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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4214DDY-T1-GE3 | 0,6900 |  | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4214 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8.5a | 19.5mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 22NC @ 10V | 660pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| SI4816DY-T1-GE3 | - | | 9991 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4816 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1W, 1,25W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 5.3a, 7.7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 2V A 250µA | 12NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | 2SK3355-S-AZ | - | | 8988 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | 2SK3355 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | Sh8ke7tb1 | 2.1000 | | 2067 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8ke7 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | - | 1 (ilimito) | 2.500 | 2 n-canal | 100V | 8a (ta) | 20.9mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 1MA | 19.8NC @ 10V | 1110pf @ 50V | Padrão | ||||||
 | NTJD4158CT1G | 0,4300 | | 6287 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD4158 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 270mw | SC-88/SC70-6/SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V, 20V | 250mA, 880mA | 1.5OHM @ 10MA, 4.5V | 1.5V @ 100µA | 1.5NC @ 5V | 33pf @ 5V | Portão de Nível Lógico | ||
| APTMC120TAM34CT3AG | - | | 4034 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | APTMC120 | Carboneto de Silício (sic) | 375W | SP3 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 1200V (1,2kV) | 74a (TC) | 34mohm @ 50a, 20V | 4V @ 15Ma | 161NC @ 5V | 2788pf @ 1000V | - | |||
 | FDMS7606 | - | | 2258 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMS76 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | Power56 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 11.5a, 12a | 11.4mohm @ 11.5a, 10V | 3V A 250µA | 22NC @ 10V | 1400pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||
| MSCSM170HM087CAG | 1.0000 | | 9 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (sic) | 1.114kW (TC) | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM170HM087CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais N (Ponte Conclatá) | 1700V (1,7KV) | 238a (TC) | 11.3mohm @ 120a, 20V | 3.2V @ 10Ma | 712NC @ 20V | 13200pf @ 1000V | - | |
 | Tt8j2tr | 0,9800 | | 10 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | TT8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W | 8-TSST | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 2.5a | 84mohm @ 2.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 4.8NC @ 5V | 460pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| ECH8604-TL-E | - | | 1868 | 0,00000000 | Sanyo | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-SMD, FiOS Planos | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W (TA) | 8-ECH | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-ECH8604-TL-E-600057 | 1 | 2 n-canal | 20V | 6a (ta) | 30mohm @ 3a, 4v | 1.3V @ 1MA | 23NC @ 10V | 700pf @ 10V | - | |||||
| SI4946BEY-T1-E3 | 1.4800 | | 27 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4946 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 6.5a | 41mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | |||
| DMHT3006LFJ-13 | 0,5153 | | 1606 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-powervdfn | DMHT3006 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W (TA) | V-DFN5045-12 (TIPO C) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 30V | 13A (TA) | 10mohm @ 10a, 10V | 3V A 250µA | 17NC @ 10V | 1171pf @ 15V | - | ||
 | FDMA1023PZ | - | | 3139 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | FDMA1023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | 6-microfet (2x2) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3.7a | 72mohm @ 3.7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 12NC @ 4.5V | 655pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | IRF6802SDTRPBF | 0,8100 | | 5 | 0,00000000 | Retificador Internacional | DirectFET ™ | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SA | IRF6802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA), 21W (TC) | DirectFet ™ ISOMÉTRICO SA | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1.117 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 16a (ta), 57a (tc) | 4.2mohm @ 16a, 10V | 2.1V @ 35µA | 13NC @ 4.5V | 1350pf @ 13V | - | ||
| HAT2292C-EL-E | 0,3400 | | 9 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem na Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | HAT2292 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 6-cmfpak | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-HAT2292C-EL-E | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 1.5a | 205mohm @ 1.5a, 4.5V | - | - | - | - | ||
 | UPA2755GR-E2-A | - | | 5462 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA2755 | - | 8-PSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a | 2.2NC @ 10V | 650pf @ 10V | - | |||||
 | FDS6894AZ | - | | 9708 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS68 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 17mohm @ 8a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 20NC @ 4.5V | 1455pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
| FDMB3800N | - | | 6599 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMB3800 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 750mw | 8-mlp, microfet (3x1.9) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 587 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.8a | 40mohm @ 4.8a, 10V | 3V A 250µA | 5.6NC @ 5V | 465pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | SQ1912AEEH-T1_GE3 | 0,4900 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1912 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | SC-70-6 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 800mA (TC) | 280mohm @ 1.2a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 1.25NC @ 4.5V | 27pf @ 10V | - | ||||
 | SQ3989EV-T1_BE3 | 0,6000 | | 8623 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SQ3989 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.67W (TC) | 6-TSOP | download | 1 (ilimito) | 742-SQ3989EV-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 2.5a (TC) | 155mohm @ 400ma, 10V | 1,5V a 250µA | 11.1NC @ 10V | - | - | |||
 | FDMS3668S | - | | 8452 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3668 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | Power56 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 13a, 18a | 8mohm @ 13a, 10V | 2.7V @ 250µA | 29NC @ 10V | 1765pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | NX3008NBKV, 115 | 0,4200 | | 18 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | NX3008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | SOT-666 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 400mA | 1.4OHM @ 350MA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0,68NC @ 4.5V | 50pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| FDMS3604As | - | | 6826 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3604 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | Power56 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 13a, 23a | 8mohm @ 13a, 10V | 2.7V @ 250µA | 29NC @ 10V | 1695pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
| TSM200N03DPQ33 | 0,6553 | | 5162 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | TSM200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 20W (TC) | 8-pdfn (3x3) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM200N03DPQ33TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 15.000 | 2 n-canal | 30V | 20a (TC) | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 4.1NC @ 4.5V | 345pf @ 25V | Padrão | ||
| APTC80DSK29T3G | - | | 6852 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 156W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 800V | 15a | 290mohm @ 7.5a, 10V | 3.9V @ 1MA | 90NC @ 10V | 2254pf @ 25V | - | |||
 | AUIRF7313QTR | 2.4100 | | 9744 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF7313 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.9a | 29mohm @ 6.9a, 10V | 3V A 250µA | 33NC @ 10V | 755pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | 2SK2631-TL-E-ON | 0,8200 | | 16 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 2SK2631 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 700 | - | ||||||||||||||
 | AON4807 | - | | 8703 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W | 8-DFN (3x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 4a | 68mohm @ 4a, 10V | 2.3V A 250µA | 10NC @ 10V | 290pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
| MSCSM120DDUM16TBL3NG | - | | 4184 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 560W | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120DDUM16TBL3NG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n, Fonte Comum | 1200V (1,2kV) | 150a | 16mohm @ 80a, 20V | 2.8V @ 6MA | 464NC @ 20V | 6040pf @ 1000V | - | |
| SCH1306-TL-E | 1.0000 | | 5992 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | SCH1306 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 5.000 | - |
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