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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Spp18p06phksa1 | - | ![]() | 3048 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp18p | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P. | 60 v | 18.7a (TA) | 10V | 130mohm @ 13.2a, 10V | 4V @ 1MA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 81.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | FQD4N20TF | - | ![]() | 1120 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FQD4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 200 v | 3a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.5A, 10V | 5V A 250µA | 6,5 nc @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 30W (TC) | |||||||||||||
R6020ENZM12C8 | - | ![]() | 1099 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo para 3p-3 | R6020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3PF | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | 846-R6020ENZM12C8 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 4V @ 1MA | 60 nc @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||
![]() | Jantxv2n6800U | - | ![]() | 3086 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/557 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 18-CLCC | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 18-Ulcc (9.14x7.49) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 3a (TC) | 10V | 1.1OHM @ 3A, 10V | 4V A 250µA | 34,75 nc @ 10 V | ± 20V | - | 800mW (TA), 25W (TC) | ||||||||||||||
AON6560 | 1.0107 | ![]() | 7361 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSMD, FIOS Planos | AON656 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 84a (TA), 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0,62mohm @ 20a, 10V | 2.2V A 250µA | 325 nc @ 10 V | ± 20V | 11500 pf @ 15 V | - | 7.3W (TA), 208W (TC) | |||||||||||||
![]() | IXFR34N80 | - | ![]() | 7855 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | IXFR34 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Isoplus247 ™ | download | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 800 v | 28a (TC) | 10V | 240mohm @ 17a, 10V | 4V @ 8MA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 7500 pf @ 25 V | - | 416W (TC) | ||||||||||||||
Ixta26p10t | 3.1814 | ![]() | 3031 | 0,00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta26 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P. | 100 v | 26a (TC) | 10V | 90mohm @ 13a, 10V | 4.5V a 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 15V | 3820 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
![]() | NXH040F120MNF1PTG | 122.7500 | ![]() | 8588 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH040 | Carboneto de Silício (sic) | 74W (TJ) | 22-PIM (33,8x42,5) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH040F120MNF1PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 4 n-canal | 1200V (1,2kV) | 30a (TC) | 56mohm @ 25a, 20V | 4.3V @ 10Ma | 122.1NC @ 20V | 1505pf @ 800V | - | |||||||||||||
![]() | 2SK4065-DL-E | - | ![]() | 6982 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | 2SK4065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SMP-FD | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 75 v | 100a (ta) | 4V, 10V | 6mohm @ 50a, 10V | - | 220 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 20 V | - | 1.65W (TA), 90W (TC) | |||||||||||||
![]() | VN0606M | 0,3900 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Siliconix | * | Volume | Ativo | VN0606 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7351pbf | - | ![]() | 9320 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7351pbf | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001570426 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 8a | 17.8mohm @ 8a, 10V | 4V @ 50µA | 36NC @ 10V | 1330pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
![]() | PJA3449-AU_R1_000A1 | 0,4100 | ![]() | 32 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3449 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJA3449-AU_R1_000A1DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 40 v | 2.2a (ta) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 2.2a, 10V | 2.1V @ 250µA | 7.3 NC @ 10 V | ± 20V | 299 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA) | |||||||||||
![]() | 3LN04SS-TL-H | 0,0500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 3LN04 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 10.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | AO4884L_001 | - | ![]() | 6364 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO488 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 10a | 13mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1950pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||||
![]() | AOC2870 | 0,9800 | ![]() | 2791 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-xdfn | AOC287 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 4-DFN (1.7x1.7) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | - | - | - | 1.3V a 250µA | 11.5NC @ 4.5V | - | - | ||||||||||||||
![]() | UF3C120150B7S | 8.5200 | ![]() | 786 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-8, D²PAK (7 leads + guia), TO-263CA | Sicfet (cascode sicjfet) | D2PAK-7 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 1200 v | 17a (TC) | 12V | 180mohm @ 5a, 12v | 5.5V @ 10MA | 25,7 nc @ 12 V | ± 25V | 738 pf @ 100 V | - | 136W (TC) | |||||||||||||
![]() | PTFA091201FV4XWSA1 | - | ![]() | 4827 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | 2-flatpack, Lidera de Barraca, Flangeada | PTFA091201 | 960MHz | LDMOS | H-37248-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 10µA | 750 Ma | 110W | 19dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
![]() | Ixfn48n60p | 30.8300 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Ixfn48 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -Ixfn48n60p | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 600 v | 40A (TC) | 10V | 140mohm @ 4a, 10v | 5.5V @ 8MA | 150 nc @ 10 V | ± 30V | 8860 pf @ 25 V | - | 625W (TC) | |||||||||||
![]() | IGT60R042D1ATMA1 | 14.8242 | ![]() | 9413 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolgan ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem na Superfície | 8-POWERSFN | Ganfet (Nitreto de Gálio) | PG-HSOF-8-3 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | - | 600 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
![]() | PJT7807_R1_00001 | 0,1123 | ![]() | 3732 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7807 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJT7807_R1_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 500mA (TA) | 1.2OHM @ 500MA, 4,5V | 1V a 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 38pf @ 10V | - | |||||||||||||
![]() | FDP10N60NZ | - | ![]() | 1042 | 0,00000000 | Onsemi | Unifet-ii ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FDP10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 10a (TC) | 10V | 750mohm @ 5a, 10V | 5V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 25V | 1475 pf @ 25 V | - | 185W (TC) | ||||||||||||
![]() | Ntd4970nt4g | - | ![]() | 5405 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | NTD49 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 8.5a (ta), 36a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 30a, 10V | 2,5V a 250µA | 8,2 nc @ 4,5 V | ± 20V | 774 pf @ 15 V | - | 1.38W (TA), 24,6W (TC) |
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