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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | QMP9GL512P11FFI020 | - | ![]() | 2966 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-P | Volume | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | QMP9GL512 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Não volátil | 512Mbps | CLARÃO | 32M x 16 | Paralelo | - | |||||
![]() | 70V05L20PFI8 | - | ![]() | 1522 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LQFP | 70V05L | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 3V~3,6V | 64-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volátil | 64 Kbits | 20 ns | SRAM | 8K x 8 | Paralelo | 20 segundos | ||||
![]() | S25FL216K0PMFI011 | - | ![]() | 3895 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | FL2-K | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | S25FL216 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 91 | 65 MHz | Não volátil | 16Mbps | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S Dupla | 5ms | ||||
![]() | CYD09S72V-133BBI | - | ![]() | 6939 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 484-BGA | CYD09S72 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 1,42 V ~ 1,58 V, 1,7 V ~ 1,9 V | 484-FBGA (23x23) | - | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 60 | 133 MHz | Volátil | 9Mbit | 4,4ns | SRAM | 128K x 72 | Paralelo | - | |||
| 25LC256X-E/ST | 1.8600 | ![]() | 3010 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | 25LC256 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Não volátil | 256 Kbits | EEPROM | 32K x 8 | IPS | 5ms | |||||
![]() | AT49BV001-90VI | - | ![]() | 1938 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 32-TFSOP (0,488", 12,40 mm de largura) | AT49BV001 | CLARÃO | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-VSOP | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | AT49BV00190VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Não volátil | 1Mbit | 90 ns | CLARÃO | 128K x 8 | Paralelo | 50µs | |||
| S71KS512SC0BHB000 | 25.0200 | ![]() | 4992 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S71KS512 | FLASH, DRAM | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 166 MHz | Não Volátil, Volátil | 512 Mbit (FLASH), 64 Mbit (RAM) | FLASH, RAM | - | Paralelo | - | |||||
![]() | MT44K16M36RB-093 IT:A TR | - | ![]() | 2468 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 168-TBGA | MT44K16M36 | DRAM | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-BGA (13,5x13,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 1.066 GHz | Volátil | 576Mbps | 10 ns | DRAM | 16M x 36 | Paralelo | - | ||||
![]() | S99FL256SDSMFBG03 | 6.5625 | ![]() | 3133 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | S99FL256 | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 0000.00.0000 | 1.450 | ||||||||||||||||||
![]() | IS41LV16100D-50KLI-TR | - | ![]() | 3506 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | IS41LV16100 | DRAM-EDO | 3V~3,6V | 42-SOJ | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Volátil | 16Mbps | 25 ns | DRAM | 1m x 16 | Paralelo | - | ||||
![]() | K6F4008U2D-FF70 | 2.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Samsung Semicondutores, Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | SRAM - Assíncrona | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA | - | 3277-K6F4008U2D-FF70TR | EAR99 | 8542.32.0041 | 100 | Volátil | 4Mbit | SRAM | 512K x 8 | Paralelo | 70ns | Não selecionado | ||||||||
![]() | CY62136FV30LL-55ZSXET | 7.6475 | ![]() | 7494 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MoBL® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | CY62136 | SRAM - Assíncrona | 2V ~ 3,6V | 44-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
![]() | 71V25761S183BGI8 | - | ![]() | 5607 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 119-BGA | 71V25761 | SRAM - Sincrona, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 183 MHz | Volátil | 4,5 Mbits | 3,3ns | SRAM | 128K x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | W25Q16JLUXIG TR | 0,6600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-Pás Exposição UDFFN | W25Q16 | FLASH - NEM | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Não volátil | 16Mbps | 6 ns | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 3ms | |||
| CAT28F001GI-12T | - | ![]() | 2806 | 0,00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 32-LCC (condutor J) | CAT28F001 | CLARÃO | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CLP (11,43x13,97) | download | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | Não volátil | 1Mbit | 120ns | CLARÃO | 128K x 8 | Paralelo | 120ns | ||||||
