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| Imagem | Número do produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade disponível | Peso (Kg) | Fabricante | Série | Pacote | Estado do produto | Temperatura operacional | Tipo de montagem | Pacote/Caso | Número básico do produto | Tecnologia | Tensão - Alimentação | Pacote de dispositivos do fornecedor | Ficha de dados | Estado RoHS | Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | Estado do REACH | Outros nomes | ECCN | HTSU | Pacote Padrão | Frequência do relógio | Tipo de memória | Tamanho da memória | Tempo de acesso | Formato de memória | Organização da Memória | Interface de memória | Tempo de ciclo de gravação - palavra, página | SIC programável |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MX25U3235EM2I-10G | - | ![]() | 8168 | 0,00000000 | Macronix | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | MX25U3235 | FLASH - NEM | 1,65 V ~ 2 V | 8-POP | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 92 | 104 MHz | Não volátil | 32Mbps | CLARÃO | 4M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 30µs, 3ms | |||||
![]() | CG7451AF | - | ![]() | 7896 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | - | Volume | Ativo | - | Não aplicável | 1 (ilimitado) | Fornecedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | GD5F2GQ5UEYIHR | 3.9884 | ![]() | 8162 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5UEYIHRTR | 3.000 | 104 MHz | Não volátil | 2 Gbits | 9 ns | CLARÃO | 512M x 4 | SPI - E/S quádrupla, QPI, DTR | 600µs | ||||||||
| 7008L20J | - | ![]() | 1711 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 84-LCC (condutor J) | 7008L20 | SRAM - Porta Dupla, Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-CLP (29,31x29,31) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 9 | Volátil | 512 Kbits | 20 ns | SRAM | 64K x 8 | Paralelo | 20 segundos | |||||
![]() | AT49F008AT-12TC | 11.2100 | ![]() | 117 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Bandeja | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montagem em superfície | 40-TFSOP (0,724", 18,40 mm de largura) | AT49F008 | CLARÃO | 4,5 V ~ 5,5 V | 40-TSOP | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Não volátil | 8Mbit | 120ns | CLARÃO | 1M x 8, 512K x 16 | Paralelo | 50µs | ||||
![]() | GD5F1GM7UEYIGY | 2.0634 | ![]() | 8752 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD5F | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | FLASH NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | download | 1970-GD5F1GM7UEYIGY | 4.800 | 133 MHz | Não volátil | 1 Gbit | 7 ns | CLARÃO | 256M x 4 | SPI - E/S quádrupla, DTR | 600µs | ||||||||
![]() | W25Q256JVEAQ | - | ![]() | 5686 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | Almofada exposta 8-WDFN | W25Q256 | FLASH - NEM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (8x6) | - | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 256-W25Q256JVEAQ | 1 | 133 MHz | Não volátil | 256Mbps | 6 ns | CLARÃO | 32M x 8 | SPI - E/S quádrupla | 3ms | |||||
| 24CS256T-E/OT | 0,9300 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologia de Microchip | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | SC-74A, SOT-753 | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR | 1,7 V ~ 5,5 V | SOT-23-5 | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 1MHz | Não volátil | 256 Kbits | 400 ns | EEPROM | 32K x 8 | I²C | 5ms | |||||
![]() | W98AD2KBJX6E TR | - | ![]() | 9224 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | ||||||||||||||||||
![]() | MEM-DR316L-CL02-ER16-C | 48.5000 | ![]() | 9683 | 0,00000000 | ProLabs | * | Pacote de varejo | Ativo | - | Compatível com RoHS | 4932-MEM-DR316L-CL02-ER16-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| IS64WV20488BLL-10CTLA3 | 25.7125 | ![]() | 3213 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Tubo | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | IS64WV20488 | SRAM - Assíncrona | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volátil | 16Mbps | 10 ns | SRAM | 2M x 8 | Paralelo | 10s | |||||
![]() | CY62167DV20LL-5BVI | - | ![]() | 2072 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | MoBL2™ | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-VFBGA | CY62167 | SRAM - Assíncrona | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-VFBGA (8x9,5) | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 16Mbps | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
![]() | IS43TR16128DL-125KBL-TR | 3.3306 | ![]() | 9743 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 706-IS43TR16128DL-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Volátil | 2 Gbits | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Paralelo | 15s | ||
![]() | W25X40VSSIG | - | ![]() | 5153 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | W25X40 | CLARÃO | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | Não volátil | 4Mbit | CLARÃO | 512K x 8 | IPS | 3ms | ||||
![]() | CY7C199C-12VXCT | - | ![]() | 3983 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm de largura) | CY7C199 | SRAM - Assíncrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | download | Compatível com ROHS3 | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 256 Kbits | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | Paralelo | 12s | ||||
