPAK download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.29.0095 2.500 N-canal 525 v 5a (TC) 10V 1.2OHM @ 2.5A, 10V 4.5V @ 100µA ± 30V - 70W (TC)
ULN2803AFWG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage Uln2803afwg, c, el -
RFQ
ECAD 4777 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montagem na Superfície 18-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) Uln2803 1.31W 18-SOP download 1 (ilimito) Ear99 8541.29.0075 1.000 50V 500mA - 8 NPN Darlington 1.6V @ 500µA, 350mA 1000 @ 350mA, 2V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes em todo o mundo

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque