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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS4620pbf | - |  | 4240 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 200 v | 24a (TC) | 10V | 77.5mohm @ 15a, 10v | 5V @ 100µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1710 pf @ 50 V | - | 144W (TC) | |||||||||||||
 | SQJ962EP-T1-GE3 | - | | 1684 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ962 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 25W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 8a | 60mohm @ 4.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 14NC @ 10V | 475pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
 | RM3415 | 0,0560 | | 8856 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM3415TR | 8541.10.0080 | 30.000 | Canal P. | 20 v | 4a (ta) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 4a, 4.5V | 900MV A 250µA | ± 10V | 950 pf @ 10 V | - | 1.4W (TA) | |||||||||||||||
 | PMN230ENEX | - | | 1767 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | PMN230 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934660261115 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 1.6a (ta) | 4.5V, 10V | 222mohm @ 1.6a, 10V | 2.7V @ 250µA | 5 nc @ 10 V | ± 20V | 177 pf @ 30 V | - | 475MW (TA), 3,9W (TC) | |||||||||||
 | BUK6209-30C | - | | 3906 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk6209 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | DMP2021UFDE-7 | 0,5500 | | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerudfn | DMP2021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO E) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 11.1a (ta) | 1.5V, 4.5V | 16mohm @ 7a, 4.5V | 1V a 250µA | 59 NC @ 8 V | ± 10V | 2760 pf @ 15 V | - | 1.9W (TA) | ||||||||||||
 | BLL6H0514-25,112 | 267.6400 | | 1 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Não é para desenhos para Novos | 100 v | Montagem do chassi | SOT-467C | Bll6 | 1,2 GHz ~ 1,4 GHz | LDMOS | SOT467C | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 2.5a | 50 MA | 25W | 21dB | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | MCH6353-TL-W | 0,5100 | | 18 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | MCH6353 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-mcph | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 6a (ta) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 3a, 4.5V | - | 12 NC a 4,5 V | ± 10V | 1250 pf @ 6 V | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||
 | SK8403170L | 1.0400 | | 1 | 0,00000000 | Componentes eletrônicos da Panasonic | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | HSSO8-F1-B | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 16a (ta), 59a (tc) | 4.5V, 10V | 4.1mohm @ 12a, 10V | 3V @ 2.56MA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 2940 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 24,6W (TC) | ||||||||||||||
 | S3134K | 0,2200 | | 16 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-723 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-723 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 8.000 | N-canal | 20 v | 750mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 380mohm @ 650mA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | ± 12V | 120 pf @ 16 V | - | 150mW (TA) | ||||||||||||||
 | FAM04V18DT1 | - | | 4903 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | FAM04 | - | download | 488-FAM04V18DT1 | Obsoleto | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| ALD111910MAL | - | | 8551 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Obsoleto | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1219 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||
| IPB35N12S3L26ATMA1 | - | | 7745 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IP35N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 120 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 26.3mohm @ 35a, 10V | 2.4V @ 39µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||
 | 2SK2485-A | 4.5200 | | 368 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | NTHL065N65S3F | 12.5200 | | 4135 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | NTHL065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 46a (TC) | 10V | 65mohm @ 23a, 10V | 5V @ 4.6MA | 98 nc @ 10 V | ± 30V | 4075 pf @ 400 V | - | 337W (TC) | ||||||||||||
 | AUIRFS3107-7P | 1.0000 | | 6024 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-7, D²PAK (6 leads + guia) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (7 derivados) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 75 v | 240a (TC) | 10V | 2.6mohm @ 160a, 10V | 4V A 250µA | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 9200 pf @ 50 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||
 | Ntlus3a39pzctbg | - | | 4799 | 0,00000000 | Onsemi | µcool ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-PowerUfdfn | Ntlus3a | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-udfn (1,6x1,6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.4a (ta) | 1.5V, 4.5V | 39mohm @ 4a, 4.5V | 1V a 250µA | 10,4 nc a 4,5 V | ± 8V | 920 pf @ 15 V | - | 600mW (TA) | |||||||||||||
 | SI3139KS-TP | 0,0670 | | 1652 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C. | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI3139 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | 353-SI3139KS-TP | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | Canal P. | 20 v | 600mA | 1.8V, 4.5V | 850mohm @ 500mA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | 0,86 nc @ 4,5 V | ± 12V | 40 pf @ 16 V | - | 350mw | ||||||||||||||
 | DMT3020UFDB-13 | 0,1581 | | 4946 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMT3020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 860mw | U-DFN2020-6 (TIPO B) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMT3020UFDB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N E P-Canal | 30V | 6.5a (ta) | 21mohm @ 6a, 10V | 1.7V a 250µA | 8.8NC @ 10V | 383pf @ 15V | - | |||||||||||||||
 | SUP50020EL-GE3 | 3.0600 | | 6173 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SUP50020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 126 nc @ 10 V | ± 20V | 11113 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||||||||||
 | PHB191NQ06LT, 118 | 3.0600 | | 3 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | PHB191 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1MA | 95,6 nc @ 5 V | ± 15V | 7665 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
| VMM85-02F | - | | 5985 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Y4-M6 | Vmm85 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 370W | Y4-M6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 6 | 2 canal n (Duplo) | 200V | 84a | 25mohm @ 500mA, 10V | 4V @ 8MA | 450NC @ 10V | 15000pf @ 25V | - | ||||||||||||||
| IRF632 | 1.4100 | | 21 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 8a (TC) | 10V | 600MOHM @ 5A, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||
 | TSM60NC620CP ROG | 3.6900 | | 4175 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | 5.000 | N-canal | 600 v | 7a (TC) | 10V | 620mohm @ 2.4a, 10V | 5V @ 1MA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 498 pf @ 300 V | - | 78W (TC) | |||||||||||||||
 | SI2323DS-T1 | - | | 9335 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 3.7a (ta) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 19 NC @ 4,5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750mW (TA) | ||||||||||||
 | TPC8062-H, LQ (CM | - | | 2139 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Musvii-H | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TPC8062 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 18a (TA) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 9a, 10V | 2.3V A 300µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 2900 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | |||||||||||||
 | DMN3025LFDF-13 | 0,1257 | | 6044 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMN3025 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | N-canal | 30 v | 9.9a (TA) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 7a, 10v | 2V A 250µA | 13,2 nc @ 10 V | ± 20V | 641 pf @ 15 V | - | 2.1W (TA) | ||||||||||||
 | HUF76143S3 | 0,7500 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MCU09N20-TP | 0,5556 | | 5787 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MCU09 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | 353-MCU09N20-TP | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 9a (TC) | 10V | 250mohm @ 4.5a, 10V | 3V A 250µA | 11,8 nc @ 10 V | ± 30V | 509 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||||
 | IPW65R280C6 | 1.5500 | | 466 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos C6 ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA247-3-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 650 v | 13.8a (TC) | 10V | 280mohm @ 4.4a, 10V | 3.5V @ 440µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 100 V | - | 104W (TC) |
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