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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70V05L12J | - |  | 4346 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 68-lcc (J-Lead) | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 3V ~ 3,6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | - | 800-70V05L12J | 1 | Volátil | 64kbit | 12 ns | Sram | 8k x 8 | Paralelo | 12ns | |||||||||
| Mt62f1g32d2ds-023 ait: c | 29.0250 | | 8414 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | CAIXA | Ativo | - | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AIT: c | 1 | 4.266 GHz | Volátil | 32Gbit | Dram | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
| S99-50292 | - | | 2087 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS46LR32160C-6BLA2 | 12.4533 | | 3246 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 90-TFBGA | IS46LR32160 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volátil | 512MBIT | 5,5 ns | Dram | 16m x 32 | Paralelo | 12ns | |||
| X28HC64PZ-12 | 15.8270 | | 2350 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 28-DIP (0,600 ", 15,24mm) | EEPROM | 4.5V ~ 5,5V | 28-PDIP | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 20-X28HC64PZ-12 | 1 | Não Volátil | 64kbit | 120 ns | EEPROM | 8k x 8 | Paralelo | 5ms | |||||||
 | IDT71V424YS12Y | - | | 4658 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IDT71V424 | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 36-SOJ | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 71V424YS12Y | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 20 | Volátil | 4MBIT | 12 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 12ns | |||
 | CY62146G30-45BVXI | - | | 9436 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-VFBGA | CY62146 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 48-VFBGA (6x8) | download | 50 | Volátil | 4MBIT | 45 ns | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | Não Verificado | ||||||||
 | FM27C010V120 | 1.0800 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-lcc (J-Lead) | FM27C010 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5,5V | 32-PLCC (14x11.46) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0071 | 1 | Não Volátil | 1Mbit | 120 ns | Eprom | 128k x 8 | Paralelo | - | ||||
| B4U38AT-C | 17.5000 | | 2704 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-B4U38AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 100142DC | 9.4500 | | 148 | 0,00000000 | Semicondutor Nacional | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Através do buraco | 24 CDIP (0,600 ", 15,24mm) | 100142 | Cam | - | 24 cdip | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | Não Volátil | 16 bits | 4,5 ns | Cam | 4 x 4 | Paralelo | - | ||||
 | 25AA256-E/ST | 1.8600 | | 2547 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | 25AA256 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Não Volátil | 256kbit | EEPROM | 32k x 8 | Spi | 5ms | ||||
 | IS43TR16128DL-125KBL | 4.6100 | | 3 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | IS43TR16128 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-TWBGA (9x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-1724 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Volátil | 2gbit | 20 ns | Dram | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | CAT24C128WGI | - | | 9641 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CAT24C128 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 MHz | Não Volátil | 128kbit | 400 ns | EEPROM | 16k x 8 | I²C | 5ms | |||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT: d | - | | 4416 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Última Vez compra | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-TFBGA | Sdram - Móvel lpddr4x | 1,06V ~ 1,17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: d | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16gbit | 3,5 ns | Dram | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
| FX622AA-C | 62.5000 | | 7113 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-FX622AA-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| NSEC53T016-AT | 19.1520 | | 3994 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | Nsec | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C. | Montagem na Superfície | 153-VFBGA | Flash - NAND (TLC) | 2.7V ~ 3,6V | 153-FBGA (11,5x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NSEC53T016-AT | 152 | 200 MHz | Não Volátil | 128 gbit | Clarão | 16g x 8 | Emmc_5.1 | - | |||||||
| P06037-B21-C | 1.0000 | | 6551 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-P06037-B21-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V124SA12PHG8 | - | | 1358 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-SOIC (0,400 ", 10,16 mm de largura) | 71V124 | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.500 | Volátil | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Paralelo | 12ns | ||||
 | CY7C277-40WC | 43.4400 | | 89 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | CY7C277 | EPROM - UV | 4.5V ~ 5,5V | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | ALCANCE AFETADO | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | Não Volátil | 256kbit | 40 ns | Eprom | 32k x 8 | Paralelo | - | |||||||
| K6X0808C1D-BF55 | 6.0000 | | 806 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-sop | - | 3277-K6X0808C1D-BF55 | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | Volátil | 256kbit | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 55ns | Não Verificado | ||||||||
 | CY7C1518V18-250BZC | - | | 2645 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1518 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 4m x 18 | Paralelo | - | ||||
| IS42S32160F-6BL-TR | 11.5500 | | 9236 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 90-TFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 167 MHz | Volátil | 512MBIT | 5.4 ns | Dram | 16m x 32 | Paralelo | - | |||
 | M95512-RMC6TG | - | | 4138 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-UFDFN PAD EXPOSTO | M95512 | EEPROM | 1,8V ~ 5,5V | 8-ufdfpn (2x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 16 MHz | Não Volátil | 512kbit | EEPROM | 64k x 8 | Spi | 5ms | ||||
| IS43TR16512BL-125KBL-TR | 17.7555 | | 7740 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-TWBGA (10x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 8gbit | 20 ns | Dram | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
| Mt62f1g64d4zv-023 wt: b | 37.2450 | | 7877 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT62F1G64D4ZV-023WT: b | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 5962-8687507XA | - | | 4286 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 5962-8687507 | SRAM - PORTA DUPLA, SÍNCRONA | 4.5V ~ 5,5V | 48 Lados Bronzeados | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 800-5962-8687507XA | Obsoleto | 8 | Volátil | 8kbit | 55 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 55ns | ||||
 | A0740416-C | 17.5000 | | 4058 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-A0740416-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | NM93C46AVM8X | 0,2900 | | 10 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | 93C46a | EEPROM | 4.5V ~ 5,5V | 8-SOIC | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | Não Volátil | 1kbit | EEPROM | 128 x 8, 64 x 16 | Micro -onda | 10ms | ||||
| K6F4016U4E-EF70T | 2.0000 | | 23 | 0,00000000 | Samsung Semiconductor, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | SRAM - Assíncrono | 2.7V ~ 3,3V | 48-TFBGA (6x7) | - | 3277-K6F4016U4E-EF70TTR | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4MBIT | Sram | 256k x 16 | Paralelo | 70ns | Não Verificado | ||||||||
| GD55LX01GEB2ry | 20.5352 | | 8135 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LX | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LX01GEB2RY | 4.800 | 200 MHz | Não Volátil | 1Gbit | Clarão | 128m x 8 | Spi - e/sctal e/s, dtr | - |
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