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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS4321pbf | - |  | 8134 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 150 v | 85a (TC) | 10V | 15mohm @ 33a, 10V | 5V A 250µA | 110 nc @ 10 V | ± 30V | 4460 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | |||||||||||||
 | FDMD8280 | - | | 7510 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-POWERWDFN | FDMD82 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 12-power3.3x5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 11a | 8.2mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 44NC @ 10V | 3050pf @ 40V | - | ||||||||||||||
 | BLP7G07S-140PY | - | | 2135 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | SOT-1223-1 | BLP7G07 | 724MHz ~ 769MHz | LDMOS | 4-HSOPF | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | Fonte Dupla E Comum | - | 1.2 a | 35W | 20.9dB | - | 28 v | ||||||||||||||||
 | ICE10N60FP | 1.7300 | | 500 | 0,00000000 | Tecnologia da Icemos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | 5133-Ice10n60fp | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 330mohm @ 5a, 10V | 3,9V a 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 1250 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||||
 | IXTK17N120L | 46.4000 | | 297 | 0,00000000 | Ixys | Linear | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | Ixtk17 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-264 (IXTK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -Ixtk17n120l | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 1200 v | 17a (TC) | 20V | 900mohm @ 8.5a, 20V | 5V A 250µA | 155 nc @ 15 V | ± 30V | 8300 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | |||||||||||
 | ICE20N170 | - | | 3993 | 0,00000000 | Tecnologia da Icemos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | 5133-IC20N170 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 10V | 199mohm @ 10a, 10V | 3,9V a 250µA | 59 NC @ 10 V | ± 20V | 2064 pf @ 25 V | - | 236W (TC) | |||||||||||||||
 | FDD390N15ALZ | 1.5400 | | 3141 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FDD390 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 150 v | 26a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 26a, 10V | 2,8V a 250µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 1760 pf @ 75 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||
 | PJS6600_S1_00001 | 0,4600 | | 5 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | PJS6600 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W (TA) | SOT-23-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 1.6a (ta), 1.1a (ta) | 200mohm @ 1.6a, 4.5V, 370mohm @ 1.1a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 1.5NC @ 4.5V, 1.6NC @ 4.5V | 93pf @ 15V, 125pf @ 15V | - | ||||||||||||||
 | ZXMN3A04DN8TA | 1.7300 | | 20 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Zxmn3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.81W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.5a | 20mohm @ 12.6a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 36.8NC @ 10V | 1890pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | Pmpb14xpx | 0,5300 | | 14 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | PMPB14 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN2020MD-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 12.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 19mohm @ 8.6a, 4.5V | 950MV A 250µA | 42 NC a 4,5 V | ± 8V | 2303 pf @ 6 V | - | 3.9W (TA) | ||||||||||||
 | IRF7343QTRPBF | - | | 9892 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF734 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 55V | 4.7a, 3.4a | 50mohm @ 4.7a, 10V | 1V a 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | - | ||||||||||||||||
 | DMPH2040UVTQ-7 | 0,5600 | | 2571 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMPH2040 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 5.6a (ta), 11.7a (tc) | 2.5V, 4.5V | 38mohm @ 8.9a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 19 NC @ 8 V | ± 12V | 834 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | AON7534 | 0,6300 | | 118 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | AON75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN-EP (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 30 v | 20A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1037 PF @ 15 V | - | 3W (TA), 23W (TC) | ||||||||||||
 | Nvmfs6b14nwft3g | - | | 7459 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 55a (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 16V | 1300 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 94W (TC) | ||||||||||||
 | SI4467DYBAA005AP | - | | 6870 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | - | - | SI4467 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-SI4467DYBAA005APTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||
 | BG3430Re6327HTSA1 | - | | 9214 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 8 v | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 800MHz | MOSFET | PG-SOT363-PO | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 25Ma | 14 MA | - | 25dB | 1.3dB | 5 v | |||||||||||||||||
 | FDP12N60NZ | 2.2000 | | 156 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet-ii ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FDP12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10V | 5V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1676 pf @ 25 V | - | 240W (TC) | ||||||||||||
 | IRFH7911TRPBF | - | | 1792 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 18-powervqfn | IRFH7911 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W, 3,4W | PQFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | SP001577920 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 13a, 28a | 8.6mohm @ 12a, 10V | 2.35V @ 25µA | 12NC @ 4.5V | 1060pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
| IPL65R165CFDAUMA2 | 2.4916 | | 3744 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CFD2 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-Powertsfn | IPL65R | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-vson-4 | download | ROHS3 Compatível | 2a (4 semanas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 v | 21.3a (TC) | 10V | 165mohm @ 9.3a, 10V | 4.5V A 900µA | 86 nc @ 10 V | ± 20V | 2340 pf @ 100 V | - | 195W (TC) | ||||||||||||
 | IPP120N06S4H1AKSA1 | - | | 9186 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP120N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 21900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | HUF76419D3ST | 0,2500 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 20a (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 27,5 nc @ 10 V | ± 16V | 900 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
 | ATF-35143-BLKG | - | | 7928 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tira | Obsoleto | 5,5 v | SC-82A, SOT-343 | ATF-35143 | 2GHz | phemt fet | SOT-343 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 100 | 80mA | 15 MA | 10dBM | 18dB | 0,4dB | 2 v | ||||||||||||||||||
| ARF1519 | - | | 1730 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | 1000 v | Morrer | ARF1519 | 13.56MHz | MOSFET | Morrer | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | ARF1519MS | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N-canal | 20a | 750W | 20dB | - | 200 v | ||||||||||||||||
 | IXFN44N80 | 50.1440 | | 6444 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Ixfn44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 800 v | 44a (TC) | 10V | 165mohm @ 500mA, 10V | 4.5V @ 8Ma | 380 nc @ 10 V | ± 20V | 10000 pf @ 25 V | - | 700W (TC) | ||||||||||||
| AONS36386 | - | | 6182 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | AONS363 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-AONS36386TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||
 | Rsr020p05hzgtl | 0,6500 | | 4719 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-96 | RSR020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSMT3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 45 v | 2a (ta) | 4V, 10V | 190mohm @ 2a, 10V | 3V @ 1Ma | 4,5 nc @ 4,5 V | ± 20V | 500 pf @ 10 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
 | IPD65R950CFDATMA1 | 0,6380 | | 5512 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD65R950 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 650 v | 3.9a (TC) | 10V | 950mohm @ 1.5a, 10V | 4.5V @ 200µA | 14,1 nc @ 10 V | ± 20V | 380 pf @ 100 V | - | 36.7W (TC) | ||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | 4.9700 | | 494 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP015 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.5mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 250 nc @ 10 V | ± 20V | 20000 pf @ 20 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
| 2SK1589-T2B-A | 0,2400 | | 38 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | BF245A, 126 | - | | 1604 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | 30 v | Através do buraco | TO-226-3, parágrafo 92-3 (TO-226AA) Formou Leads | BF245 | 100MHz | JFET | TO-92-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 933171550126 | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 6.5mA | - | - | 1.5dB | 15 v |
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