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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jan2n7334 | - |  | 7192 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/597 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | MO-036AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 n-canal | 100V | 1a | 700MOHM @ 600MA, 10V | 4V A 250µA | 60NC @ 10V | - | - | ||
| DMT10H032LDV-13 | 0,3567 | | 3412 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMT10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1W (TA) | PowerDi3333-8 (TIPO UXC) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMT10H032LDV-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 18a (TC) | 36mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 11.9NC @ 10V | 683pf @ 50V | - | |||
 | Di2a8n03pwk2-aq | 0.2014 | | 9463 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1W (TA) | 6-QFN (2x2) | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 2796-Di2A8N03PWK2-AQTR | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 n-canal | 30V | 2.8a (ta) | 72mohm @ 2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 6.8nc @ 4.5V | 387pf @ 15V | Padrão | |||
| BUK7K29-100E/1X | - | | 6636 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Última Vez compra | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk7K29 | 68W (TA) | LFPAK56D | - | 1727-BUK7K29-100E/1X | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100V | 29.5a (TA) | 24.5mohm @ 10a, 10V | 4V @ 1MA | 38.1NC @ 10V | 2436pf @ 25V | Padrão | ||||||
 | AO4807 | 0,8800 | | 13 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 6a | 35mohm @ 6a, 10V | 2.4V a 250µA | 16NC @ 10V | 760pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI4567DY-T1-GE3 | - | | 8437 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4567 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2,75W, 2.95W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 40V | 5a, 4.4a | 60mohm @ 4.1a, 10V | 2.2V A 250µA | 12NC @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||
 | Qs8k11tcr | 0,9200 | | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QS8K11 | - | 1.5W | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3.5a | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3.3NC @ 5V | 180pf @ 10V | - | ||
| FDSS2407-SB82086P | - | | 5064 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | FDSS24 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-FDSS2407-SB82086PTR | 2.500 | - | |||||||||||||||
 | FDD8424H-F085A | - | | 8930 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD | FDD8424 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | TO-252-4 | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N E P-Canal | 40V | 9a, 6.5a | 24mohm @ 9a, 10V | 3V A 250µA | 20NC @ 10V | 1000pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | FDMS3669S | 0,8500 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3669 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w (ta), 2,2w (tc), 1w (ta), 2,5w (tc) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 352 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 13a (ta), 24a (tc), 18a (ta), 60a (tc) | 10mohm @ 13a, 10V, 5mohm @ 18a, 10V | 2,7V a 250µA, 2,5V a 1Ma | 24NC @ 10V, 34NC @ 10V | 1605pf @ 15V, 2060pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | IRF7380QTRPBF | - | | 8285 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7380 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 3.6a | 73mohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 23NC @ 10V | 660pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | DMNH6042SSD-13 | 0,3830 | | 7164 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMNH6042 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 16.7a (TC) | 50mohm @ 5.1a, 10V | 3V A 250µA | 4.2NC @ 4.5V | 584pf @ 25V | - | ||
 | SI7844DP-T1-GE3 | - | | 6195 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7844 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||
| SCH1306-TL-E | 1.0000 | | 5992 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | SCH1306 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 5.000 | - | ||||||||||||||||
 | AONL32328 | 0,8900 | | 10 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-POWERWDFN | AONL323 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.6W (TA) | 12-DFN-EP (4x3) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 NE 2 Canal P | 30V | 8a (ta), 7a (ta) | 21mohm @ 8a, 10v, 27mohm @ 7a, 10v | 2,4V a 250µA, 2,6V a 250µA | 15NC @ 10V, 24NC @ 10V | 395pf @ 15V, 730pf @ 15V | - | ||
 | DMC2400UV | - | | 1276 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMC2400 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 450mW (TA) | SOT-563 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMC2400UV | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | N e P-Canal complementar | 20V | 1.03a (ta), 700mA (ta) | 480MOHM @ 200MA, 5V, 970MOHM @ 100MA, 5V | 900mv @ 250µA, 1V @ 250µA | 0,5NC @ 4,5V, 0,8NC @ 10V | 37.1pf @ 10V, 46.1pf @ 10V | - | |||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | SQ1539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 850mA (TC) | 280mohm @ 1a, 10v, 940mohm @ 500mA, 10V | 2.6V a 250µA | 1.4NC @ 4.5V, 1.6NC @ 4.5V | 48pf @ 15V, 50pf @ 15V | - | |||
 | DMN62D0UDWQ-7 | 0,0993 | | 8969 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN62 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 320mW (TA) | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMN62D0UDWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 350mA (TA) | 2OHM @ 100MA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | 0,5NC @ 4.5V | 32pf @ 30V | - | |||
 | Nvmfd5489nlt3g | - | | 1076 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD5483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3w | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 65mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 12.4NC @ 10V | 330pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| MSCSM120DDUM16TBL3NG | - | | 4184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 560W | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120DDUM16TBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n, Fonte Comum | 1200V (1,2kV) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |
 | SI1922EDH-T1-BE3 | 0,4100 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1922 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 740MW (TA), 1,25W (TC) | SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 1.3a (ta), 1.3a (tc) | 198MOHM @ 1A, 4.5V | 1V a 250µA | 2.5NC @ 8V | - | - | |||
 | FDC6320C | 0,2200 | | 275 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6320 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SuperSot ™ -6 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N E P-Canal | 25V | 220mA, 120mA | 4ohm @ 400mA, 4.5V | 1,5V a 250µA | 0,4NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||
| FDC6333C-G | - | | 6759 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6333 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW (TA) | SuperSot ™ -6 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-FDC6333C-GTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 2.5a (ta), 2a (ta) | 95mohm @ 2.5a, 10v, 130mohm @ 2a, 10V | 3V A 250µA | 6.6NC @ 10V, 5.7NC @ 10V | 282pf @ 15V, 185pf @ 15V | - | ||
 | CPH5614-TL-E | 0,3200 | | 21 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | CPH5614 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | ||||||||||||||
| DMG1026UV-7 | 0,4000 | | 156 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMG1026 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 580mw | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 410mA | 1.8OHM @ 500MA, 10V | 1.8V a 250µA | 0,45NC @ 10V | 32pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| SI4501BDY-T1-GE3 | 0,6300 | | 53 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4501 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4,5W, 3,1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal, Dreno Comum | 30V, 8V | 12a, 8a | 17mohm @ 10a, 10V | 2V A 250µA | 25NC @ 10V | 805pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | FDMS3622S | - | | 3054 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3622 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | Power56 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 25V | 17.5a, 34a | 5mohm @ 17.5a, 10V | 2V A 250µA | 26NC @ 10V | 1570pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | ||
| APTC60VDAM45T1G | 73.1700 | | 7035 | 0,00000000 | Microchip Technology | Coolmos ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | SP1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 600V | 49a | 45mohm @ 24.5a, 10V | 3.9V @ 3Ma | 150NC @ 10V | 7200pf @ 25V | Super Junction | ||
 | DMN3061SVTQ-7 | 0,4700 | | 3057 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMN3061 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 880MW (TA) | TSOT-26 | - | 31-DMN3061SVTQ-7 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3.4a (ta) | 60mohm @ 3.1a, 10V | 1.8V a 250µA | 6.6NC @ 10V | 278pf @ 15V | Padrão | ||||
 | PJL9812_R2_00201 | 0,6300 | | 4 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9812 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a (ta) | 35mohm @ 6a, 10V | 1.3V a 250µA | 5.1NC @ 4.5V | 421pf @ 15V | - |
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