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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 94-4156pbf | - |  | 2815 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR3704 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 20 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1996 pf @ 10 V | - | 90W (TC) | ||||||||||||
 | Ixta3n100d2-trl | 3.7112 | | 6244 | 0,00000000 | Ixys | Esgotamento | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTA3N100D2-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 1000 v | 3a (TJ) | 0v | 6ohm @ 1.5a, 0v | 4.5V a 250µA | 37,5 nc @ 5 V | ± 20V | 1020 pf @ 25 V | Modo de Esgotamento | 125W (TC) | |||||||||||
 | DMN2710UWQ-7 | 0,0564 | | 4236 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | DMN2710 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-DMN2710UWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 900mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 450mohm a 600mA, 4,5V | 1V a 250µA | 0,6 nc @ 4,5 V | ± 6V | 42 pf @ 16 V | - | 470MW (TA) | ||||||||||
 | AO3415_108 | - | | 7428 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | AO34 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4a (ta) | |||||||||||||||||||||||||||
 | SI3460BDV-T1-BE3 | 0,9100 | | 48 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SI3460BDV-T1-BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6.7a (ta), 8a (tc) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V a 250µA | 24 nc @ 8 V | ± 8V | 860 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3,5W (TC) | |||||||||||||
 | STW18NM80 | 7.6800 | | 7149 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | STW18 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-10085-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 17a (TC) | 10V | 295mohm @ 8.5a, 10V | 5V A 250µA | 70 nc @ 10 V | ± 30V | 2070 pf @ 50 V | - | 190W (TC) | ||||||||||
 | DMTH10H015SPS-13 | 0,4495 | | 4919 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 8.4a (ta), 50.5a (tc) | 6V, 10V | 14.5mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 30,1 nc @ 10 V | ± 20V | 2343 pf @ 50 V | - | 1.5W (TA), 55W (TC) | |||||||||||
 | IRFAE42 | - | | 1351 | 0,00000000 | Retificador Internacional | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 800 v | 4.4a | - | - | - | - | - | 125W | |||||||||||||||||
 | STH360N4F6-2 | 7.2100 | | 919 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STH360 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | H2PAK-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 180A (TC) | 10V | 1.25mohm @ 60a, 10V | 4.5V a 250µA | 340 nc @ 10 V | ± 20V | 17930 PF @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | IPA70R600P7SXKSA1 | 1.2400 | | 187 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA70R600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-FP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 700 v | 8.5a (TC) | 10V | 600mohm @ 1.8a, 10V | 3,5V a 90µA | 10,5 nc @ 10 V | ± 16V | 364 pf @ 400 V | - | 25W (TC) | |||||||||||
 | IPI60R520CPAKSA1 | - | | 6193 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IPI60R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 6.8a (TC) | 10V | 520mohm @ 3.8a, 10V | 3.5V @ 340µA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 630 PF @ 100 V | - | 66W (TC) | ||||||||||||
 | NTHL060N065SC1 | 16.9800 | | 560 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NTHL060N065SC1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 47a (TC) | 15V, 18V | 70mohm @ 20a, 18V | 4.3V @ 6.5MA | 74 NC @ 18 V | +22V, -8V | 1473 pf @ 325 V | - | 176W (TC) | |||||||||||
 | IRF6726MTRPBF | 1.5100 | | 3 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ ISOMETRIC MT | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ MT | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 199 | N-canal | 30 v | 32A (TA), 180A (TC) | 4.5V, 10V | 1.7mohm @ 32a, 10V | 2,35V a 150µA | 77 NC @ 4,5 V | ± 20V | 6140 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||||
 | PSMN018-100ESFQ | 0,3700 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-PSMN018-100ESFQ-954 | 1 | N-canal | 100 v | 53A (TA) | 7V, 10V | 18mohm @ 15a, 10V | 4V @ 1MA | 21,4 NC a 10 V | ± 20V | 1482 pf @ 50 V | - | 111W (TA) | ||||||||||||||
