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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S29GL01GS12TFIV20 | 12.4950 |  | 6647 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-S | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | S29GL01 | Flash - NEM | 1,65V ~ 3,6V | 56-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 182 | Não Volátil | 1Gbit | 120 ns | Clarão | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | IS61VF51236B-7.5TQLI | 17.2425 | | 9352 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | IS61VF51236 | SRAM - Síncrono, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 100-lqfp (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Volátil | 18Mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | IS42S83200B-7TL | - | | 7414 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS42S83200 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volátil | 256Mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Paralelo | - | |||
 | S29GL256S10GHB010 | 6.7115 | | 7162 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q100, GL-S | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 56-VFBGA | Flash - NEM (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 56-FBGA (9x7) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 260 | Não Volátil | 256Mbit | 100 ns | Clarão | 32m x 8 | CFI | 60ns | ||||||||
 | Mt41k256m16tw-093: p tr | 5.2703 | | 5905 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41K256M16 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (8x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1.066 GHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | Mtfc256gasaons-it | 111.7200 | | 1 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 153-TFBGA | MTFC256 | Flash - NAND | 2.7V ~ 3,6V | 153-TFBGA (11,5x13) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -791-mtfc256gasaons-it | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.520 | 52 MHz | Não Volátil | 2tbit | Clarão | 256g x 8 | UFS2.1 | - | |||
| 03T6456-C | 17.5000 | | 2581 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-03T6456-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| MT52L256M32D1PU-107 WT: B TR | - | | 6952 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | Sdram - Móvel lpddr3 | 1.2V | - | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 8gbit | Dram | 256m x 32 | - | - | ||||||||
| 71V016SA15BFI | 3.6892 | | 5563 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-LFBGA | 71V016 | SRAM - Assíncrono | 3V ~ 3,6V | 48-Cabga (7x7) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 476 | Volátil | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | ||||
| 70261L25pfg8 | - | | 8465 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 70261L25 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70261L25pfg8tr | Obsoleto | 250 | Volátil | 256kbit | 25 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 25ns | |||||||
 | AT28HC256-90SU-T | 15.0600 | | 8842 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 28-SOIC (0,295 ", Largura de 7,50 mm) | AT28HC256 | EEPROM | 4.5V ~ 5,5V | 28-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 1.000 | Não Volátil | 256kbit | 90 ns | EEPROM | 32k x 8 | Paralelo | 10ms | ||||
 | Z9H55AT-C | 24.2500 | | 8966 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-Z9H55AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS42S16100F-6TL | - | | 2492 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS42S16100 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32..0002 | 117 | 166 MHz | Volátil | 16MBIT | 5,5 ns | Dram | 1m x 16 | Paralelo | - | |||
| CAT93C86WI-G | 0,2500 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | EEPROM | 2,5V ~ 5,5V | 8-SOIC | - | 2156-CAT93C86WI-G | 1.202 | 3 MHz | Não Volátil | 16kbit | 100 ns | EEPROM | 1k x 16, 2k x 8 | Micro -onda | - | ||||||||
 | R1LV0816ASA-5SI#SK | 24.2800 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | 3A991 | 8542.32.0041 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | W71NW20GD3GW | - | | 2478 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | W71NW20 | Flash - NAND, DRAM - LPDDR | 1.7V ~ 1,95V | - | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W71NW20GD3GW | 136 | Não Volátil, Volátil | 2GBIT (NAND), 1GBIT (LPDDR) | Flash, Ram | - | - | - | ||||||
 | Cy62256vnll-70snxct | - | | 5033 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | MOBL® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-SOIC (0,295 ", Largura de 7,50 mm) | CY62256 | SRAM - Assíncrono | 2.7V ~ 3,6V | 28-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 256kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CY14B256L-SZ35XC | 10.5500 | | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | CY14B256 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 2.7V ~ 3,6V | 32-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8542.32.0041 | 29 | Não Volátil | 256kbit | 35 ns | NVSRAM | 32k x 8 | Paralelo | 35ns | Não Verificado | |||||
 | GS81302DT37GE-450I | 243.5230 | | 7991 | 0,00000000 | GSI Technology Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 165 lbga | GS81302DT37 | SRAM - PORTA Quad, Síncrona | 1.7V ~ 1,9V | 165-fpbga (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 2364-GS81302DT37GE-450I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 450 MHz | Volátil | 144MBIT | Sram | 4m x 36 | Paralelo | - | |||
| MT25QL256ABA8ESF-MSIT | - | | 8515 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 16-SOIC (0,295 ", 7,50 mm de largura) | MT25QL256 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 16-SOP2 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi | 8ms, 2,8ms | ||||
 | S25FL129P0XNFI010 | - | | 8925 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Fl | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-AUDFN PAD EXPOSTO | S25FL129 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 8-USON (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 338 | 104 MHz | Não Volátil | 128Mbit | Clarão | 16m x 8 | Spi - quad e/s | 5µs, 3ms | ||||
| AS4C256M16D3LB-10BCNTR | - | | 5219 | 0,00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | AS4C256 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (13,5x9) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR | Obsoleto | 2.000 | 933 MHz | Volátil | 4gbit | 20 ns | Dram | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | 7130LA25J | - | | 6829 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 52-LCC (J-Lead) | 7130LA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 24 | Volátil | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
| 7130LA25JGI8 | 18.2197 | | 4923 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 52-LCC (J-Lead) | 7130LA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 400 | Volátil | 8kbit | 25 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 25ns | ||||
 | 7130LA35C | 87.2408 | | 8253 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Através do buraco | 48-DIP (0,600 ", 15,24mm) | 7130LA | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 48 Lados Bronzeados | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 8 | Volátil | 8kbit | 35 ns | Sram | 1k x 8 | Paralelo | 35ns | ||||
 | CY7C1570V18-375BZXC | - | | 6658 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1570 | SRAM - Síncrono, DDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 375 MHz | Volátil | 72MBIT | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | CY7C1021CV26-15VXE | - | | 6134 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY7C1021 | SRAM - Assíncrono | 2.5V ~ 2,7V | 44-SOJ | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | -CY7C1021CV26 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 17 | Volátil | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT62F512M128D8TE-031 XT: b | 68.0400 | | 7066 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | CAIXA | Ativo | - | 557-MT62F512M128D8TE-031XT: b | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY7C1480BV33-167AXC | 129.4200 | | 229 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | CY7C1480 | SRAM - Síncrono, SDR | 3.135V ~ 3,6V | 100-TQFP (14x20) | download | ROHS3 Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 167 MHz | Volátil | 72MBIT | 3,4 ns | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Não Verificado | ||||
 | S29GL032N90FFIS30 | - | | 7110 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-N | Bandeja | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 64 lbga | S29GL032 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 64-FBGA (13x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 136 | Não Volátil | 32Mbit | 90 ns | Clarão | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 90ns |
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