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MEMÓRIA (70500)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Tensão - Supimento | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Frequencia do Relógio | Tipo de Memória | TAMANHO DA MEMÓRIA | Tempo de Aceso | Formato de Memória | Organização de Memória | Interface de Memória | Escreva Tempo de Ciclo - Palavra, Página | SiC Programmable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CY62148EV30LL-45ZSXIT | - |  | 6095 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MOBL® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 32-SOIC (0,400 ", 10,16 mm de largura) | CY62148 | SRAM - Assíncrono | 2.2V ~ 3,6V | 32-TSOP II | download | 1 | Volátil | 4MBIT | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Paralelo | 45ns | Não Verificado | ||||||||
 | 71256SA15pzg | - | | 7339 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-TSSOP (0,465 ", 11,80 mm de largura) | 71256SA | SRAM - Assíncrono | 4.5V ~ 5,5V | 28-TSOP | download | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 256kbit | 15 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 15ns | |||||||
| IS34ML01G081-BLI-TR | 3.4331 | | 2629 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 63-VFBGA | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 63-VFBGA (9x11) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS34ML01G081-BLI-TR | 2.500 | Não Volátil | 1Gbit | 20 ns | Clarão | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||||
 | STK12C68-L45I | - | | 1112 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 28-LCC | STK12C68 | NVSRAM (SRAM Não Volátil) | 4.5V ~ 5,5V | 28-LCC (13.97x8.89) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0041 | 68 | Não Volátil | 64kbit | 45 ns | NVSRAM | 8k x 8 | Paralelo | 45ns | ||||
 | MX25U4035FM1J | 0,4872 | | 8623 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-SOP | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25U4035FM1J | 98 | 108 MHz | Não Volátil | 4MBIT | 6 ns | Clarão | 1m x 4, 2m x 2, 4m x 1 | Spi - quad e/s | 100µs, 3,6ms | |||||||
 | BR34E02FVT-WE2 | 0,6436 | | 1482 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | BR34E02 | EEPROM | 1.7V ~ 3,6V | 8-TSSOP-B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Não Volátil | 2kbit | EEPROM | 256 x 8 | I²C | 5ms | ||||
 | MX35UF2GE4AD-Z4I | 3.2300 | | 1428 | 0,00000000 | Macronix | MX35UF | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 8-WSON (8x6) | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX35UF2GE4AD-Z4I | 480 | 133 MHz | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 512m x 4 | Spi - quad e/s | - | ||||||||
| 70V9289L7PRFGI8 | - | | 8166 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 128-LQFP | 70V9289 | SRAM - PORTA DUPLA, PADROO | 3V ~ 3,6V | 128-tqfp (14x20) | - | 800-70V9289L7PRFGI8TR | Obsoleto | 750 | 45,45 MHz | Volátil | 1Mbit | 18 ns | Sram | 64k x 16 | Lvttl | - | ||||||
 | 1CA79AT-C | 93.7500 | | 3111 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-1CA79AT-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| NLQ83PFS-6NET | 17.8885 | | 9122 | 0,00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Bandeja | Ativo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 200-WFBGA | Sdram - móvel lpddr4 | 1,06V ~ 1,17V, 1,7V ~ 1,95V | 200-FBGA (10x14.5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 1982-NLQ83PFS-6NET | 136 | 1.6 GHz | Volátil | 8gbit | 3,5 ns | Dram | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||||
| GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | | 5315 | 0,00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | PAD EXPOSTO DE 8-WDFN | Flash - NEM (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4.800 | 133 MHz | Não Volátil | 512MBIT | Clarão | 64m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | - | |||||||||
 | CY15B256J-SXE | - | | 2496 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | CY15B256 | Fram (Ram Ferroelética) | 2V ~ 3,6V | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2832-CY15B256J-SXE | 1 | 3,4 MHz | Não Volátil | 256kbit | 130 ns | Fram | 32k x 8 | I²C | - | Não Verificado | ||||
 | MT54V512H18AF-7.5 | 12.7800 | | 5 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | QDR® | Volume | Ativo | -20 ° C ~ 110 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 165-TBGA | SRAM - Síncrono | 2.4V ~ 2,6V | 165-FBGA (13x15) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 9Mbbit | 3 ns | Sram | 512k x 18 | Hstl | - | ||||
| Mt29f8t08ewleem5-r: e tr | 171.6300 | | 1176 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | - | - | Flash - NAND (TLC) | - | - | - | 557-MT29F8T08EWLEEM5-R: ETR | 1.500 | Não Volátil | 8tbit | Clarão | 1T x 8 | Paralelo | - | ||||||||||
