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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Temperatura operacional Tipo de montagem Pacote/Caso Número básico do produto Tecnologia Tensão - Alimentação Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Frequência do relógio Tipo de memória Tamanho da memória Tempo de acesso Formato de memória Organização da Memória Interface de memória Tempo de ciclo de gravação - palavra, página SIC programável
IDT71V432S7PF Renesas Electronics America Inc IDT71V432S7PF -
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ECAD 6077 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. - Bandeja Obsoleto 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 100-LQFP IDT71V432 SRAM - Sincrona, SDR 3,135 V ~ 3,63 V 100-TQFP (14x14) download RoHS não compatível 3 (168 horas) REACH não afetado 71V432S7PF 3A991B2B 8542.32.0041 72 Volátil 1Mbit 7 ns SRAM 32 mil x 32 Paralelo -
93LC66C-I/MS Microchip Technology 93LC66C-I/MS 0,4100
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ECAD 1 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Tubo Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) 93LC66 EEPROM 2,5 V ~ 5,5 V 8-MSOP download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 93LC66C-I/MS-NDR EAR99 8542.32.0051 100 3MHz Não volátil 4Kbit EEPROM 512x8, 256x16 Microfio 6ms
IS46LR32160B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA1 -
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ECAD 3435 0,00000000 ISSI, solução integrada de silício Inc. - Bandeja Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - LPDDR móvel 1,7 V ~ 1,95 V 90-TFBGA (8x13) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8542.32.0028 240 166 MHz Volátil 512Mbps 5,5ns DRAM 16M x 32 Paralelo 12s
24AA65T/SM Microchip Technology 24AA65T/SM 2.2500
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ECAD 7567 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Fita e Carretel (TR) Ativo 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) 24AA65 EEPROM 1,8 V ~ 6 V 8-SOIJ download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 24AA65T/SM-NDR EAR99 8542.32.0051 2.100 400 kHz Não volátil 64 Kbits 900 ns EEPROM 8K x 8 I²C 5ms
MTFC2GMDEA-0M WT Micron Technology Inc. MTFC2GMDEA-0M WT -
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ECAD 5737 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. e•MMC™ Bandeja Obsoleto -25°C ~ 85°C (AT) Montagem em superfície 153-WFBGA MTFC2G FLASH NAND 2,7 V ~ 3,6 V 153-WFBGA (11,5x13) - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B1A 8542.32.0036 1.520 Não volátil 16 Gbits CLARÃO 2G x 8 MMC -
AT45D011-JI Microchip Technology AT45D011-JI -
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ECAD 4763 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TC) Montagem em superfície 32-LCC (condutor J) AT45D011 CLARÃO 4,5 V ~ 5,5 V 32-CLP (13,97x11,43) download RoHS não compatível 2 (1 ano) REACH não afetado AT45D011JI EAR99 8542.32.0071 32 15 MHz Não volátil 1Mbit CLARÃO 264 bytes x 512 páginas IPS 15ms
MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR -
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ECAD 8662 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. - Fita e Carretel (TR) Obsoleto -40°C ~ 95°C (TC) Montagem em superfície 200-WFBGA MT53E128 SDRAM-LPDDR4 móvel 1,06 V ~ 1,17 V 200-WFBGA (10x14,5) - 3 (168 horas) 557-MT53E128M16D1DS-053IT:ATR OBSOLETO 2.000 1.866 GHz Volátil 2 Gbits DRAM 128M x 16 Paralelo -
S70KL1282DPBHV020 Infineon Technologies S70KL1282DPBHV020 7.1750
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ECAD 1791 0,00000000 Tecnologias Infineon HyperRAM™ KL Bandeja Ativo -40°C ~ 105°C (TA) Montagem em superfície 24-VBGA S70KL1282 PSRAM (Pseudo SRAM) 2,7 V ~ 3,6 V 24-FBGA (6x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B2A 8542.32.0002 3.380 166 MHz Volátil 128Mbps 36 ns PSRAM 16M x 8 Hiperônibus 36 segundos
A8711887-C ProLabs A8711887-C 63.5000
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ECAD 1208 0,00000000 ProLabs * Pacote de varejo Ativo - Compatível com RoHS 4932-A8711887-C EAR99 8473.30.5100 1
STK22C48-SF25I Infineon Technologies STK22C48-SF25I -
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ECAD 9421 0,00000000 Tecnologias Infineon - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 28-SOIC (0,342", 8,69 mm de largura) STK22C48 NVSRAM (SRAM não volátil) 4,5 V ~ 5,5 V 28-SOIC download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8542.32.0041 50 Não volátil 16 Kbits 25 ns NVSRAM 2K x 8 Paralelo 25s
