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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM150P04LCS RLG | 2.6700 |  | 25 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 22a (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 48 nc @ 10 V | ± 20V | 2783 pf @ 20 V | - | 12.5W (TC) | ||||
 | DMP3007SFG-13 | 0,8700 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | DMP3007 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 70A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 11.5a, 10V | 3V A 250µA | 64,2 nc @ 10 V | ± 25V | 2826 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA) | ||||
 | FDS9435ANBAD008 | - | | 8660 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-FDS9435ANBAD008TR | Obsoleto | 2.500 | 5.3a (TJ) | ||||||||||||||||||||
 | SI4539ADY-T1-GE3 | - | | 7144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 4.4a, 3.7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | FDMS8558SDC | - | | 9605 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | FDMS85 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | AO6602_DELTA | - | | 9459 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.15W | 6-TSOP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 3.5a (ta), 2.7a (ta) | 50mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10V | 2,5V a 250µA, 2,4V a 250µA | 5NC @ 10V, 5.2NC @ 10V | 210pf @ 15V, 240pf @ 15V | - | |||||||
 | SQJ980AEP-T1_BE3 | 1.1900 | | 9408 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ980 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ980AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 17a (TC) | 50mohm @ 3.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 35V | - | |||||||
 | Nttfs5826nltwg | - | | 9685 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | Nttfs5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-WDFN (3,3x3.3) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 8a (ta) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 7.5a, 10V | 3V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 850 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 19W (TC) | |||||
 | FDI150N10 | 2.9800 | | 6937 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | FDI150 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 57a (TC) | 10V | 16mohm @ 49a, 10V | 4.5V a 250µA | 69 NC @ 10 V | ± 20V | 4760 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | ||||
 | Nvmfs6h858nlt1g | 0,8200 | | 9903 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 v | 8.7a (ta), 30a (tc) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 5a, 10V | 2V @ 30µA | 12 nc @ 10 V | ± 20V | 623 pf @ 40 V | - | 3.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | AOT2904 | - | | 9946 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | AOT290 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 3.3V a 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 7085 pf @ 50 V | - | 326W (TC) | ||||
| AUXVNGP4062D-E | - | | 5730 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tubo | Obsoleto | AUXVNGP4062 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 485mA | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 900MV A 250µA | 0,75NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||||||
 | PJA3416_R1_00001 | 0,4400 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PJA3416 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 5.8a (ta) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 5.8a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 6,7 nc a 4,5 V | ± 12V | 513 pf @ 10 V | - | 1.25W (TA) | ||||
| PCF8051LW | - | | 6699 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | PCF805 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||
 | Ixta4n80p-trl | 1.7238 | | 4444 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 238-IXTA4N80P-TRLTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 800 v | 3.6a (TC) | 10V | 3.4OHM @ 1.8a, 10V | 5.5V @ 100µA | 14.2 NC @ 10 V | ± 30V | 750 pf @ 25 V | - | 100w (TC) | ||||
 | IRFH6200TRPBF | 2.0700 | | 4 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | IRFH6200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 20 v | 49A (TA), 100A (TC) | 2.5V, 10V | 0,95mohm @ 50a, 10V | 1.1V @ 150µA | 230 NC a 4,5 V | ± 12V | 10890 pf @ 10 V | - | 3.6W (TA), 156W (TC) | ||||
| APTM50DSKM65T3G | - | | 3508 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||||||
 | IPA80R900P7XKSA1 | 1.7200 | | 2289 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ P7 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | IPA80R900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-31 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 v | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10V | 3,5V A 110µA | 15 nc @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 500 V | - | 26W (TC) | ||||
 | FDS6375 | 0,9600 | | 2423 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 20 v | 8a (ta) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 8a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 36 NC a 4,5 V | ± 8V | 2694 pf @ 10 V | - | 2.5W (TA) | ||||
 | CSD23285F5 | 0,5300 | | 20 | 0,00000000 | Texas Instruments | FEMTOFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 3-xfdfn | CSD23285 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-Picosstar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 5.4a (ta) | 1.5V, 4.5V | 35mohm @ 1a, 4.5V | 950MV A 250µA | 4,2 NC a 4,5 V | -6V | 628 pf @ 6 V | - | 500mW (TA) | ||||
 | Spp80n10l | - | | 2547 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Spp80n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 v | 80a (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 58a, 10V | 2V @ 2Ma | 240 nc @ 10 V | ± 20V | 4540 pf @ 25 V | - | 250W (TC) | |||||
 | FDP6030BL | 0,6300 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | FDP60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 17 NC @ 5 V | ± 20V | 1160 pf @ 15 V | - | 60W (TC) | |||||||
 | ZVP3310FQTA-52 | 0.1961 | | 5117 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | - | 31-ZVP3310FQTA-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 75mA (TA) | 10V | 20ohm @ 150mA, 10V | 3.5V @ 1Ma | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 330mW (TA) | ||||||||
 | IRF230 | 2.7400 | | 1215 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Bolsa | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 200 v | 9a (TC) | 400MOHM @ 5A, 10V | 4V A 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 600 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | ||||||||
 | PMPB11R2VPX | 0,1375 | | 3423 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | PMPB11 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN2020MD-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 12 v | 9.7a (TA) | 14mohm @ 9.7a, 4.5V | 900MV A 250µA | 39 NC a 4,5 V | ± 8V | 2230 PF @ 6 V | - | 1.9W (TA), 12,5W (TC) | |||||
| 2N7002KX-7 | - | | 9638 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 2N7002 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2N7002KX-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | FQB7P20TM-F085 | - | | 5177 | 0,00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB7P20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P. | 200 v | 7.3a (TC) | 10V | 690mohm @ 3.65a, 10V | 5V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 30V | 770 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 90W (TC) | ||||
| DMN67D8LV-7 | 0,0788 | | 5164 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | DMN67 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | ||||||||||||||||||||
 | IRL3102STRLPBF | - | | 5395 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 v | 61a (TC) | 4.5V, 7V | 13mohm @ 37a, 7V | 700mv @ 250µA (min) | 58 NC a 4,5 V | ± 10V | 2500 pf @ 15 V | - | 89W (TC) |
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