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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7319pbf | - |  | 4284 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF731 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N E P-Canal | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V a 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | - | ||
 | SH8M4TB1 | 0,8831 | | 5604 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8m4 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 9a, 7a | 18mohm @ 9a, 10V | 2.5V @ 1MA | 15NC @ 5V | 1190pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| IRF9953PBF | - | | 8936 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF995 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001565680 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 2.3a | 250mohm @ 1a, 10v | 1V a 250µA | 12NC @ 10V | 190pf @ 15V | - | |
 | DMHC4035LSDQ-13 | 1.1100 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMHC4035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W (TA) | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 NE 2 Canal P (Meia Ponte) | 40V | 4.5a (ta), 3.7a (ta) | 45mohm @ 3.9a, 10v, 65mohm @ 4.2a, 10V | 3V A 250µA | 5.9nc @ 4.5V, 5.4NC @ 4.5V | 574pf @ 20V, 587pf @ 20V | - | ||
 | IRF7311PBF | 0,2900 | | 6902 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF731 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 40 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6.6a | 29mohm @ 6a, 4.5V | 700MV A 250µA | 27NC @ 4.5V | 900pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | G1K2C10S2 | 0.1990 | | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TC), 3,1W (TC) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | - | 100V | 3a (TC), 3.5a (TC) | 130mohm @ 5a, 10v, 200mohm @ 3a, 10v | 2,5V a 250µA | 22NC @ 10V, 23NC @ 10V | 668pf @ 50V, 1732pf @ 50V | Padrão | ||||
| Sh8k37gzetb | 1.6100 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8k37 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 5.5a (ta) | 46mohm @ 5.5a, 10V | 2.7V @ 100µA | 9.7NC @ 10V | 500pf @ 30V | - | ||
 | SI5517DU-T1-E3 | - | | 7282 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® Chipfet ™ Dual | SI5517 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8.3w | PowerPak® Chipfet Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 6a | 39mohm @ 4.4a, 4.5V | 1V a 250µA | 16NC @ 8V | 520pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDQ7236AS | - | | 4034 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 14-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDQ72 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W, 1.1W | 14-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 14a, 11a | 8.7mohm @ 14a, 10v | 3V A 250µA | 24NC @ 15V | 920pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | DMG4511SK4-13 | 0,7600 | | 6716 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD | DMG4511 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.54W | TO-252-4L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal, Dreno Comum | 35V | 5.3a, 5a | 35mohm @ 8a, 10V | 3V A 250µA | 18.7NC @ 10V | 850pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDZ1905pz | 0,3400 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-UFBGA, WLCSP | FDZ1905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 6-WLCSP (1x1.5) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 Canal P (Duplo) | - | - | 126mohm @ 1a, 4.5V | 1V a 250µA | - | - | Portão de Nível Lógico | |||||
 | DMN12M7UCA10-7-01 | 0,3371 | | 8551 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 10-smd, sem chumbo | DMN12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 740mw | X4-DSN3015-10 | download | 31-DMN12M7UCA10-7-01 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 12V | 20.2a (TA) | 2.75mohm @ 6a, 4.5V | 1.4V @ 1.11MA | 35.7NC @ 4V | 3039pf @ 10V | Padrão | ||||
 | NDM3000 | - | | 3491 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NDM300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 16-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 3 NE 3 Canal P (Ponte de Três Fases) | 30V | 3a | 90mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 25NC @ 10V | 360pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SI9934BDY-T1-GE3 | - | | 3322 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9934 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 12V | 4.8a | 35mohm @ 6.4a, 4.5V | 1.4V A 250µA | 20NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI3983DV-T1-E3 | - | | 5709 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3983 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| SI4946BEY-T1-GE3 | 1.4800 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4946 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 6.5a | 41mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 25NC @ 10V | 840pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | |||
 | MCH6613-TL-E | - | | 5818 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | MCH6613 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | 6-mcph | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 350mA, 200Ma | 3.7Ohm @ 80MA, 4V | - | 1.58NC @ 10V | 7pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
| UPA1760G-E1-A | 1.6700 | | 12 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA1760 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-UPA1760G-E1-A | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a (ta) | 26mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1MA | 14NC @ 10V | 760pf @ 10V | - | ||
 | QS6K21FRATR | 0,6900 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | QS6K21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 950MW (TA) | TSMT6 (SC-95) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 45V | 1a (ta) | 420mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.1NC @ 4.5V | 95pf @ 10V | - | ||
 | AO4800 | - | | 4409 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.9a | 27mohm @ 6.9a, 10V | 1,5V a 250µA | 7NC @ 4.5V | 630pf @ 15V | - | ||
| SI4922BDY-T1-E3 | 1.6000 | | 12 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4922 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a | 16mohm @ 5a, 10V | 1.8V a 250µA | 62NC @ 10V | 2070pf @ 15V | - | |||
 | IPG20N06S4L14ATMA1 | - | | 4474 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 50W | Pg-tdson-8-4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000705540 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 20a | 13.7mohm @ 17a, 10V | 2.2V @ 20µA | 39NC @ 10V | 2890pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |
 | QH8M22TCR | 1.2800 | | 20 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QH8M22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W (TA) | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 40V | 4.5a (ta), 2a (ta) | 46mohm @ 4.5a, 10v, 190mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 10µA, 3V @ 1MA | 2.6NC @ 10V, 9.5NC @ 10V | 193pf @ 20V, 450pf @ 20V | - | ||
| Ssm5p15fu, lf | 0,4500 | | 2 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | SSM5P15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 200MW (TA) | USV | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 100mA (ta) | 12OHM @ 10MA, 4V | 1.7V @ 100µA | - | 9.1pf @ 3V | - | |||
 | SLA5061 | - | | 9674 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Guia Exposta de 12-sip | SLA50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5W | 12-sip | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SLA5061 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 3 NE 3 Canal P (Ponte de Três Fases) | 60V | 10a, 6a | 140mohm @ 5a, 4v | - | - | 460pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| Aptc60ddam70t3g | - | | 4479 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTC60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 600V | 39a | 70mohm @ 39a, 10V | 3.9V @ 2.7MA | 259NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||
 | SQ1563AEH-T1_GE3 | 0,5300 | | 841 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | SQ1563 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 850mA (TC) | 280mohm @ 850mA, 4,5V, 575mohm @ 800mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 1.25NC @ 4.5V, 1.33NC @ 4.5V | 89pf @ 10V, 84pf @ 10V | - | ||||
| NXH020U90MNF2PTG | 258.0600 | | 20 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH020 | Carboneto de Silício (sic) | 352W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH020U90MNF2PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 2 canal n (Duplo) | 900V | 149a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | |
| Qh8kb5tcr | 0,7400 | | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QH8KB5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W (TA) | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 4.5a (ta) | 44mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3.5NC @ 10V | 150pf @ 20V | - | ||
| Ixtl2x180n10t | 18.9388 | | 4108 | 0,00000000 | Ixys | Trincheira | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | Isoplusi5-Pak ™ | Ixtl2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150W | Isoplusi5-Pak ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 100a | 7.4mohm @ 50a, 10V | 4.5V a 250µA | 151NC @ 10V | 6900pf @ 25V | - |
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