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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AUIRFS4010-7TRL | 3.9200 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Retificador Internacional | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK-7 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 83 | N-canal | 100 v | 180A (TC) | 4.7mohm @ 106a, 10V | 4V A 250µA | 215 NC @ 10 V | ± 20V | 9575 PF @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||
![]() | Nvmfd6h846nlt1g | 2.0600 | ![]() | 1828 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Nvmfd6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.2W (TA), 34W (TC) | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NVMFD6H846NLT1GTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 9.4a (ta), 31a (tc) | 15mohm @ 5a, 10V | 2V @ 21µA | 17NC @ 10V | 900pf @ 40V | - | |||||
![]() | UPA2804T1L-E2-AT | 0,8700 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
Ski06048 | - | ![]() | 6392 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-263 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 85a (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 55a, 10V | 2.5V A 1,5mA | 90,6 nc @ 10 V | ± 20V | 6210 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | |||||||
![]() | MMBT7002DW | 0,0520 | ![]() | 4882 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | MMBT7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 200MW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-MMBT7002DWTR | 8541.21.0000 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 115mA (TA) | 7.5Ohm @ 500Ma, 10V | 2,5V a 250µA | - | 50pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||||
![]() | Aptm50um19sg | - | ![]() | 2672 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módulo J3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Módlo | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 163a (TC) | 10V | 19mohm @ 81.5a, 10V | 5V @ 10Ma | 492 nc @ 10 V | ± 30V | 22400 pf @ 25 V | - | 1136W (TC) | ||||||
FDW2501NZ | - | ![]() | 8759 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||||||
![]() | FW297-TL-2W | - | ![]() | 4857 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FW297 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.8W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 58mohm @ 4.5a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 14NC @ 10V | 750pf @ 20V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v | ||||||
![]() | IRF6216TRPBF-1 | - | ![]() | 5157 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-223 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 448-IRF6216TRPBF-1TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P. | 150 v | 2.2a (ta) | 10V | 240mohm @ 1.3a, 10V | 5V A 250µA | 49 NC @ 10 V | ± 20V | 1280 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA) | |||||
![]() | BUK7Y25-40B/C3115 | - | ![]() | 9326 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | |||||||||||||||||||||
![]() | RM135N100HD | 0,9400 | ![]() | 5381 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM135N100HDTR | 8541.10.0080 | 8.000 | N-canal | 100 v | 135a (TC) | 10V | 4.6mohm @ 60a, 10V | 4.5V a 250µA | ± 20V | 6400 pf @ 50 V | - | 210W (TC) | |||||||
![]() | SI4487DY-T1-GE3 | - | ![]() | 6315 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4487 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 30 v | 11.6a (TC) | 4.5V, 10V | 20.5mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 36 nc @ 10 V | ± 25V | 1075 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
![]() | BSC037N08NS5ATMA1 | 2.5400 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC037 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 80 v | 100a (TC) | 6V, 10V | 3.7mohm @ 50a, 10V | 3,8V a 72µA | 58 nc @ 10 V | ± 20V | 4200 pf @ 40 V | - | 2.5W (TA), 114W (TC) | ||||
![]() | IPC045N10L3X1SA1 | - | ![]() | 4911 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Volume | Ativo | - | Montagem na Superfície | Morrer | IPC045N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Serra Em Papel Alumínio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 1a (TJ) | 4.5V | 100mohm @ 2a, 4.5V | 2.1V @ 33µA | - | - | - | ||||||
![]() | UPA2520T1H-T2-AT | 0,7800 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-VSOF | - | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 10a (ta) | 13.2mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 1MA | 10,8 nc @ 5 V | 1100 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | |||||||||
![]() | MSJP11N65A-BP | 2.0000 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MSJP11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-MSJP11N65A-BP | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 v | 11a | 10V | 380mohm @ 3.2a, 10V | 4V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 30V | 763 pf @ 25 V | - | 83.3W (TC) | |||
![]() | CPH6335-TL-E | 0,0700 | ![]() | 51 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | SIDR500EP-T1-RE3 | 3.4400 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen v | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8DC | download | 1 (ilimito) | 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 94A (TA), 421A (TC) | 4.5V, 10V | 0,47mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 180 nc @ 10 V | +16V, -12V | 8960 pf @ 15 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
![]() | SI1403BDL-T1-BE3 | 0,5300 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1403 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.4a (ta) | 150mohm @ 1.5a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 4,5 nc @ 4,5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||||
![]() | SI7909DN-T1-E3 | - | ![]() | 1916 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8 Dual | SI7909 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | PowerPak® 1212-8 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 12V | 5.3a | 37mohm @ 7.7a, 4.5V | 1V @ 700µA | 24NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
![]() | IPDQ65R125CFD7XTMA1 | 5.3600 | ![]() | 3359 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módulo 22-powerBsop | IPDQ65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HDDDSOP-22-1 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 750 | N-canal | 650 v | 24a (TC) | 10V | 125mohm @ 7.8a, 10V | 4.5V @ 390µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1566 pf @ 400 V | - | 160W (TC) | ||||||
![]() | AOT11S60L | 2.4200 | ![]() | 3517 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | AMOS ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | AOT11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-1250-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 11a (TC) | 10V | 399mohm @ 3.8a, 10V | 4.1V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | ± 30V | 545 pf @ 100 V | - | 178W (TC) | |||
![]() | Fqu10N20LTU | - | ![]() | 3025 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | Fqu1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 200 v | 7.6a (TC) | 5V, 10V | 360mohm @ 3.8a, 10V | 2V A 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 830 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 51W (TC) | |||||
![]() | Ixty90n055t2 | 2.9300 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Ixty90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 238-IXTY90N055T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-canal | 55 v | 90A (TC) | 10V | 8.4mohm @ 25a, 10V | 4V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
![]() | CMS12P03Q8-HF | - | ![]() | 6390 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | 1 (ilimito) | 641-CMS12P03Q8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | Canal P. | 30 v | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2.2V A 250µA | 44,4 nc @ 10 V | ± 20V | 2419 pf @ 15 V | - | 3W (TC) | ||||||
![]() | AOD2NL60 | - | ![]() | 8434 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | AOD2 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 785-AOD2NL60TR | Obsoleto | 2.500 | ||||||||||||||||||||
![]() | AOCR36330 | 1.5462 | ![]() | 8709 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 18-SMD, SEM Chumbo | AOCR363 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.5W (TA) | 18-RIGIDCSP (6.22X2.5) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-AOCR36330TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-canal | 30V | 40A (TA) | 1.4mohm @ 6a, 10V | 2V A 250µA | 128NC @ 10V | - | Padrão | ||||||
![]() | SIHA6N80E-GE3 | 2.5100 | ![]() | 6318 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | E | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | Siha6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pacote completo parágrafo 220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 5.4a (TC) | 10V | 940mohm @ 3a, 10V | 4V A 250µA | 44 NC @ 10 V | ± 30V | 827 pf @ 100 V | - | 31W (TC) | |||||
![]() | DMT8012LFG-7 | 0,9100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT8012 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 80 v | 9.5a (ta), 35a (tc) | 6V, 10V | 16mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1949 pf @ 40 V | - | 2.2W (TA), 30W (TC) | ||||
![]() | FQA65N06 | - | ![]() | 6386 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-3P-3, SC-65-3 | FQA6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3P | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 60 v | 72a (TC) | 10V | 16mohm @ 36a, 10V | 4V A 250µA | 65 nc @ 10 V | ± 25V | 2410 pf @ 25 V | - | 183W (TC) |
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