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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZVN0540ASTOB | - |  | 6456 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | E-line-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | E-line (Compatível com 92) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.000 | N-canal | 400 v | 90mA (TA) | 10V | 50OHM @ 100MA, 10V | 3V @ 1Ma | ± 20V | 70 pf @ 25 V | - | 700mW (TA) | |||||||||||||||
 | PCF8051LW | - | | 6699 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | PCF805 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | ZVP3310FQTA-52 | 0.1961 | | 5117 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 | - | 31-ZVP3310FQTA-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 75mA (TA) | 10V | 20ohm @ 150mA, 10V | 3.5V @ 1Ma | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 330mW (TA) | ||||||||||||||||
 | CSD16342Q5a | 1.1300 | | 9 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | CSD16342 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-vsonp (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 100a (TC) | 2.5V, 8V | 4.7mohm @ 20a, 8v | 1.1V @ 250µA | 7,1 nc @ 4,5 V | +10V, -8V | 1350 pf @ 12,5 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||
 | DMNH6008SPSQ-13 | 0,7088 | | 8616 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | DMNH6008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 16.5a (ta), 88a (tc) | 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 40,1 nc @ 10 V | ± 20V | 2597 pf @ 30 V | - | 1.6W (TA) | ||||||||||||
 | BSC032NE2LSATMA1 | 0,9800 | | 24 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | BSC032 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 25 v | 22a (ta), 84a (tc) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 30a, 10V | 2V A 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 12 V | - | 2.8W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||
 | PJF60R620E_T0_00001 | 0,7015 | | 6738 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | PJF60R620E | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJF60R620E_T0_00001 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 v | 1.2a (ta), 7a (tc) | 10V | 620mohm @ 2.4a, 10V | 4V A 250µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | 457 pf @ 25 V | - | 1.04W (TA), 45W (TC) | |||||||||||
 | AOT2904 | - | | 9946 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | AOT290 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 100 v | 120A (TC) | 6V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 3.3V a 250µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 7085 pf @ 50 V | - | 326W (TC) | ||||||||||||
 | SQS181ELNW-T1_GE3 | 1.1200 | | 20 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | PowerPak® 1212-8SLW | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® 1212-8SLW | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 80 v | 44a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 45 nc @ 10 V | ± 20V | 2771 pf @ 25 V | - | 119W (TC) | ||||||||||||||
 | PJQ2407_R1_00001 | 0,5000 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | PJQ2407 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN2020B-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ2407_R1_00001CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 8.4a (ta) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 8.4a, 10V | 2,5V a 250µA | 11 NC a 4,5 V | ± 20V | 1169 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||
 | FDD6680A | 1.5300 | | 204 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 56a (tc) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 14a, 10v | 3V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1425 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | |||||||||||||||
 | FDMS8670S | - | | 8830 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench®, SyncFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 20a (ta), 42a (tc) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 1Ma | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 4000 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||
 | IPN70R2K1CEATMA1 | 0,2707 | | 6640 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IPN70R2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 700 v | 4a (TC) | 10V | 2.1OHM @ 1A, 10V | 3,5V a 70µA | 7,8 nc @ 10 V | ± 20V | 163 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||
 | IRF6618TR1 | - | | 8342 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | DirectFET ™ ISOMETRIC MT | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFet ™ MT | download | Rohs Não Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 30 v | 30a (TA), 170A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 30a, 10V | 2,35V a 250µA | 65 NC a 4,5 V | ± 20V | 5640 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 89W (TC) | |||||||||||||
 | SCT2280KEC | - | | 9972 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Obsoleto | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | SCT2280 | Sicfet (Carboneto de Silício) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SCT2280KECU | Ear99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 1200 v | 14a (TC) | 18V | 364mohm @ 4a, 18V | 4V @ 1.4MA | 36 nc @ 18 V | +22V, -6V | 667 pf @ 800 V | - | 108W (TC) | |||||||||||
 | Ixtn30n100l | 72.8900 | | 240 | 0,00000000 | Ixys | Linear | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Ixtn30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Q3424174 | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 1000 v | 30a (TC) | 20V | 450mohm @ 15a, 20V | 5,5V A 250µA | 545 nc @ 20 V | ± 30V | 13700 pf @ 25 V | - | 800W (TC) | |||||||||||
| VEC2401-TL-E | 0,1500 | | 480 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | Buk7528-55a, 127 | - | | 3881 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 42a (TC) | 10V | 28mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | ± 20V | 1165 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||||||||||
 | GTVA101K42EV-V1-R250 | 1.0000 | | 4221 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Gan | Tape & Reel (TR) | Ativo | 125 v | Montagem do chassi | H-36275-4 | GTVA101 | 960MHz ~ 1.215 GHz | Hemt | H-36275-4 | download | 1 (ilimito) | 1697-GTVA101K42EV-V1-R250TR | Ear99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200 MA | 1400W | 17db | - | 50 v | |||||||||||||||||
 | FDS3601 | 0,3700 | | 49 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS36 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 1.3a | 480mohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 5NC @ 10V | 153pf @ 50V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
 | IPC100N04S51R7ATMA1 | 2.2200 | | 5502 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | IPC100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-34 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 7V, 10V | 1.7mohm @ 50a, 10V | 3.4V @ 60µA | 83 nc @ 10 V | ± 20V | 4810 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||
 | Std30n6lf6ag | 1.2300 | | 2 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, Stripfet ™ F6 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | STD30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 v | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 26 NC A 10 V | ± 20V | 1320 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | BUK7Y72-80EX | 0,7000 | | 7111 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | Buk7Y72 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 v | 16a (TC) | 10V | 72mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | 9,8 nc @ 10 V | ± 20V | 633 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||
 | PSMN1R9-25YLC, 115 | - | | 5097 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-100, SOT-669 | PSMN1R9 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 25 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 2.05mohm @ 25a, 10V | 1.95V @ 1MA | 57 nc @ 10 V | ± 20V | 3504 pf @ 12 V | - | 141W (TC) | ||||||||||||
 | FQ20N06TU | 0,4100 | | 22 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I-Pak | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.040 | N-canal | 60 v | 16.8a (TC) | 10V | 63mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 15 nc @ 10 V | ± 25V | 590 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 38W (TC) | |||||||||||||||
 | FDP8442-F085 | 1.2700 | | 750 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | Fornecedor indefinido | Alcançar Não Afetado | 2156-FDP8442-F085-600039 | 1 | N-canal | 40 v | 23A (TA), 80A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 235 NC @ 10 V | ± 20V | 12200 pf @ 25 V | - | 254W (TC) | |||||||||||||||
| FDS6688 | 1.0700 | | 20 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 16a (ta) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 16a, 10V | 3V A 250µA | 56 nc @ 5 V | ± 20V | 3888 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
 | SSR2N60BTF | 0,1900 | | 196 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 600 v | 1.8a (TC) | 10V | 5ohm @ 900Ma, 10V | 4V A 250µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||
| FDD6776A | 0,3700 | | 27 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 17.7a (ta), 30a (tc) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 17.7a, 10V | 3V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1490 PF @ 13 V | - | 3.7W (TA), 39W (TC) | |||||||||||||||
| HUF76619D3S | 0,3200 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 v | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 85mohm @ 18a, 10V | 3V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 16V | 767 pf @ 25 V | - | 75W (TC) |
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