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Memória(70500)
| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24LC01BT-I/MNY | 0,3400 |  | 57 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFFN | 24LC01B | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TDFN (2x3) | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 kHz | Não volátil | 1Kbit | 3,5µs | EEPROM | 128x8 | I²C | 5ms | ||
 | 7130SA100PF | - | | 3029 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 64-LQFP | 7130SA | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volátil | 8Kbit | 100 ns | SRAM | 1 mil x 8 | Paralelo | 100ns | |||
 | EMMC04G-MK27-C01C | 3.4700 | | 1 | 0,00000000 | Kingston | - | Bandeja | Ativo | -25°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 153-FBGA | FLASH NAND (MLC) | 1,8 V, 3,3 V | 153-FBGA (11,5x13x0,8) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3217-EMMC04G-MK27-C01C | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | Não volátil | 32 Gbits | CLARÃO | 4G x 8 | eMMC | |||||
 | MX25U25673GMI40 | 3.2300 | | 8490 | 0,00000000 | Macronix | MXSMIO® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm de largura) | FLASH-NEM (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 16-POP | - | 3 (168 horas) | 1092-MX25U25673GMI40 | 44 | 166 MHz | Não volátil | 256Mbps | 4 ns | CLARÃO | 64M x 4, 128M x 2, 256M x 1 | SPI - E/S quádrupla, QPI | 60µs, 750µs | ||||||
 | S26HL01GTFPBHM030 | 27.2300 | | 2989 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sempre™ | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 24-VBGA | FLASH-NEM (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (8x8) | download | 3 (168 horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.300 | 166 MHz | Não volátil | 1 Gbit | 6,5ns | CLARÃO | 128M x 8 | Hiperônibus | 1,7ms | |||||
 | CY7C1512TV18-250BZXC | - | | 4992 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1512 | SRAM - Sincrona, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | - | Compatível com ROHS3 | 2 (1 ano) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Volátil | 72Mbps | SRAM | 4M x 18 | Paralelo | - | |||
 | MT58L512L18FF-7.5 | 16.5800 | | 96 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | SINCURST® | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-TBGA | SRAM - Padrão | 3,135 V ~ 3,6 V | 165-FBGA (13x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Volátil | 8Mbit | 7,5ns | SRAM | 512K x 18 | Paralelo | - | |||
 | S29GL064S80TFIV60 | 4.6500 | | 9684 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | GL-S | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 56-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | S29GL064 | FLASH - NEM | 1,65 V ~ 3,6 V | 56-TSOP | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Não volátil | 64Mbps | 80 ns | CLARÃO | 4M x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | IDT71V016HSA12PH | - | | 1136 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | IDT71V016 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-TSOP II | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 71V016HSA12PH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 26 | Volátil | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 12s | ||
 | AT24C256BW-SH-B | - | | 6743 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | AT24C256 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 94 | 1MHz | Não volátil | 256 Kbits | 550 ns | EEPROM | 32K x 8 | I²C | 5ms | ||
| CY7C1412TV18-200BZC | - | | 8447 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 165-LBGA | CY7C1412 | SRAM - Sincrona, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | - | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volátil | 36Mbps | SRAM | 2M x 18 | Paralelo | - | |||
| AS6C4016B-45BIN | 5.3700 | | 7 | 0,00000000 | Aliança memória, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 80°C (TA) | Montagem em superfície | 48-LFBGA | SRAM - Assíncrona | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 1450-AS6C4016B-45BIN | 8542.32.0041 | 480 | Volátil | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 45ns | |||||
 | 7008S25PFG | - | | 3830 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 7008S25 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7008S25PFG | OBSOLETO | 1 | Volátil | 512 Kbits | 25 ns | SRAM | 64K x 8 | Paralelo | 25s | ||||||
| 71V546X5S133PFG | - | | 5205 | 0,00000000 | IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. | - | Volume | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | 71V546 | SRAM - Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 1 | 133 MHz | Volátil | 4,5 Mbits | 4,2ns | SRAM | 128K x 36 | Paralelo | - | ||||
