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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AOC2800 | - | ![]() | 6085 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-UFBGA, WLCSP | AOC280 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | 4-WLCSP (1,57x1,57) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | - | - | - | - | 9.1NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||
![]() | RF1S30P06 | - | ![]() | 1602 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | RF1S | - | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | NTUD3169CZT5G | 0,5500 | ![]() | 71 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-963 | NTUD3169 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 125mW | SOT-963 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N E P-Canal | 20V | 220mA, 200Ma | 1.5OHM @ 100MA, 4,5V | 1V a 250µA | - | 12.5pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
![]() | SI5905BDC-T1-GE3 | - | ![]() | 2661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 8V | 4a | 80mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V a 250µA | 11nc @ 8v | 350pf @ 4V | Portão de Nível Lógico | ||
FDW2503NZ | 0,5500 | ![]() | 136 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.5a | 20mohm @ 5.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||
![]() | SIZ342ADT-T1-GE3 | 0,8600 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ342 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.7W (TA), 16,7W (TC) | 8-Power33 (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZ342ADT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 15.7a (ta), 33.4a (tc) | 9.4mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 12.2NC @ 10V | 580pf @ 15V | - | ||
![]() | BUK963R2-40B | 1.0000 | ![]() | 3559 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk963 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | MSCSM70TLM07CAG | 741.9300 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM70 | Carboneto de Silício (sic) | 966W (TC) | Sp6c | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM70TLM07CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (três inversores de nível) | 700V | 349a (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12Ma | 645NC @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |
![]() | DMC3061SVT-7 | - | ![]() | 7486 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMC3061 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 880mw | TSOT-23-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMC3061SVT-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 3.4a (ta), 2.7a (ta) | 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10V | 1,8V a 250µA, 2,2V a 250µA | 6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V | 278pf @ 15V, 287pf @ 15V | - | |
NTMD2C02R2SG | - | ![]() | 2361 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Ntmd2c | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 20V | 5.2a, 3.4a | 43mohm @ 4a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 20NC @ 4.5V | 1100pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
![]() | DMP2108UCB6-7 | - | ![]() | 7038 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFBGA, WLBGA | DMP2108 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 840mw | U-WLB1510-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-DMP2108UCB6-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.25a | 55mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.1NC @ 4.5V | 269pf @ 10V | - | |
![]() | DMN2014LHAB-13 | 0,1592 | ![]() | 4205 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFDFN PAD EXPOSTO | DMN2014 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mW (TA) | U-DFN2030-6 (TIPO B) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMN2014lHAB-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 9a (ta) | 13mohm @ 4a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 16NC @ 4.5V | 1550pf @ 10V | - | |||
![]() | AUIRF7319QTR | - | ![]() | 4004 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF7319 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001520168 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 30V | 6.5a, 4.9a | 29mohm @ 5.8a, 10V | 3V A 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |
![]() | IRF630A_CP001 | 0,4000 | ![]() | 227 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | IRF630 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | FW217-NMM-TL-E | 0,5500 | ![]() | 104 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | FW217 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||
![]() | SIZ340ADT-T1-GE3 | 1.1100 | ![]() | 16 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ340 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3,7W (TA), 16,7W (TC), 4,2W (TA), 31W (TC) | 8-Power33 (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZ340ADT-T1-GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 15.7a (ta), 33.4a (tc), 25.4a (ta), 69.7a (tc) | 9.4mohm @ 10a, 10v, 4.29mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 12.2NC @ 10V, 27,9NC @ 10V | 580pf @ 15V, 1290pf @ 15V | - | ||
![]() | DMT3020LFDBQ-13 | 0,1688 | ![]() | 2389 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | DMT3020 | - | 700mW | U-DFN2020-6 (TIPO B) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMT3020LFDBQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7.7a (ta) | 20mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 7NC @ 10V | 393pf @ 15V | - | |||
![]() | MCQD09P04-TP | 0,9700 | ![]() | 6803 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MCQD09 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TJ) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 8.000 | 2 Canal P. | 40V | 9a (TC) | 23mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 75NC @ 10V | 3302pf @ 30V | Padrão | |||
EMH2308-TL-H | - | ![]() | 7162 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | EMH2308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-EMH | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3a | 85mohm @ 3a, 4.5V | - | 4NC @ 4.5V | 320pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.8V | ||||
![]() | TSM500P02DCQ RFG | 1.1900 | ![]() | 83 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | TSM500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 620mw | 6-tdfn (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.7a (TC) | 50mohm @ 3a, 4.5V | 800mV A 250µA | 9.6NC @ 4.5V | 1230pf @ 10V | - | ||
FDW2506P | - | ![]() | 6293 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 5.3a | 22mohm @ 5.3a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 34NC @ 4.5V | 1015pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
![]() | SI4952DY-T1-GE3 | - | ![]() | 8181 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4952 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.8W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 8a | 23mohm @ 7a, 10V | 2.2V A 250µA | 18NC @ 10V | 680pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | ||
DMN32D0LVQ-7 | 0,4600 | ![]() | 4321 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMN32 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 480MW (TA) | SOT-563 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 680mA (TA) | 1.2OHM @ 100MA, 4V | 1.2V a 250µA | 0,62NC @ 4.5V | 44.8pf @ 15V | Padrão | ||||
![]() | IRF810 | 0,4600 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | IRF81 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
![]() | MCS8804-TP | - | ![]() | 6309 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MCS8804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MCS8804-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 13mohm @ 8a, 10V | 1V a 250µA | 17.9NC @ 4.5V | 1800pf @ 10V | - | ||
![]() | FSS133-TL-E | 0,7700 | ![]() | 17 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | FSS133 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||
2N7002VC-7 | 0,4000 | ![]() | 33 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 280mA | 7.5Ohm @ 50Ma, 5V | 2,5V a 250µA | - | 50pf @ 25V | - | |||
![]() | STS2DNF30L | 0,8800 | ![]() | 7207 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | STS2DNF30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3a | 110mohm @ 1a, 10V | 2,5V a 250µA | 4.5NC @ 10V | 121pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
![]() | AON3611 | 0,6000 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON361 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W, 2,5W | 8-DFN (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal, Dreno Comum | 30V | 5a, 6a | 50mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 10NC @ 10V | 170pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
![]() | RM2003 | 0,0620 | ![]() | 9948 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | RM200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mW (TA) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM2003TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N E P-Canal | 20V | 3a (ta) | 35mohm @ 3a, 4.5V, 75mohm @ 2.5a, 4.5V | 1,2V a 250µA, 1V a 250µA | 5NC @ 4.5V, 3.2NC @ 4.5V | 260pf @ 10V, 325pf @ 10V | - |
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