| IPB80R290C3AATMA1 | - | | 9854 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | IPB80R | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | C3M0016120K | 82.8800 | | 741 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | C3M0016120 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-4L | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 v | 115a (TC) | 15V | 22.3mohm @ 75a, 15V | 3.6V @ 23Ma | 211 nc @ 15 V | +15V, -4V | 6085 pf @ 1000 V | - | 556W (TC) | ||||||||||||
| IXTM1712 | - | | 8957 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | Ixtm17 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||
| BLC2425M10LS250Y | 85.4400 | | 7309 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1270-1 | BLC2425 | 2,4 GHz ~ 2,5 GHz | LDMOS | SOT-1270-1 | - | ROHS3 Compatível | 1603-BLC2425M10LS250YTR | 100 | N-canal | 2.8µA | 100 ma | 250W | 14.4db | - | 32 v | |||||||||||||||||
 | IXFT4N100Q | - | | 4613 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | Ixft4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-268AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | 4a (TC) | 10V | 3ohm @ 2a, 10V | 5V A 1,5mA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1050 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||
 | BLC9H10XS-505AZ | 94.8300 | | 43 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | * | Bandeja | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | SOT-1273-1 | BLC9 | SOT1273-1 | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | ||||||||||||||||||||||||
 | UF3C170400K3S | 9.0500 | | 14 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | UF3C170400 | Sicfet (cascode sicjfet) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 2312-UF3C170400K3S | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1700 v | 7.6a (TC) | 12V | 515mohm @ 5a, 12v | 6V @ 10Ma | 27,5 nc @ 15 V | ± 25V | 740 pf @ 100 V | - | 100w (TC) | |||||||||||
 | CGHV1J070D-GP4 | 106.8540 | | 110 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 100 v | Morrer | CGHV1 | 18 GHz | Hemt | Morrer | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | CGHV1J070D | Disco 3A001B3 | 8541.29.0075 | 10 | - | 360 mA | 70W | 17db | - | 40 v | ||||||||||||||||
 | MRF8S18120HSR3 | - | | 7139 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | NI-780S | MRF8 | 1,81 GHz | LDMOS | NI-780S | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8541.29.0075 | 250 | - | 800 mA | 72W | 18.2dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | SUM90142E-GE3 | 3.2700 | | 8011 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | SUM90142 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 15mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 87 nc @ 10 V | ± 20V | 3120 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||
 | IPB80N03S4L02ATMA1 | 1.5551 | | 3456 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB80N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 30 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 80a, 10V | 2.2V @ 90µA | 140 nc @ 10 V | ± 16V | 9750 PF @ 25 V | - | 136W (TC) | |||||||||||
 | FQPF13N50 | 1.2500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220F-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 12.5a (TC) | 10V | 430mohm @ 6.25a, 10V | 5V A 250µA | 60 nc @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 56W (TC) | ||||||||||||||
| IRFR2307ZTRLPBF | 1.6500 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR2307 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 v | 42a (TC) | 10V | 16mohm @ 32a, 10V | 4V @ 100µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 2190 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
 | BF998.235 | - | | 3474 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 12 v | Montagem na Superfície | TO-253-4, TO-253AA | BF998 | 200MHz | MOSFET | SOT-143B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934002640235 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-Canal Portão Duplo | 30Ma | 10 MA | - | - | 0,6dB | 8 v | |||||||||||||
 | CSD18540Q5B | 2.6700 | | 3 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD18540 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 100a (ta) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 28a, 10V | 2.3V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 20V | 4230 PF @ 30 V | - | 3.1W (TA), 195W (TC) | |||||||||||
 | BUK7Y2R0-40HX | 2.5500 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | Buk7Y2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 120A (TA) | 10V | 2mohm @ 25a, 10V | 3.6V @ 1Ma | 90,5 nc @ 10 V | +20V, -10V | 5450 PF @ 25 V | - | 217W (TA) |
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