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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IDT71V432S7PF | - | ![]() | 6077 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | IDT71V432 | SRAM - Sincrona, SDR | 3,135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71V432S7PF | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 72 | Volátil | 1Mbit | 7 ns | SRAM | 32 mil x 32 | Paralelo | - | |||
![]() | 93LC66C-I/MS | 0,4100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", 3,00 mm de largura) | 93LC66 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-MSOP | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 93LC66C-I/MS-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3MHz | Não volátil | 4Kbit | EEPROM | 512x8, 256x16 | Microfio | 6ms | |||
![]() | IS46LR32160B-6BLA1 | - | ![]() | 3435 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 90-TFBGA | IS46LR32160 | SDRAM - LPDDR móvel | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Volátil | 512Mbps | 5,5ns | DRAM | 16M x 32 | Paralelo | 12s | |||
![]() | 24AA65T/SM | 2.2500 | ![]() | 7567 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | 24AA65 | EEPROM | 1,8 V ~ 6 V | 8-SOIJ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 24AA65T/SM-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.100 | 400 kHz | Não volátil | 64 Kbits | 900 ns | EEPROM | 8K x 8 | I²C | 5ms | ||
![]() | MTFC2GMDEA-0M WT | - | ![]() | 5737 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | e•MMC™ | Bandeja | Obsoleto | -25°C ~ 85°C (AT) | Montagem em superfície | 153-WFBGA | MTFC2G | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-WFBGA (11,5x13) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0036 | 1.520 | Não volátil | 16 Gbits | CLARÃO | 2G x 8 | MMC | - | |||||
![]() | AT45D011-JI | - | ![]() | 4763 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 32-LCC (condutor J) | AT45D011 | CLARÃO | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CLP (13,97x11,43) | download | RoHS não compatível | 2 (1 ano) | REACH não afetado | AT45D011JI | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | 15 MHz | Não volátil | 1Mbit | CLARÃO | 264 bytes x 512 páginas | IPS | 15ms | |||
![]() | MT53E128M16D1DS-053 IT:A TR | - | ![]() | 8662 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | MT53E128 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-WFBGA (10x14,5) | - | 3 (168 horas) | 557-MT53E128M16D1DS-053IT:ATR | OBSOLETO | 2.000 | 1.866 GHz | Volátil | 2 Gbits | DRAM | 128M x 16 | Paralelo | - | ||||||
| S70KL1282DPBHV020 | 7.1750 | ![]() | 1791 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HyperRAM™ KL | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | S70KL1282 | PSRAM (Pseudo SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 3.380 | 166 MHz | Volátil | 128Mbps | 36 ns | PSRAM | 16M x 8 | Hiperônibus | 36 segundos | ||||
![]() | A8711887-C | 63.5000 | ![]() | 1208 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-A8711887-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | STK22C48-SF25I | - | ![]() | 9421 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 28-SOIC (0,342", 8,69 mm de largura) | STK22C48 | NVSRAM (SRAM não volátil) | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 50 | Não volátil | 16 Kbits | 25 ns | NVSRAM | 2K x 8 | Paralelo | 25s | ||||
![]() | MT29F2G08ABAEAWP:E | 3.8500 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | MT29F2G08 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | Não volátil | 2 Gbits | CLARÃO | 256M x 8 | Paralelo | - | |||||
![]() | IDT71V25761SA200BQI | - | ![]() | 1649 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | IDT71V25761 | SRAM - Sincrona, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71V25761SA200BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 200 MHz | Volátil | 4,5 Mbits | 5 ns | SRAM | 128K x 36 | Paralelo | - | ||
![]() | AT45DQ321-SHD-B | - | ![]() | 7859 | 0,00000000 | Adesto Technologies | - | Tubo | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | AT45DQ321 | CLARÃO | 2,5 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Não volátil | 32Mbps | CLARÃO | 528 bytes x 8.192 páginas | IPS | 8µs, 4ms | ||||
![]() | MT55L256V32PT-6IT | 14.9900 | ![]() | 47 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | ZBT® | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Volátil | 8Mbit | 3,5ns | SRAM | 256 mil x 32 | Paralelo | - | ||||
![]() | 5962-9089904MTA | 100.8000 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Informações | MT28F010 | Volume | Ativo | -55°C ~ 125°C (TC) | Montagem em superfície | 32-LCC (condutor J) | CLARÃO | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 1 | Não volátil | 1Mbit | 120ns | CLARÃO | 128K x 8 | Paralelo | 120ns | |||||