![]() | CY62256LL-70ZRXI | 1.1600 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | MoBL® | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 28-TSSOP (0,465", 11,80 mm de largura) | CY62256 | SRAM - Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 259 | Volátil | 256 Kbits | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | Paralelo | 70ns | Não selecionado | |||||
![]() | CY7C1371C-117BGC | 15.4800 | ![]() | 44 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | NoBL™ | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 119-BGA | CY7C1371 | SRAM - Sincrona, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Volátil | 18Mbps | 7,5ns | SRAM | 512 mil x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | W25Q32JVTBJQ TR | - | ![]() | 3451 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | W25Q32 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | W25Q32JVTBJQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 133 MHz | Não volátil | 32Mbps | CLARÃO | 4M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 3ms | |||
![]() | SST39LF020-55-4C-MME | - | ![]() | 6500 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | SST39 MPF® | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 34-WFBGA | SST39LF020 | CLARÃO | 3V~3,6V | 34-WFBGA (6x4) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 740 | Não volátil | 2Mbit | 55 ns | CLARÃO | 256K x 8 | Paralelo | 20µs | ||||
![]() | 71256L45TDB | 38.8776 | ![]() | 5915 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Tubo | Ativo | -55°C ~ 125°C (AT) | Através do furo | 28 CDIP (0,300", 7,62mm) | 71256L | SRAM - Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 13 | Volátil | 256 Kbits | 45 ns | SRAM | 32K x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
![]() | M29W320EB70ZS6E | - | ![]() | 5313 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | M29W320 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | -M29W320EB70ZS6E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Não volátil | 32Mbps | 70 ns | CLARÃO | 4M x 8, 2M x 16 | Paralelo | 70ns | |||
![]() | CY7C1062DV33-10BGXI | - | ![]() | 1084 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 119-BGA | CY7C1062 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 119-PBGA (14x22) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | Volátil | 16Mbps | 10 ns | SRAM | 512 mil x 32 | Paralelo | 10s | ||||
![]() | AT45DB021E-SHNHA-T | 1.3900 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | AT45DB021 | CLARÃO | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 70 MHz | Não volátil | 2Mbit | CLARÃO | 264 bytes x 1024 páginas | IPS | 8µs, 3ms | ||||
| S25FS128SDSBHM200 | 6.3350 | ![]() | 8777 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, FS-S | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | S25FS128 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 24-BGA (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 80 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | SPI - E/S quádrupla, QPI | - | |||||
| MT25QU128ABA8E12-0SIT TR | 3.3831 | ![]() | 3647 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | MT25QU128 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 24-T-PBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | IPS | 8ms, 2,8ms | |||||
![]() | MT29VZZZBD8DQOPR-053 W ES.9G8 TR | - | ![]() | 8533 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | MT29VZZZBD8 | - | 1 (ilimitado) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||||
| DS1249Y-85 | - | ![]() | 8228 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrada | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Através do furo | Módulo 32 DIP (0,600", 15,24 mm) | DS1249Y | NVSRAM (SRAM não volátil) | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-EDIP | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | Não volátil | 2Mbit | 85 ns | NVSRAM | 256K x 8 | Paralelo | 85ns | |||||
![]() | S34SL02G200BHI000 | - | ![]() | 6866 | 0,00000000 | Memória SkyHigh limitada | - | Bandeja | Descontinuado na SIC | S34SL02 | - | Compatível com RoHS | 3 (168 horas) | 2120-S34SL02G200BHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Não selecionado | ||||||||||||||||
| MT53D512M64D4NW-053 WT:D TR | - | ![]() | 3713 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 432-VFBGA | MT53D512 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | 432-VFBGA (15x15) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||||
![]() | GD25VE16CTIGR | - | ![]() | 8137 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | GD25VE16 | FLASH - NEM | 2,1 V ~ 3,6 V | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Não volátil | 16Mbps | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S quádrupla | - |

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