MT29F2G08ABAEAWP:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAWP:E 3.8500
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ECAD 4 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. - Bandeja Ativo 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) MT29F2G08 FLASH NAND 2,7 V ~ 3,6 V 48-TSOP I - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B1A 8542.32.0071 960 Não volátil 2 Gbits CLARÃO 256M x 8 Paralelo -
IDT71V25761SA200BQI Renesas Electronics America Inc IDT71V25761SA200BQI -
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ECAD 1649 0,00000000 Renesas Electronics América Inc. - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 165-TBGA IDT71V25761 SRAM - Sincrona, SDR 3.135 V ~ 3.465 V 165-CABGA (13x15) download RoHS não compatível 3 (168 horas) REACH não afetado 71V25761SA200BQI 3A991B2A 8542.32.0041 136 200 MHz Volátil 4,5 Mbits 5 ns SRAM 128K x 36 Paralelo -
AT45DQ321-SHD-B Adesto Technologies AT45DQ321-SHD-B -
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ECAD 7859 0,00000000 Adesto Technologies - Tubo Descontinuado na SIC -40°C ~ 85°C (TC) Montagem em superfície 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) AT45DQ321 CLARÃO 2,5 V ~ 3,6 V 8-SOIC download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz Não volátil 32Mbps CLARÃO 528 bytes x 8.192 páginas IPS 8µs, 4ms
MT55L256V32PT-6IT Micron Technology Inc. MT55L256V32PT-6IT 14.9900
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ECAD 47 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. ZBT® Volume Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 100-LQFP SRAM-ZBT 3.135 V ~ 3.465 V 100-TQFP (14x20,1) download RoHS não compatível 3 (168 horas) Fornecedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 MHz Volátil 8Mbit 3,5ns SRAM 256 mil x 32 Paralelo -
5962-9089904MTA Intel 5962-9089904MTA 100.8000
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ECAD 23 0,00000000 Informações MT28F010 Volume Ativo -55°C ~ 125°C (TC) Montagem em superfície 32-LCC (condutor J) CLARÃO 4,5 V ~ 5,5 V 32-PLCC download Não aplicável 3 (168 horas) Fornecedor indefinido 3A001A2C 8542.32.0071 1 Não volátil 1Mbit 120ns CLARÃO 128K x 8 Paralelo 120ns
71V65603S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65603S133PF 4.5000
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ECAD 2 0,00000000 IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. - Volume Ativo 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 100-LQFP 71V65603 SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) 3.135 V ~ 3.465 V 100-TQFP (14x14) download RoHS não compatível 3 (168 horas) REACH afetado 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volátil 9Mbit 4,2ns SRAM 256 mil x 36 Paralelo -
CY7C131-55JXI Cypress Semiconductor Corp CY7C131-55JXI -
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ECAD 6193 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp. - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 52-LCC (condutor J) CY7C131 SRAM - Porta Dupla, Assíncrona 4,5 V ~ 5,5 V 52-CLP (19,13x19,13) download Compatível com ROHS3 EAR99 8542.32.0041 23 Volátil 8Kbit 55 ns SRAM 1 mil x 8 Paralelo 55ns Não selecionado
C-2400D4DR8EN/8G ProLabs C-2400D4DR8EN/8G 105.0000
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ECAD 2176 0,00000000 ProLabs * Pacote de varejo Ativo - Compatível com RoHS 4932-C-2400D4DR8EN/8G EAR99 8473.30.5100 1
MT53E512M32D2FW-046 AUT:D Micron Technology Inc. MT53E512M32D2FW-046 AUT:D -
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ECAD 4416 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. Automotivo, AEC-Q100 Volume Última compra -40°C ~ 125°C (TC) Montagem em superfície 200-TFBGA SDRAM - LPDDR4X móvel 1,06 V ~ 1,17 V 200-TFBGA (10x14,5) - 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:D 1 2.133 GHz Volátil 16 Gbits 3,5ns DRAM 512M x 32 Paralelo 18 anos
IS49RL36160A-093FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-093FBLI 103.6600
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ECAD 119 0,00000000 ISSI, solução integrada de silício Inc. - Bandeja Ativo -40°C ~ 95°C (TC) Montagem em superfície 168-LBGA IS49RL36160 RLDRAM3 1,28 V ~ 1,42 V 168-FBGA (13,5x13,5) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 706-IS49RL36160A-093FBLI EAR99 8542.32.0032 119 1.066 GHz Volátil 576Mbps 7,5ns DRAM 16M x 36 Paralelo -