![]() | 71V65603S133PF | 4.5000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 71V65603 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volátil | 9Mbit | 4,2ns | SRAM | 256 mil x 36 | Paralelo | - | |||
![]() | CY7C131-55JXI | - | ![]() | 6193 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 52-LCC (condutor J) | CY7C131 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-CLP (19,13x19,13) | download | Compatível com ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 23 | Volátil | 8Kbit | 55 ns | SRAM | 1 mil x 8 | Paralelo | 55ns | Não selecionado | |||||
![]() | C-2400D4DR8EN/8G | 105.0000 | ![]() | 2176 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-C-2400D4DR8EN/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | MT53E512M32D2FW-046 AUT:D | - | ![]() | 4416 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Volume | Última compra | -40°C ~ 125°C (TC) | Montagem em superfície | 200-TFBGA | SDRAM - LPDDR4X móvel | 1,06 V ~ 1,17 V | 200-TFBGA (10x14,5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT:D | 1 | 2.133 GHz | Volátil | 16 Gbits | 3,5ns | DRAM | 512M x 32 | Paralelo | 18 anos | ||||||||
![]() | IS49RL36160A-093FBLI | 103.6600 | ![]() | 119 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 168-LBGA | IS49RL36160 | RLDRAM3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5x13,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 706-IS49RL36160A-093FBLI | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Volátil | 576Mbps | 7,5ns | DRAM | 16M x 36 | Paralelo | - | ||
| MT53D768M64D8WF-053 WT:D | - | ![]() | 4896 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montagem em superfície | 376-WFBGA | MT53D768 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,1V | 376-WFBGA (14x14) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 1.866 GHz | Volátil | 48 Gbits | DRAM | 768M x 64 | - | - | |||||
![]() | S25FL127SABMFI000 | 2.5000 | ![]() | 6168 | 0,00000000 | Semicondutores NXP | - | Volume | Ativo | - | 2156-S25FL127SABMFI000 | 97 | ||||||||||||||||||||||
![]() | IS61WV25616BLL-10BLI | 4.2900 | ![]() | 275 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-TFBGA | IS61WV25616 | SRAM - Assíncrona | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volátil | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 10s | ||||
![]() | CY7C1041BV33L-15ZCT | 8.9600 | ![]() | 600 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1041 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-TSOP II | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 15s | ||||
![]() | CY7C1021CV33-12VC | 1.8100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | CY7C1021 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-SOJ | download | RoHS não compatível | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 166 | Volátil | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 12s | Não selecionado | |||||
![]() | CY7C0852AV-133BBI | - | ![]() | 2230 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 172-LBGA | CY7C0852 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 3.135 V ~ 3.465 V | 172-FBGA (15x15) | - | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3 | 133 MHz | Volátil | 4,5 Mbits | SRAM | 128K x 36 | Paralelo | - | Não selecionado | |||||
| N25Q064A13EV140 | - | ![]() | 5342 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 24-TBGA | N25Q064A13 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-T-PBGA (6x8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 MHz | Não volátil | 64Mbps | CLARÃO | 16M x 4 | IPS | 8ms, 5ms | |||||
![]() | IS61LPS51236A-250B3I | - | ![]() | 1076 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | IS61LPS51236 | SRAM - Sincrona, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volátil | 18Mbps | 2,6ns | SRAM | 512 mil x 36 | Paralelo | - | |||
| W631GU6NB-15 | 3.2268 | ![]() | 9214 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Bandeja | Ativo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1.283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W631GU6NB-15 | EAR99 | 8542.32.0032 | 198 | 667 MHz | Volátil | 1 Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Paralelo | 15s | |||
![]() | IS61LPD25636A-200TQLI | 15.4275 | ![]() | 3269 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | IS61LPD25636 | SRAM - Sincrona, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Volátil | 9Mbit | 3,1ns | SRAM | 256 mil x 36 | Paralelo | - |

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