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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EFC6617R-A-TF | - |  | 8230 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | - | EFC6617 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-EFC6617R-A-TF-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | ||||||||||
 | FDMB3800N | 1.3400 | | 12 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMB3800 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 750mw | 8-mlp, microfet (3x1.9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.8a | 40mohm @ 4.8a, 10V | 3V A 250µA | 5.6NC @ 5V | 465pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| NXH040F120MNF1PTG | 122.7500 | | 8588 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH040 | Carboneto de Silício (sic) | 74W (TJ) | 22-PIM (33,8x42,5) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH040F120MNF1PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 4 n-canal | 1200V (1,2kV) | 30a (TC) | 56mohm @ 25a, 20V | 4.3V @ 10Ma | 122.1NC @ 20V | 1505pf @ 800V | - | |
| VN0606M | 0,3900 | | 26 | 0,00000000 | Siliconix | * | Volume | Ativo | VN0606 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | IRF7351pbf | - | | 9320 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7351pbf | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001570426 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 8a | 17.8mohm @ 8a, 10V | 4V @ 50µA | 36NC @ 10V | 1330pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | |
| 3LN04SS-TL-H | 0,0500 | | 6 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 3LN04 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 10.000 | - | |||||||||||||||
 | BSO330N02KG | 0,2300 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | BSO330N02 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PG-DSO-8 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.4a | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.2V @ 20µA | 4.9NC @ 4.5V | 730pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| FQP3N50CTF | 0,3700 | | 1431 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | Fqp3n | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 724 | - | ||||||||||||||||
 | G4953S | 0,0970 | | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | G4953 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W (TC) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 5a (TC) | 60mohm @ 5a, 10V | 3V A 250µA | 11NC @ 10V | 520pf @ 15V | - | ||
| DMTH10H032LPDW-13 | 0,3895 | | 7332 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W (TA), 37W (TC) | PowerDi5060-8 (Tipo UXD) | download | 31-DMTH10H032LPDW-13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 n-canal | 100V | 24a (TC) | 32mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 11.9NC @ 10V | 683pf @ 50V | Padrão | ||||
 | SI1926DL-T1-GE3 | 0,4100 | | 112 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 510MW | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 370mA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMG6602SVT-7 | 0,3800 | | 193 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMG6602 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 840mw | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 3.4a, 2.8a | 60mohm @ 3.1a, 10V | 2.3V A 250µA | 13NC @ 10V | 400pf @ 15V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4.5V | ||
 | BSL308CL6327HTSA1 | - | | 4093 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | BSL308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | PG-TSOP6-6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 2.3a, 2a | 80mohm @ 2a, 10V | 2V @ 11µA | 500NC @ 10V | 275pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SQJ952EP-T1_BE3 | 1.1400 | | 9816 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ952 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 25W (TC) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ952EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 23a (TC) | 20mohm @ 10.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 30NC @ 10V | 1800pf @ 30V | - | |||
 | DMN601DMK-7 | 0,4100 | | 83 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | DMN601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 510mA | 2.4ohm @ 200Ma, 10V | 2.5V @ 1MA | 0,304NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| MCH3360-TL-E-ON | - | | 7675 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | MCH3360 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 3.000 | - | ||||||||||||||||
 | SIZ790DT-T1-GE3 | - | | 6718 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | SkyFet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerpair ™ | SIZ790 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W, 48W | 6-Powerpair ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 16a, 35a | 9.3mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 24NC @ 10V | 830pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SQJ570EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 5611 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ570 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 100V | 15a (TC), 9.5a (TC) | 45mohm @ 6a, 10v, 146mohm @ 6a, 10v | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V, 15NC @ 10V | 650pf @ 25V, 600pf @ 25V | - | |||
 | CSD88584Q5DC | 3.7700 | | 4 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 12w | 22-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 40V | - | 0,95MOHM @ 30A, 10V | 2.3V A 250µA | 88NC @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | ||
 | IRF7504TR | - | | 7810 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP, 8 msop (0,118 ", 3,00 mm de largura) | IRF7504 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W | Micro8 ™ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.7a | 270mohm @ 1.2a, 4.5V | 700MV A 250µA | 8.2nc @ 4.5V | 240pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI1016CX-T1-GE3 | 0,4700 | | 1941 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 220mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | - | 396mohm @ 500mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2NC @ 4.5V | 43pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMN3055LFDB-7 | 0,1457 | | 4023 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMN3055 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | U-DFN2020-6 (TIPO B) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 5a (ta) | 40mohm @ 3a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 5.3nc @ 4.5V | 458pf @ 15V | - | ||||
| GWM100-01X1-SLSAM | - | | 8881 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 17-SMD, Fios Planos | GWM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Isoplus-Dil ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 100V | 90A | 8.5mohm @ 80a, 10V | 4.5V a 250µA | 90NC @ 10V | - | - | ||
 | VMK165-007T | 52.6539 | | 3541 | 0,00000000 | Ixys | - | CAIXA | Não é para desenhos para Novos | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | TO-240AA | VMK165 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | TO-240AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 36 | 2 canal n (Duplo) | 70V | 165a | 7mohm @ 82.5a, 10V | 4V @ 8MA | 480NC @ 10V | 8800pf @ 25V | - | ||
| GWM100-01X1-SMDSAM | - | | 4303 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 17-SMD, Asa de Gaivota | GWM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Isoplus-Dil ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 100V | 90A | 8.5mohm @ 80a, 10V | 4.5V a 250µA | 90NC @ 10V | - | - | ||
 | FDS6986As | 1.0000 | | 6427 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench®, SyncFET ™ | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS69 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.5a, 7.9a | 29mohm @ 6.5a, 10V | 3V A 250µA | 17NC @ 10V | 720pf @ 10V | Portão de Nível Lógico |
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