MT53D768M64D8WF-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D768M64D8WF-053 WT:D -
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ECAD 4896 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. - Bandeja Obsoleto -30°C ~ 85°C (TC) Montagem em superfície 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-LPDDR4 móvel 1,1V 376-WFBGA (14x14) - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado EAR99 8542.32.0036 1.190 1.866 GHz Volátil 48 Gbits DRAM 768M x 64 - -
S25FL127SABMFI000 NXP Semiconductors S25FL127SABMFI000 2.5000
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ECAD 6168 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo - 2156-S25FL127SABMFI000 97
IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BLI 4.2900
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ECAD 275 0,00000000 ISSI, solução integrada de silício Inc. - Bandeja Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 48-TFBGA IS61WV25616 SRAM - Assíncrona 2,4 V ~ 3,6 V 48-TFBGA (6x8) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B2A 8542.32.0041 480 Volátil 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 Paralelo 10s
CY7C1041BV33L-15ZCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1041BV33L-15ZCT 8.9600
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ECAD 600 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp. - Volume Ativo 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) CY7C1041 SRAM - Assíncrona 3V~3,6V 44-TSOP II download RoHS não compatível 3 (168 horas) Fornecedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1.000 Volátil 4Mbit 15 ns SRAM 256K x 16 Paralelo 15s
CY7C1021CV33-12VC Cypress Semiconductor Corp CY7C1021CV33-12VC 1.8100
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ECAD 11 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp. - Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C (TA) Montagem em superfície 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) CY7C1021 SRAM - Assíncrona 3V~3,6V 44-SOJ download RoHS não compatível 3A991B2B 8542.32.0041 166 Volátil 1Mbit 12 ns SRAM 64K x 16 Paralelo 12s Não selecionado
CY7C0852AV-133BBI Cypress Semiconductor Corp CY7C0852AV-133BBI -
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ECAD 2230 0,00000000 Cypress Semiconductor Corp. - Volume Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 172-LBGA CY7C0852 SRAM - Porta Dupla, Sincrona 3.135 V ~ 3.465 V 172-FBGA (15x15) - RoHS não compatível 3 (168 horas) REACH não afetado 3 133 MHz Volátil 4,5 Mbits SRAM 128K x 36 Paralelo - Não selecionado
N25Q064A13EV140 Micron Technology Inc. N25Q064A13EV140 -
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ECAD 5342 0,00000000 Micron Tecnologia Inc. - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 24-TBGA N25Q064A13 FLASH - NEM 2,7 V ~ 3,6 V 24-T-PBGA (6x8) - Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B1A 8542.32.0071 1 108 MHz Não volátil 64Mbps CLARÃO 16M x 4 IPS 8ms, 5ms
IS61LPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-250B3I -
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ECAD 1076 0,00000000 ISSI, solução integrada de silício Inc. - Bandeja Obsoleto -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 165-TBGA IS61LPS51236 SRAM - Sincrona, SDR 3.135 V ~ 3.465 V 165-TFBGA (13x15) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz Volátil 18Mbps 2,6ns SRAM 512 mil x 36 Paralelo -
W631GU6NB-15 Winbond Electronics W631GU6NB-15 3.2268
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ECAD 9214 0,00000000 Eletrônica Winbond - Bandeja Ativo 0°C ~ 95°C (TC) Montagem em superfície 96-VFBGA W631GU6 SDRAM-DDR3L 1.283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1.575 V 96-VFBGA (7,5x13) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 256-W631GU6NB-15 EAR99 8542.32.0032 198 667 MHz Volátil 1 Gbit 20 ns DRAM 64M x 16 Paralelo 15s
IS61LPD25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD25636A-200TQLI 15.4275
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ECAD 3269 0,00000000 ISSI, solução integrada de silício Inc. - Bandeja Ativo -40°C ~ 85°C (TA) Montagem em superfície 100-LQFP IS61LPD25636 SRAM - Sincrona, SDR 3.135 V ~ 3.465 V 100-LQFP (14x20) download Compatível com ROHS3 3 (168 horas) REACH não afetado 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz Volátil 9Mbit 3,1ns SRAM 256 mil x 36 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2.000+

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque