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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPCC8105, L1Q (CM | - |  | 1963 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | TPCC8105 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Adiantamento 8-Tson (3,3x3.3) | - | 1 (ilimito) | 264-TPCC8105L1Q (CMTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 23a (TA) | 4.5V, 10V | 7.8mohm @ 11.5a, 10V | 2V @ 500µA | 76 nc @ 10 V | +20V, -25V | 3240 pf @ 10 V | - | 700MW (TA), 30W (TC) | |||||||||||||
 | DMN2024UFDF-13 | 0,1034 | | 7552 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMN2024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N-canal | 20 v | 7.1a (ta) | 1.5V, 4.5V | 22mohm @ 4a, 4.5V | 1V a 250µA | 0,9 nc @ 10 V | ± 10V | 647 pf @ 10 V | - | 960MW (TA) | ||||||||||||
| CP398X-CPDM303-CT20 | - | | 3771 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Volume | Ativo | - | - | - | Cp398 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | STB270N4F3 | 4.6200 | | 5 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, Stripfet ™ III | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STB270 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 160A (TC) | 10V | 2.5mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 150 nc @ 10 V | ± 20V | 7400 pf @ 25 V | - | 330W (TC) | ||||||||||||
 | IPD30N03S2L20ATMA1 | 1.3900 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPD30N03 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-11 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 30a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 18a, 10V | 2V @ 23µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 530 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||||||||||
| IRF623 | 0,3300 | | 1757 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 737 | N-canal | 150 v | 4a (TC) | 10V | 1.2OHM @ 2.5A, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 450 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | |||||||||||||
| IPF041N10NF2SATMA1 | - | | 2528 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NTHD3102CT1G | 1.0700 | | 1 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | NTHD3102 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 4a, 3.1a | 45mohm @ 4.4a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 7.9nc @ 4.5V | 510pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | DMNH4011SK3-13 | - | | 2844 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMNH4011 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DMNH4011SK3-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 10V | 10mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 25,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1405 PF @ 20 V | - | 2.6W (TA) | |||||||||||
| AOB2140L | 1.8278 | | 2024 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AOB21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-AOB2140LTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 57a (TA), 195a (TC) | 4.5V, 10V | 1.5mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 9985 PF @ 20 V | - | 8.3W (TA), 272W (TC) | ||||||||||||
 | AO4496_101 | - | | 6354 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 10a (ta) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 715 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA) | |||||||||||||
 | ISC036N04NM5ATMA1 | 1.2200 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ -5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | ISC036N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8 fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 21a (ta), 98a (tc) | 7V, 10V | 3.6mohm @ 49a, 10V | 3.4V @ 23µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 20 V | - | 3W (TA), 63W (TC) | ||||||||||||
 | MCQ4503B-TP | 0,4600 | | 632 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MCQ4503 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MCQ4503B-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 30V | 5.6a (ta), 4.4a (ta) | 25mohm @ 5.6a, 10V | 1,5V a 250µA, 1,4V a 250µA | 4.8NC @ 4.5V, 7.2NC @ 10V | 535pf @ 15V, 680pf @ 15V | - | |||||||||||||
| FW803-TL-E | 0,8300 | | 10 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | FW803 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRFD323 | 1.4000 | | 982 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-DIP, HEXDIP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 350 v | 400mA (TC) | 10V | 2.5OHM @ 250MA, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 455 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||||||||||
 | IRF8308MTRPBF | - | | 2123 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | IRF8308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001570686 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 30 v | 27a (ta), 150a (tc) | 4.5V, 10V | 2.5mohm @ 27a, 10V | 2.35V @ 100µA | 42 NC a 4,5 V | ± 20V | 4404 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||
 | Buk7675-55a, 118 | 1.2000 | | 2386 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Buk7675 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 20.3a (TC) | 10V | 75mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 483 pf @ 25 V | - | 62W (TC) | |||||||||||||
 | 2SJ328-AZ | 2.7800 | | 8 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Obsoleto | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | IXKP13N60C5 | - | | 7991 | 0,00000000 | Ixys | Coolmos ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixkp13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 13a (TC) | 10V | 300mohm @ 6.6a, 10V | 3.5V @ 440µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 100 V | - | - | ||||||||||||
| IPDQ60R020CFD7XTMA1 | 22.3400 | | 1593 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módulo 22-powerBsop | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HDDDSOP-22-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 600 v | 112a (TC) | 10V | 20mohm @ 42.4a, 10V | 4.5V @ 2.12Ma | 186 NC @ 10 V | ± 20V | 7395 PF @ 400 V | - | 543W (TC) | |||||||||||||
 | R6004ENX | 1.6400 | | 109 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6004 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 4a (TC) | 10V | 980mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 1MA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 250 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
| IXTV18N60PS | - | | 6563 | 0,00000000 | Ixys | PolarHV ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Plus-220SMD | Ixtv18 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus-220SMD | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 18a (TC) | 10V | 420mohm @ 9a, 10V | 5,5V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 2500 pf @ 25 V | - | 360W (TC) | |||||||||||||
 | DMN6017SFV-7 | 0,2723 | | 6635 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMN6017 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi3333-8 (Tipo UX) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 2711 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | CGH55015F2 | 94.4000 | | 1 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Bandeja | Ativo | 84 v | 440166 | CGH55015 | 5,65 GHz | Hemt | 440166 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 60 | - | 200 MA | 12.5W | 12dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | SI4196DY-T1-E3 | - | | 9485 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4196 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 20 v | 8a (TC) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 8a, 4.5V | 1V a 250µA | 22 NC @ 8 V | ± 8V | 830 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 4,6W (TC) | ||||||||||||
 | STD25NF10T4 | 1.8400 | | 6337 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 25a (TC) | 10V | 38mohm @ 12.5a, 10V | 4V A 250µA | 55 nc @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 25 V | - | 100w (TC) | ||||||||||||
 | BUK7E2R6-60E, 127 | - | | 6363 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.6mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 158 nc @ 10 V | ± 20V | 11180 pf @ 25 V | - | 349W (TC) | |||||||||||||
 | SIRA50DP-T1-RE3 | 1.6100 | | 1 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | Sira50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 62.5a (ta), 100a (tc) | 4.5V, 10V | 1mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 194 NC @ 10 V | +20V, -16V | 8445 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 100W (TC) | |||||||||||||
 | SQP90142E_GE3 | - | | 4880 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SQP90142 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 78.5a (TC) | 10V | 15.3mohm @ 20a, 10V | 3,5V a 250µA | 85 nc @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||||
 | STH180N4F6-2 | - | | 7925 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ F6 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | STH180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | H2PAK-2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 60a, 10V | 4.5V a 250µA | 130 nc @ 10 V | ± 20V | 7735 pf @ 25 V | - | 190W (TC) |
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