Tel: +86-0755-83501315
E-mail:sales@sic-components.com
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caixa | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CY7C1007B-15VC | 7.3300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de largura) | CY7C1007 | SRAM - Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 1M x 1 | Paralelo | 15s | ||||
![]() | MT53D512M64D8TZ-053 WT ES:B TR | - | ![]() | 4008 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D512 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | - | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 1.866 GHz | Volátil | 32 Gbits | DRAM | 512M x 64 | - | - | |||||
![]() | IS25WP128F-RHLE | 2.3339 | ![]() | 5919 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | FLASH-NEM (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 706-IS25WP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | SPI - E/S quádrupla, QPI, DTR | 40µs, 800µs | |||||||
![]() | S25FL128LAGMFA010 | - | ![]() | 4028 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FL128LAGMFA010 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS43TR82560B-125KBL-TR | - | ![]() | 6165 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 706-IS43TR82560B-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 2 Gbits | 20 ns | DRAM | 256M x 8 | Paralelo | 15s | ||
![]() | CY7C199NL-15ZXC | - | ![]() | 6577 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 28-TSSOP (0,465", 11,80 mm de largura) | CY7C199 | SRAM - Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP I | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 702 | Volátil | 256 Kbits | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | Paralelo | 15s | ||||
![]() | MT47H32M16BN-37E:DTR | - | ![]() | 3668 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (10x12,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 267 MHz | Volátil | 512Mbps | 500 CV | DRAM | 32M x 16 | Paralelo | 15s | |||
![]() | CY7C09289V-9AI | 72.2900 | ![]() | 296 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Bolsa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | CY7C09289 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 3V~3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 67 MHz | Volátil | 1Mbit | 9 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | - | Não selecionado | ||||
![]() | CAT24C01ZI-GT3 | - | ![]() | 4530 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) | CAT24C01 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-MSOP | download | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | Não volátil | 1Kbit | 900 ns | EEPROM | 128x8 | I²C | 5ms | ||||
![]() | S99KL512SC0BHV000 | - | ![]() | 3878 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado na SIC | - | Compatível com ROHS3 | REACH não afetado | 1 | |||||||||||||||||||||
![]() | AT93C46-10SC-2.7 | - | ![]() | 7011 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | 93C46 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 MHz | Não volátil | 1Kbit | EEPROM | 128x8, 64x16 | Serial de 3 fios | 10ms | ||||
![]() | NDQ46PFP-7XET | - | ![]() | 9887 | 0,00000000 | Corporação de Tecnologia Insignis | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | - | - | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7XET | OBSOLETO | 2.500 | 1.333 GHz | Volátil | 4 Gbits | 18 ns | DRAM | 256M x 16 | POD | 15s | |||||||
![]() | CY7C1021BV33L-15ZXI | 3.8100 | ![]() | 89 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1021 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 89 | Volátil | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 15s | ||||
![]() | A5184157-C | 17.5000 | ![]() | 5352 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-A5184157-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25N02KVTBIU TR | 4.0213 | ![]() | 4445 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | W25N02 | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (8x6) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W25N02KVTBIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Não volátil | 2 Gbits | 7 ns | CLARÃO | 256M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 700µs | ||
![]() | SMJ68CE16L-25JDM | 64.2200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Instrumentos Texas | * | Volume | Ativo | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049G30-10ZSXI | 6.8200 | ![]() | 45 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1049 | SRAM - Assíncrona | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | download | 45 | Volátil | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 8 | Paralelo | 10s | Não selecionado | ||||||||
![]() | S29GL064N90TFI020 | 11.3500 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | GL-N | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | S29GL064 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 2832-S29GL064N90TFI020 | 45 | Não volátil | 64Mbps | 90 ns | CLARÃO | 8M x 8, 4M x 16 | Paralelo | 90ns | Verificado | ||||||
| CAT25C08YGI-1.8 | - | ![]() | 9230 | 0,00000000 | Catalisador Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | CAT25C08 | EEPROM | 1,8 V ~ 6 V | 8-TSSOP | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 10 MHz | Não volátil | 8Kbit | EEPROM | 1 mil x 8 | IPS | 10ms | |||||
![]() | 7054S35PRF8 | - | ![]() | 8263 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 128-LQFP | 7054S35 | SRAM - Porta Quad, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 128-TQFP (14x20) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 32 Kbits | 35 ns | SRAM | 4K x 8 | Paralelo | 35 anos | ||||
| CAT24C128YIGT3JN | 0,5400 | ![]() | 3 | 0,00000000 | onsemi | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | CAT24C128 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1MHz | Não volátil | 128 Kbits | 400 ns | EEPROM | 16K x 8 | I²C | 5ms | ||||
| W631GG6NB11J TR | - | ![]() | 3623 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W631GG6NB11JTR | EAR99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 933 MHz | Volátil | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | SSTL_15 | 15s | |||
![]() | CP9024BTT | - | ![]() | 1746 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Descontinuado na SIC | CP9024 | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 800 | |||||||||||||||||||
![]() | MT46V64M8BN-75:D | - | ![]() | 5363 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 60-TFBGA | MT46V64M8 | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-FBGA (10x12,5) | - | Compatível com ROHS3 | 5 (48 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.000 | 133 MHz | Volátil | 512Mbps | 750 cv | DRAM | 64M x 8 | Paralelo | 15s | |||
![]() | 70V9369L9PFG | - | ![]() | 8861 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 70V9369 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 3V~3,6V | 100-TQFP (14x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Volátil | 288 Kbits | 9 ns | SRAM | 16K x 18 | Paralelo | - | ||||
![]() | S70KL1283DPBHV023 | 7.1750 | ![]() | 2414 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HyperRAM™ KL | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | 166 MHz | Volátil | 128Mbps | 36 ns | PSRAM | 16M x 8 | SPI - E/S octal | 36 segundos | ||||||
![]() | W25Q40EWSNBG | - | ![]() | 5141 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | W25Q40 | FLASH - NEM | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W25Q40EWSNBG | OBSOLETO | 1 | 104 MHz | Não volátil | 4Mbit | 6 ns | CLARÃO | 512K x 8 | SPI - E/S quádrupla, QPI | 30µs, 800µs | ||||
![]() | 71V3559S80PF | - | ![]() | 5095 | 0,00000000 | IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 4,5 Mbits | 8 ns | SRAM | 256K x 18 | Paralelo | - | ||||
![]() | IS49NLC93200A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 5598 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 706-IS49NLC93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | Volátil | 288Mbps | 20 ns | DRAM | 32M x 9 | HSTL | - | |||||
![]() | S29GL128P90FFSS00 | - | ![]() | 4578 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-P | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LBGA | S29GL128 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 2832-S29GL128P90FFSS00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | Não volátil | 128Mbps | 90 ns | CLARÃO | 16M x 8 | Paralelo | 90ns |

Volume médio diário de RFQ

Unidade de produto padrão

Fabricantes mundiais

Armazém em estoque
Lista de desejos (0 itens)