 | IS46R16160F-6TLA1 | 4.4051 | | 9766 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS46R16160 | Sdram - ddr | 2.3V ~ 2,7V | 66-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Volátil | 256Mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | IS43TR16640BL-125KBL-TR | - | | 1743 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | IS43TR16640 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-TWBGA (9x13) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Volátil | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| 70121L35JG | - | | 1939 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Última Vez compra | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 52-LCC (J-Lead) | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 52-PLCC (19.13x19.13) | - | 800-70121L35JG | 1 | Volátil | 18kbit | 35 ns | Sram | 2k x 9 | Paralelo | 35ns | |||||||||
 | CY7C1412AV18-200BZI | 55.6700 | | 203 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 165 lbga | CY7C1412 | SRAM - Síncrono, QDR II | 1.7V ~ 1,9V | 165-FBGA (15x17) | download | Rohs Não Compatível | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 200 MHz | Volátil | 36Mbbit | Sram | 2m x 18 | Paralelo | - | Não Verificado | |||||
 | IDT71V2559S85PFG8 | - | | 6379 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | IDT71V2559 | SRAM - Síncrono, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 71V2559S85pfg8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4,5Mbbit | 8,5 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||||
| 03T7415-C | 81.7500 | | 5603 | 0,00000000 | Prolabs | * | Pacote de Varejo | Ativo | - | Rohs Compatível | 4932-03T7415-C | Ear99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W25N01GWTBIT | - | | 9715 | 0,00000000 | Electronics Winbond | Spiflash® | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | W25N01 | Flash - NAND (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 24-TFBGA (8x6) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 256-W25N01GWTBIT | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Não Volátil | 1Gbit | 8 ns | Clarão | 128m x 8 | Spi - quad e/s | 700µs | ||
 | FM24C256VN | 1.0800 | | 5464 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | FM24C256 | EEPROM | 4.5V ~ 5,5V | 8-DIP | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Não Volátil | 256kbit | 3,5 µs | EEPROM | 32k x 8 | I²C | 6ms | |||
 | W29N08GVSIAA TR | 12.4950 | | 7256 | 0,00000000 | Electronics Winbond | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 48-TFSOP (0,724 ", 18,40 mm de largura) | Flash - NAND (SLC) | 2.7V ~ 3,6V | 48-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 256-W29N08GVSIAATR | 3A991B1a | 8542.32.0071 | 1.500 | Não Volátil | 8gbit | 20 ns | Clarão | 1g x 8 | Onfi | 25ns, 700µs | |||||
| 70261S15pfg | - | | 9293 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | 70261S15 | SRAM - PORTA DUPLA, ASSÍNCIA | 4.5V ~ 5,5V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70261S15pfg | Obsoleto | 1 | Volátil | 256kbit | 15 ns | Sram | 16k x 16 | Paralelo | 15ns | |||||||
 | IS42S16160B-7TL | - | | 5263 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm de largura) | IS42S16160 | Sdram | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volátil | 256Mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Paralelo | - | |||
 | CAT24C08YGI | - | | 4363 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | CAT24C08 | EEPROM | 1.7V ~ 5,5V | 8-TSSOP | download | Não Aplicável | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.32.0051 | 1 | 400 kHz | Não Volátil | 8kbit | 900 ns | EEPROM | 1k x 8 | I²C | 5ms | |||
 | MT41K64M16JT-125: g | - | | 7092 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montagem na Superfície | 96-TFBGA | MT41K64M16 | Sdram - ddr3l | 1.283V ~ 1,45V | 96-FBGA (8x14) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volátil | 1Gbit | 13,75 ns | Dram | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
| IS25WP256E-RHLE-TR | 3.7919 | | 4043 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | Flash - NEM (SLC) | 1.7V ~ 1,95V | 24-TFBGA (6x8) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 706-IS25WP256E-RHLE-TR | 2.500 | 166 MHz | Não Volátil | 256Mbit | Clarão | 32m x 8 | Spi - quad e/o, qpi, dtr | 50µs, 1ms | |||||||
 | MT58L1MY18PT-10 | 21.2200 | | 4683 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Volume | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 100-lqfp | MT58L1MY18 | Sram | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x20.1) | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volátil | 18Mbit | 5 ns | Sram | 1m x 18 | Paralelo | - | |||
| MT25QL02GCBA8E12-0SIT | - | | 9198 | 0,00000000 | Micron Technology Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montagem na Superfície | 24-TBGA | MT25QL02 | Flash - NEM | 2.7V ~ 3,6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.122 | 133 MHz | Não Volátil | 2gbit | Clarão | 256m x 8 | Spi | 8ms, 2,8ms |
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