 | AS7C34098B-10TIN | 5.3647 | | 2265 | 0,00000000 | Aliança memória, Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | AS7C34098 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 44-TSOP2 | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volátil | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 10s | |||
| MT41K512M16TNA-125 IT:E TR | - | | 5519 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (10x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 800 MHz | Volátil | 8 Gbits | 13,5s | DRAM | 512M x 16 | Paralelo | - | ||
| MT41K256M16HA-125 XIT:E TR | - | | 9742 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (9x14) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Volátil | 4 Gbits | 13,75ns | DRAM | 256M x 16 | Paralelo | - | |||
 | CY7C025-15AC | - | | 1803 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bolsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 100-LQFP | CY7C025 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 180 | Volátil | 128 Kbits | 15 ns | SRAM | 8K x 16 | Paralelo | 15s | |||
| 7005S35JI | - | | 9521 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 68-LCC (condutor J) | 7005S35 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-CLP (24,21x24,21) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volátil | 64 Kbits | 35 ns | SRAM | 8K x 8 | Paralelo | 35 anos | |||
 | EMMC64G-IX29-8AC01 | 23.7300 | | 6242 | 0,00000000 | Kingston | I-Temp e•MMC™ | Bandeja | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 153-BGA | EMMC64G | FLASH NAND (TLC) | 1,8 V ~ 3,3 V | 153-FBGA (11,5x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 3217-EMMC64G-IX29-8AC01 | EAR99 | 8542.31.0001 | 1 | Não volátil | 512 GB | CLARÃO | 64G x 8 | eMMC | |||||
 | 70V658S10BF | 188.0752 | | 8508 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 208-LFBGA | 70V658 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 3,15 V ~ 3,45 V | 208-CABGA (15x15) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | Volátil | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 36 | Paralelo | 10s | |||
 | RM25C64DS-LTAI-B | - | | 1735 | 0,00000000 | Adesto Technologies | Mavriq® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | RM25C64 | CBRAM | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-TSSOP | - | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | 1265-1253 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 MHz | Não volátil | 64 Kbits | CBRAM® | Tamanho da página de 32 bytes | IPS | 100µs, 2,5ms | ||
 | SST26WF016BT-104I/SN | 1.8450 | | 4618 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | SST26 SQI® | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | SST26WF016 | CLARÃO | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.300 | 104 MHz | Não volátil | 16Mbps | CLARÃO | 2M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 1,5ms | |||
 | FM24C02ULZEM8 | 0,3300 | | 1105 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm de largura) | FM24C02 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | Não volátil | 2Kbit | 3,5µs | EEPROM | 128x16 | I²C | 15ms | ||
| IS61WV51216EEALL-20TLI | 7.4957 | | 7133 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | SRAM - Assíncrona | 1,65 V ~ 2,2 V | 44-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 706-IS61WV51216EEALL-20TLI | 135 | Volátil | 8Mbit | 20 ns | SRAM | 512 mil x 16 | Paralelo | 20 segundos | ||||||
 | 71V016SA10YG | - | | 7664 | 0,00000000 | IDT, tecnologia de dispositivos integrados Inc. | - | Volume | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm de largura) | 71V016 | SRAM - Assíncrona | 3,15 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | download | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Paralelo | 10s | ||||||
 | MT53B4DBNQ-DC TR | - | | 8144 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | Montagem em superfície | 200-VFBGA | MT53B4 | SDRAM-LPDDR4 móvel | 200-VFBGA (10x14,5) | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | Volátil | DRAM | ||||||||||
 | R1EX24128ASAS0A#S0 | 4.2300 | | 1 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | * | Volume | Ativo | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | |||||||||||||||||
 | A5816804-C | 44.5000 | | 9890 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-A5816804-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AS7C3256A-20JINTR | 2.3547 | | 5476 | 0,00000000 | Aliança memória, Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de largura) | AS7C3256 | SRAM - Assíncrona | 3V~3,6V | 28-SOJ | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 256 Kbits | 20 ns | SRAM | 32K x 8 | Paralelo | 20 segundos |
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