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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RF1S70N06SM9A | 2.2700 |  | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Pspice® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 v | 70A (TC) | 10V | 14mohm @ 70a, 10V | 4V A 250µA | 215 NC @ 20 V | ± 20V | 3000 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||
 | ATP212-TL-H | - | | 3610 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | ATPAK (2 leads+guia) | ATP212 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ATPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 35a (ta) | 4V, 10V | 23mohm @ 18a, 10V | - | 34,5 nc @ 10 V | ± 20V | 1820 pf @ 20 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||
 | Pmv16xnr | 0,4200 | | 16 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV16 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-236AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 6.8a (ta) | 1.8V, 4.5V | 20mohm @ 6.8a, 4.5V | 900MV A 250µA | 20,2 nc @ 4,5 V | ± 12V | 1240 pf @ 10 V | - | 510mW (TA), 6,94W (TC) | ||||||||||||
 | PTFC262808FV-V1 | - | | 3103 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Bandeja | Obsoleto | 65 v | H-37275G-6/2 | PTFC262808 | 2,62 GHz ~ 2,69 GHz | LDMOS | H-37275G-6/2 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0075 | 35 | 1µA | 10 MA | 280W | 18dB | - | 28 v | ||||||||||||||||||
 | SQ2309CES-T1_GE3 | - | | 5634 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23-3 (TO-236) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 60 v | 1.7a (TC) | 4.5V, 10V | 370mohm @ 1.25a, 10V | 2,5V a 250µA | 8,5 nc @ 10 V | ± 20V | 265 pf @ 25 V | - | 2W (TC) | ||||||||||||||
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | 103.5300 | | 9529 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Easypack ™, Coolsic ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | DF16MR12 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 24 | 2 n-canal | 1200V | 25a | 32.3mohm @ 25a, 18V | 5.15V @ 10Ma | 74NC @ 18V | 2200pf @ 800V | - | ||||||||||||||||||
 | IRFR024TR | - | | 4852 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IRFR024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 60 v | 14a (TC) | 10V | 100mohm @ 8.4a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 20V | 640 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||
 | MCH6630-TL-E-ON | 0,0700 | | 93 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | MCH6630 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IRF540ZS | - | | 7899 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF540ZS | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 36a (TC) | 10V | 26.5mohm @ 22a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | ± 20V | 1770 pf @ 25 V | - | 92W (TC) | ||||||||||||
 | TPC8033-H (TE12LQM) | - | | 5341 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | TPC8033 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOP (5,5x6.0) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 17a (TA) | 5.3mohm @ 8.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 42 NC @ 10 V | 3713 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||
 | DMG1013UWQ-7-52 | 0,0626 | | 7222 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | DMG1013 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-323 | download | 31-DMG1013UWQ-7-52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 820mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 750mohm @ 430mA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,62 nc @ 4,5 V | ± 6V | 59,76 pf @ 16 V | - | 310mw | ||||||||||||||
 | IPDD60R190G7XTMA1 | 3.2900 | | 167 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ G7 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Módlo de 10 Pópitos | IPDD60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-HDDDSOP-10-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.700 | N-canal | 600 v | 13a (TC) | 10V | 190mohm @ 4.2a, 10V | 4V A 210µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 718 pf @ 400 V | - | 76W (TC) | ||||||||||||
 | SP8J5TB | 1.5669 | | 3256 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8J5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 7a | 28mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1MA | 25NC @ 5V | 2600pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | BUK9Y7R6-40E, 115 | 0,5313 | | 6583 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-100, SOT-669 | Buk9y7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 79a (TC) | 5V, 10V | 6mohm @ 20a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 16,4 nc @ 5 V | ± 10V | 2403 pf @ 25 V | - | 95W (TC) | ||||||||||||