![]() | E32030110852 | - | ![]() | 3445 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Última compra | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 IT:B TR | 99.5250 | ![]() | 6240 | 0,00000000 | Micron Tecnologia Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 95°C | - | - | SDRAM-LPDDR5 móvel | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023IT:BTR | 2.000 | 4.266 GHz | Volátil | 128 GB | DRAM | 4G x 32 | Paralelo | - | |||||||||
![]() | S99GL128P0173 | 4.0100 | ![]() | 127 | 0,00000000 | Expansão | GL-P | Volume | Ativo | - | S99GL128 | FLASH - NEM | - | - | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | 1 | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 8M x 16 | Paralelo | - | ||||||||||
| IS64LV25616AL-12TLA3-TR | 9.0000 | ![]() | 8168 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montagem em superfície | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | IS64LV25616 | SRAM - Assíncrona | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volátil | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Paralelo | 12s | |||||
![]() | IS42S16100H-7TLI | 1.4600 | ![]() | 6973 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm de largura) | IS42S16100 | SDRAM | 3V~3,6V | 50-TSOP II | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | Volátil | 16Mbps | 5,5ns | DRAM | 1m x 16 | Paralelo | - | |||
![]() | S99AL016J0263 | - | ![]() | 8365 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Obsoleto | - | RoHS não compatível | 1 (ilimitado) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | W972GG8JB25I TR | - | ![]() | 4981 | 0,00000000 | Eletrônica Winbond | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montagem em superfície | 60-TFBGA | W972GG8 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-WBGA (11x11,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 200 MHz | Volátil | 2 Gbits | 400 CV | DRAM | 256M x 8 | Paralelo | 15s | |||
![]() | IS43LD16640A-3BLI | - | ![]() | 6668 | 0,00000000 | ISSI, solução integrada de silício Inc. | - | Bandeja | Descontinuado na SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 134-TFBGA | IS43LD16640 | SDRAM - LPDDR2 móvel | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | EAR99 | 8542.32.0032 | 171 | 333 MHz | Volátil | 1 Gbit | DRAM | 64M x 16 | Paralelo | 15s | ||||
![]() | CG8414AAT | - | ![]() | 9708 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita e Carretel (TR) | Obsoleto | - | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 750 | ||||||||||||||||||
| CAT25080YI-G | - | ![]() | 9734 | 0,00000000 | Catalisador Semiconductor Inc. | - | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 8-TSSOP (0,173", 4,40 mm de largura) | CAT25080 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | download | Não aplicável | 3 (168 horas) | Fornecedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Não volátil | 8Kbit | EEPROM | 1 mil x 8 | IPS | 5ms | ||||||
![]() | NLQ26PFS-8NAT TR | 12.4700 | ![]() | 5179 | 0,00000000 | Corporação de Tecnologia Insignis | Automotivo, AEC-Q100 | Fita e Carretel (TR) | Ativo | -40°C ~ 105°C (TC) | Montagem em superfície | 200-WFBGA | SDRAM-LPDDR4 móvel | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-FBGA (10x14,5) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | 2.000 | 1,2 GHz | Volátil | 2 Gbits | 3,5ns | DRAM | 128M x 16 | LVSTL | 18 anos | |||||||
| 70V3589S133BC | 179.1575 | ![]() | 3235 | 0,00000000 | Renesas Electronics América Inc. | - | Bandeja | Ativo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montagem em superfície | 256-LBGA | 70V3589 | SRAM - Porta Dupla, Sincrona | 3,15 V ~ 3,45 V | 256-CABGA (17x17) | download | RoHS não compatível | 4 (72 horas) | REACH não afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 133 MHz | Volátil | 2Mbit | 4,2ns | SRAM | 64K x 36 | Paralelo | - | ||||
![]() | SFEM020GB1ED1TO-I-6F-11P-STD | 38.7000 | ![]() | 120 | 0,00000000 | Swissbit | EM-36 | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 85°C | Montagem em superfície | 153-TFBGA | SFEM020 | FLASH NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-BGA (11,5x13) | download | Compatível com ROHS3 | 3 (168 horas) | REACH não afetado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 MHz | Não volátil | 160 GB | CLARÃO | 20G x 8 | eMMC | - | ||||
![]() | S25FS128SAGMFV100 | 3.7759 | ![]() | 481 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | FS-S | Bandeja | Ativo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montagem em superfície | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm de largura) | S25FS128 | FLASH - NEM | 1,7 V ~ 2 V | 8-SOIC | download | RoHS não compatível | Fornecedor indefinido | 1 | 133 MHz | Não volátil | 128Mbps | CLARÃO | 16M x 8 | SPI - E/S quádrupla, QPI | - | Não selecionado | ||||||
![]() | CY62168DV30L-70BVI | - | ![]() | 4869 | 0,00000000 | Cypress Semiconductor Corp. | MoBL® | Volume | Ativo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montagem em superfície | 48-VFBGA | CY62168 | SRAM - Assíncrona | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (8x9,5) | download | RoHS não compatível | 3 (168 horas) | REACH afetado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volátil | 16Mbps | 70 ns | SRAM | 2M x 8 | Paralelo | 70ns |

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