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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXTP16N50P | 4.8100 |  | 53 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixtp16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | -Ixtp16n50p | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 16a (TC) | 10V | 400mohm @ 8a, 10V | 5,5V A 250µA | 43 nc @ 10 V | ± 30V | 2250 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | SPP80N06S2L-H5 | - | | 7989 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp80n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 55 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 80a, 10V | 2V @ 230µA | 190 nc @ 10 V | ± 20V | 6640 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | IRL3715ZSTRRPBF | - | | 5710 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 870 pf @ 10 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
 | BLF6G20S-230PRN: 11 | - | | 4938 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT539B | Blf6 | 1,8 GHz ~ 1,88 GHz | LDMOS | SOT539B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 934064341118 | Ear99 | 8541.29.0075 | 100 | - | 2 a | 65W | 17.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||
 | PHP225NQ04T, 127 | - | | 2195 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Php22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 75a (TC) | 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 94 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | PJT7807_R1_00001 | 0,1123 | | 3732 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7807 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJT7807_R1_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 500mA (TA) | 1.2OHM @ 500MA, 4,5V | 1V a 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 38pf @ 10V | - | |||||||||||||
 | IRFB11N50APBF | - | | 9991 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 500 v | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V A 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||||||
 | FQP5N80 | 1.0000 | | 9416 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 4.8a (TC) | 10V | 2.6ohm @ 2.4a, 10V | 5V A 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 30V | 1250 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
 | HUF76619D3ST | 1.0000 | | 7026 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||||||||||
 | DMN6075SQ-7 | 0,4200 | | 3 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN6075 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 2a (ta) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 3.2a, 10V | 3V A 250µA | 12,3 nc @ 10 V | ± 20V | 606 pf @ 20 V | - | 800mW (TA) | ||||||||||||
 | Buk9M31-60elx | 1.2100 | | 8352 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 FLEDES) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK33 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 v | 35a (ta) | 4.5V, 10V | 20.6mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 37 nc @ 10 V | ± 10V | 1867 pf @ 25 V | - | 62W (TA) | |||||||||||||
 | Auillr3114z | - | | 9886 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001517704 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 42a, 10V | 2.5V @ 100µA | 56 nc @ 4,5 V | ± 16V | 3810 pf @ 25 V | - | 140W (TC) | ||||||||||||
 | IPN80R750P7ATMA1 | 1.7300 | | 15 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IPN80R750 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 v | 7a (TC) | 10V | 750mohm @ 2.7a, 10V | 3,5V A 140µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 460 pf @ 500 V | - | 7.2W (TC) | ||||||||||||
 | BSS138BK-TP | 0,2300 | | 3 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 v | 590mA | 2.5V, 10V | 1.5OHM @ 500MA, 10V | 1,5V a 250µA | 1,4 nc @ 10 V | ± 20V | 58 pf @ 30 V | - | 830mW | ||||||||||||
 | SIHP12N60E-E3 | 2.6900 | | 3456 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | SIHP12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHP12N60EE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 12a (TC) | 10V | 380mohm @ 6a, 10V | 4V A 250µA | 58 nc @ 10 V | ± 30V | 937 PF @ 100 V | - | 147W (TC) | ||||||||||||
 | SCH1337-TL-H | 0,1100 | | 715 | 0,00000000 | Sanyo | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SCH133 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6-sch | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | Canal P. | 30 v | 2a (ta) | 4V, 10V | 150mohm @ 1a, 10v | - | 3,9 nc @ 10 V | ± 20V | 172 pf @ 10 V | - | 800mW (TA) | ||||||||||||||
| IRF540,127 | - | | 8622 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF54 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 23a (TC) | 10V | 77mohm @ 17a, 10V | 4V @ 1MA | 65 nc @ 10 V | ± 20V | 1187 PF @ 25 V | - | 100w (TC) | ||||||||||||
| 62-0258pbf | - | | 2048 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tubo | Ativo | 62-0258 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001562410 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | |||||||||||||||||||||||||||
| BUK754R3-75C, 127 | - | | 9112 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Buk75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 75 v | 100a (TC) | 10V | 4.3mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 142 NC @ 10 V | ± 20V | 11659 pf @ 25 V | - | 333W (TC) | ||||||||||||
 | DMN61D8LVTQ-13 | 0,1517 | | 5265 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN61 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 820mw | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMN61D8LVTQ-13DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 630mA | 1.8OHM @ 150MA, 5V | 2V @ 1MA | 0,74NC @ 5V | 12.9pf @ 12V | Portão de Nível Lógico | |||||||||||||
| IPB120N06S4H1ATMA2 | 4.3600 | | 8041 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IPB120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 4V @ 200µA | 270 nc @ 10 V | ± 20V | 21900 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | ||||||||||||
 | Ntk3142pt5g | - | | 3373 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-723 | NTK314 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-723 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | Canal P. | 20 v | 215mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 4ohm a 260mA, 4,5V | 1.3V a 250µA | ± 8V | 15.3 pf @ 10 V | - | 280mW (TA) | ||||||||||||||
| APT4012BVR | - | | 2441 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power Mos V® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-247AD | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 400 v | 37a (TC) | 10V | 120mohm @ 18.5a, 10V | 4V @ 1MA | 290 nc @ 10 V | ± 30V | 5400 pf @ 25 V | - | 370W (TC) | |||||||||||||||
 | BLF1046,112 | - | | 5633 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-467C | 960MHz | LDMOS | SOT467C | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 4.5a | 300 mA | 45W | 14dB | - | 26 v | ||||||||||||||||||
 | Buk963R1-40E, 118 | - | | 7180 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Buk963 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 5V, 10V | 2.7mohm @ 25a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 69,5 nc @ 5 V | ± 10V | 9150 pf @ 25 V | - | 234W (TC) | ||||||||||||
 | SI3139KL-TP | - | | 1458 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-101, SOT-883 | SI3139 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-883 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | Canal P. | 20 v | 680mA (TJ) | 4.5V | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | ± 12V | 170 pf @ 6 V | - | 100mW | |||||||||||||
 | NVTFS016N06CTAG | 1.2800 | | 4378 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | NVTFS016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WDFN (3,3x3.3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 v | 8a (ta), 32a (tc) | 10V | 16.3mohm @ 5a, 10V | 4V @ 25µA | 6,9 nc @ 10 V | ± 20V | 489 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 36W (TC) | ||||||||||||
 | PTFA070601EV4R250XTMA1 | - | | 2309 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem na Superfície | H-36265-2 | PTFA070601 | 760MHz | LDMOS | H-36265-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 5A991G | 8541.21.0095 | 250 | - | 600 mA | 60W | 19.5dB | - | 28 v | |||||||||||||||||
| RSS060P05TB1 | - | | 6028 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 846-RSS060P05TB1TR | Obsoleto | 2.500 | - | |||||||||||||||||||||||||||||
 | MSC025SMA120B | 40.1300 | | 120 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | MSC025 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 691-MSC025SMA120B | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 v | 103a (TC) | 20V | 31mohm @ 40a, 20V | 2.8V @ 1MA | 232 NC @ 20 V | +25V, -10V | 3020 PF @ 1000 V | - | 500W (TC) |
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