 | DMN61D9UV-13 | - | | 6243 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN61 | SOT-23-3 | download | 31-DMN61D9UV-13 | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRL3714ZSTRR | - | | 6280 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 v | 36a (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 7,2 nc @ 4,5 V | ± 20V | 550 pf @ 10 V | - | 35W (TC) | |||||||||||||
 | ATF-531P8-TR1 | - | | 2477 | 0,00000000 | Broadcom Limited | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 7 v | 8-WFDFN PAD EXPOSTO | ATF-531P8 | 2GHz | E-phemt | 8-lpcc (2x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 300mA | 135 MA | 24.5dbm | 20dB | 0,6dB | 4 v | ||||||||||||||||||
 | IRLU2703pbf | - | | 8324 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 leva Curtos, Ipak, TO-251AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | IPAK (TO-251AA) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 30 v | 23a (TC) | 4.5V, 10V | 45mohm @ 14a, 10v | 1V a 250µA | 15 NC a 4,5 V | ± 16V | 450 pf @ 25 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||
 | NTMC1300R2 | - | | 4358 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NTMC13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 2.2a, 1.8a | 90mohm @ 3a, 10V | 2.2V A 250µA | 5NC @ 4.5V | 300pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||
 | DMC2053UVTQ-7 | 0,4900 | | 225 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMC2053 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW (TA) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 4.6a (ta), 3.2a (ta) | 35mohm @ 5a, 4.5V, 74mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 3.6NC @ 4.5V, 5.9NC @ 4.5V | 369pf @ 10V, 440pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | FQD6N25TF | - | | 5372 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | FQD6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 250 v | 4.4a (TC) | 10V | 1ohm @ 2.2a, 10V | 5V A 250µA | 8,5 nc @ 10 V | ± 30V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||
 | BLF6G10LS-160,118 | - | | 2479 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem do chassi | SOT-502B | BLF6G10 | - | LDMOS | SOT502B | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||
 | YJL3407A | 0,0390 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-yjl3407atr | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPF09N03LA | - | | 3633 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | IPF09N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA252-3-23 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 8.6mohm @ 30a, 10V | 2V @ 20µA | 13 NC @ 5 V | ± 20V | 1642 pf @ 15 V | - | 63W (TC) | ||||||||||||
 | NVMFS6H801NWFT1G | 1.3770 | | 2003 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | Nvmfs6 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 v | 23a (ta), 157a (tc) | 10V | 2.8mohm @ 50a, 10V | 4V A 250µA | 64 nc @ 10 V | ± 20V | 4120 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 166W (TC) | ||||||||||||
 | IPP45N06S4L08AKSA2 | - | | 1483 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ipp45n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 v | 45a (TC) | 4.5V, 10V | 8.2mohm @ 45a, 10V | 2.2V @ 35µA | 64 nc @ 10 V | ± 16V | 4780 pf @ 25 V | - | 71W (TC) | ||||||||||||
 | ICE10N73 | - | | 2437 | 0,00000000 | Tecnologia da Icemos | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | 5133-Ice10N73 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 730 v | 10a (TC) | 10V | 350mohm @ 5a, 10V | 3,5V a 250µA | 81 nc @ 10 V | ± 20V | 2624 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||||||||||
 | BLA6H0912-500,112 | 639.9000 | | 8935 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Ativo | 100 v | Montagem do chassi | SOT634A | Bla6 | 960MHz ~ 1,22 GHz | LDMOS | SOT634A | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 54a | 100 ma | 450W | 17db | - | 50 v | ||||||||||||||||
 | IRF3805pbf | 3.7900 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IRF3805 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001561690 | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 10V | 3.3mohm @ 75a, 10V | 4V A 250µA | 290 nc @ 10 V | ± 20V | 7960 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||
 | SI2304A | 0,4500 | | 3 | 0,00000000 | Umw | Umw | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 3.000 | N-canal | 30 v | 3.6a (ta) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 3.5a, 10V | 3V A 250µA | 7 nc @ 5 V | ± 20V | 555 pf @ 15 V | - | 1.25W (TA) |
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