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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK7Y2R0-40HX | 2.5500 |  | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | Buk7Y2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 120A (TA) | 10V | 2mohm @ 25a, 10V | 3.6V @ 1Ma | 90,5 nc @ 10 V | +20V, -10V | 5450 PF @ 25 V | - | 217W (TA) | |||||||||||
 | STAC3932B | 117.9750 | | 8680 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Bandeja | Ativo | 250 v | STAC244B | STAC3932 | 123MHz | MOSFET | STAC244B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 20a | 250 Ma | 580W | - | - | 100 v | |||||||||||||||
 | PMV130ENEAR | 0,4500 | | 22 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV130 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 2.1a (ta) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 1.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 3,6 nc @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 20 V | - | 460MW (TA), 5W (TC) | |||||||||||
 | AUIRFB3207 | - | | 9778 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 75a (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 260 nc @ 10 V | ± 20V | 7600 pf @ 50 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
 | RFP4N40 | 0,5500 | | 546 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 546 | N-canal | 400 v | 4a (TC) | 10V | 2ohm @ 2a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 750 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||||||||||||
 | IPU60R1K0CE | 1.0000 | | 1724 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-A251-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 6.8a (TC) | 10V | 1OHM @ 1.5A, 10V | 3,5V A 130µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 61W (TC) | ||||||||||||
 | STD65NF06 | - | | 5538 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD65N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 60a (TC) | 10V | 14mohm @ 30a, 10V | 4V A 250µA | 75 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||||||
 | TPC8134, LQ (s | 0,7300 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPC8134 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 5a (ta) | 4.5V, 10V | 52mohm @ 2.5a, 10V | 2V @ 100µA | 20 NC A 10 V | +20V, -25V | 890 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||
 | Auirfz24nstrl | - | | 9576 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Auirfz24 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 55 v | 17a (TC) | 10V | 70mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 20 NC A 10 V | ± 20V | 370 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 45W (TC) | |||||||||||
 | IXFX30N100Q2 | - | | 3635 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Q2 CLASSE | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | IXFX30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | 30a (TC) | 10V | 400mohm @ 15a, 10V | 5V @ 8MA | 186 NC @ 10 V | ± 30V | 8200 pf @ 25 V | - | 735W (TC) | |||||||||||
 | IPP60R160P6XKSA1 | 4.0300 | | 443 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P6 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP60R160 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001017068 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 23.8a (TC) | 10V | 160mohm @ 9a, 10V | 4.5V a 750µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 2080 PF @ 100 V | - | 176W (TC) | ||||||||||
 | BSS138BKT116 | 0,4200 | | 8 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 400mA (TA) | 2.5V, 10V | 680mohm @ 400ma, 10V | 2V @ 10µA | ± 20V | 47 pf @ 30 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||
 | Apt5018sllg | 11.3100 | | 7260 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | APT5018 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3 [s] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | 27a (TC) | 180mohm @ 13.5a, 10V | 5V @ 1MA | 58 nc @ 10 V | 2596 pf @ 25 V | - | |||||||||||||||
 | FQP1P50 | - | | 8792 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FQP1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | Canal P. | 500 v | 1.5a (TC) | 10V | 10.5Ohm @ 750Ma, 10V | 5V A 250µA | 14 nc @ 10 V | ± 30V | 350 pf @ 25 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||
 | NE3503M04-T2-A | 0,7600 | | 29 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Obsoleto | 4 v | SOT-343F | 12 GHz | HFET | M04 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 70mA | 10 MA | - | 12dB | 0,45dB | 2 v | |||||||||||||||||||
 | C3M0120100K | 13.9100 | | 2 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | C3M ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | C3M0120100 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-4L | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 v | 22a (TC) | 15V | 155mohm @ 15a, 15V | 3.5V @ 3Ma | 21,5 nc @ 15 V | ± 15V | 350 pf @ 600 V | - | 83W (TC) | ||||||||||||
 | IRF7402TRPBF | - | | 2329 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 v | 6.8a (ta) | 2.7V, 4.5V | 35mohm @ 4.1a, 4.5V | 700mv @ 250µA (min) | 22 NC a 4,5 V | ± 12V | 650 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | Ixta3n110 | - | | 6347 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1100 v | 3a (TC) | 10V | 4ohm @ 1.5a, 10V | 5V A 250µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||
| APT5020SVRG | - | | 1482 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Tubo | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | TO-268-3, D³pak (2 leads + guia), TO-268AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D3 [s] | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 v | 26a (TC) | 10V | 200mohm @ 500ma, 10V | 4V @ 1MA | 225 NC @ 10 V | - | 4440 PF @ 25 V | - | - | |||||||||||||
 | IRF634STRRPBF | 2.1700 | | 2403 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IRF634 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 v | 8.1a (TC) | 10V | 450mohm @ 5.1a, 10V | 4V A 250µA | 41 nc @ 10 V | ± 20V | 770 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | ||||||||||||
 | Rd3g500gntl | 1.6100 | | 5179 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | RD3G500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 50a, 10V | 2.5V @ 1MA | 31 NC @ 10 V | ± 20V | 22800 pf @ 20 V | - | 35W (TC) | |||||||||||
| SQ2351CS-T1_GE3 | - | | 3292 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Compatível | 742-SQ2351CS-T1_GE3TR | 1 | Canal P. | 20 v | 3.2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 115mohm @ 2.4a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 5,5 nc a 4,5 V | ± 12V | 330 pf @ 10 V | - | 2W (TC) | |||||||||||||||
 | TK110A10PL, S4X | 1.0900 | | 328 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | 175 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | TK110A10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220SIS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 18a, 10V | 2,5V a 300µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 2040 pf @ 50 V | - | 36W (TC) | ||||||||||||
| SFT1405-TL-E | 0,4100 | | 1006 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | SFT1405 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | STP7NK40Z | 1.8900 | | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP7NK40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 v | 5.4a (TC) | 10V | 1OHM @ 2.7A, 10V | 4.5V @ 50µA | 26 NC A 10 V | ± 30V | 535 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | |||||||||||
 | NTD4970N-1G | - | | 2252 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | NTD49 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 v | 8.5a (ta), 36a (tc) | 11mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 8,2 nc @ 4,5 V | 774 pf @ 15 V | - | ||||||||||||||||
 | IRF6619 | 2.6500 | | 13 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFET ™ isométrico MX | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ MX | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 v | 30a (ta), 150a (tc) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 30a, 10V | 2,45V a 250µA | 57 nc @ 4,5 V | ± 20V | 5040 pf @ 10 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | ||||||||||||
 | BF513.215 | - | | 8650 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 20 v | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BF513 | 100MHz | JFET | SOT-23 (TO-236AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30Ma | 5 MA | - | - | 1.5dB | 10 v | ||||||||||||||
 | SI4154DY-T1-GE3 | 1.4900 | | 9625 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4154 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 105 nc @ 10 V | ± 20V | 4230 PF @ 20 V | - | 3,5W (TA), 7,8W (TC) | ||||||||||||
| B11G3338N81DX | 49.2000 | | 8096 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 28 v | Montagem na Superfície | 36-QFN PAD Exposto | B11G3338 | 3,3 GHz ~ 3,8 GHz | LDMOS | 36-PQFN (12x7) | - | ROHS3 Compatível | 1603-B11G3338N81DXTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | - | - | - | 34dB | - |
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