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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN62D0UDWQ-7 | 0,0993 |  | 8969 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN62 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 320mW (TA) | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMN62D0UDWQ-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 350mA (TA) | 2OHM @ 100MA, 4,5V | 1.1V @ 250µA | 0,5NC @ 4.5V | 32pf @ 30V | - | |||
 | Nvmfd5489nlt3g | - | | 1076 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD5483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3w | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 65mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 12.4NC @ 10V | 330pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FMM65-015P | - | | 9046 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | I4 -PAC ™ -5 | FMM65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | Isoplus I4-PAC ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 24 | 2 canal n (Duplo) | 150V | 65a | 22mohm @ 50a, 10V | 4V @ 1MA | 230NC @ 10V | - | - | ||
| ECH8662-TL-HX | - | | 2820 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ECH8662 | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 3.000 | - | |||||||||||||||
 | SI4814BDY-T1-E3 | - | | 2310 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4814 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.3W, 3,5W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 10a, 10.5a | 18mohm @ 10a, 10V | 3V A 250µA | 10NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| Nvmfd5485nlt1g | 1.1465 | | 2243 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD5483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.9W | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 5.3a | 44mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 20NC @ 10V | 560pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDS8978 | 1.0100 | | 13 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7.5a | 18mohm @ 7.5a, 10V | 2,5V a 250µA | 26NC @ 10V | 1270pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMG6302UDW-13 | 0,0490 | | 8002 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMG6302 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 310mW (TA) | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMG6302UDW-13TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 Canal P (Duplo) | 25V | 150mA (TA) | 10ohm a 140mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 0,34NC @ 4.5V | 30.7pf @ 10V | - | |||
 | SQ1539EH-T1_GE3 | 0,7600 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | SQ1539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 850mA (TC) | 280mohm @ 1a, 10v, 940mohm @ 500mA, 10V | 2.6V a 250µA | 1.4NC @ 4.5V, 1.6NC @ 4.5V | 48pf @ 15V, 50pf @ 15V | - | |||
 | DMP58D0SV-7 | - | | 3575 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMP58 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 400mW | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 50V | 160mA | 8ohm @ 100ma, 5V | 2.1V @ 250µA | - | 27pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| MSCSM170AM058CD3AG | 1.0000 | | 6340 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM170 | Carboneto de Silício (sic) | 1.642kW (TC) | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM170AM058CD3AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal (Perna de Fase) | 1700V (1,7KV) | 353a (TC) | 7.5mohm @ 180a, 20V | 3.3V @ 15Ma | 1068NC @ 20V | 19800pf @ 1000V | - | |
 | IRF7380QTRPBF | - | | 8285 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7380 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 3.6a | 73mohm @ 2.2a, 10V | 4V A 250µA | 23NC @ 10V | 660pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | SI7844DP-T1-GE3 | - | | 6195 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7844 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.4a | 22mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||
 | G130N06S2 | 0,9200 | | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.6W (TC) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 n-canal | 60V | 9a (TC) | 13mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 67NC @ 10V | 3021pf @ 30V | Padrão | |||
| GSFB0305 | 0,4400 | | 6 | 0,00000000 | Semicondutor de Boa Coisa | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W (TA), 7.4W (TC) | 6-Ppak (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0080 | 3.000 | 2 Canal P. | 30V | 4.2a (ta), 8a (tc) | 75mohm @ 3a, 10V | 2,5V a 250µA | 10NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | - | |||
 | DF11MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 3849 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Easypack ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | DF11MR12 | Carboneto de Silício (sic) | 20mW | Ag-Easy1b-2 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 50a (TJ) | 22.5mohm @ 50a, 15V | 5.55V @ 20Ma | 124NC @ 15V | 3680pf @ 800V | - | |||
 | FDD8424H-F085A | - | | 8930 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD | FDD8424 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | TO-252-4 | download | Não Aplicável | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N E P-Canal | 40V | 9a, 6.5a | 24mohm @ 9a, 10V | 3V A 250µA | 20NC @ 10V | 1000pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | DMNH6042SSD-13 | 0,3830 | | 7164 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMNH6042 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 16.7a (TC) | 50mohm @ 5.1a, 10V | 3V A 250µA | 4.2NC @ 4.5V | 584pf @ 25V | - | ||
 | ECH8697R-TL-W | 0,6200 | | 4 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8697 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | SOT-28FL/ECH8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 24V | 10a | 11.6mohm @ 5a, 4.5V | - | 6nc @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | ||
 | Sp8k1fu6tb | - | | 4626 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8K1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5a | 51mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 5.5NC @ 5V | 230pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | ECH8664R-TL-H | - | | 8583 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8664 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-ECH | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 7a | 23.5mohm @ 3.5a, 4.5V | - | 10NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||
 | SI6544BDQ-T1-GE3 | - | | 9899 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Si6544 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 3.7a, 3.8a | 43mohm @ 3.8a, 10V | 3V A 250µA | 15NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| IRF7341GTRPBF | 2.2500 | | 20 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF734 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.4W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 55V | 5.1a | 50mohm @ 5.1a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 44NC @ 10V | 780pf @ 25V | - | ||
 | MCH6635-TL-E | 0,0700 | | 84 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | MCH6635 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | - | ||||||||||||||
 | CAB011A12GM3T | 252.2300 | | 4220 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | CAIXA | Ativo | CAB011 | - | Não Aplicável | 1697-CAB011A12GM3T | 18 | |||||||||||||||||||
 | FDC6320C | 0,2200 | | 275 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6320 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SuperSot ™ -6 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N E P-Canal | 25V | 220mA, 120mA | 4ohm @ 400mA, 4.5V | 1,5V a 250µA | 0,4NC @ 4.5V | 9.5pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||||
| SI4948BEY-T1-GE3 | 1.3200 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4948 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 60V | 2.4a | 120mohm @ 3.1a, 10V | 3V A 250µA | 22NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||
 | MMFTN620KD-AQ | - | | 5614 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | SOT-26 | download | Não Aplicável | Não Aplicável | Fornecedor indefinido | 2796-mmftn620kd-aqtr | 8541.21.0000 | 1 | 2 n-canal | 60V | 350mA | 1.5OHM @ 500MA, 10V | 1,5V a 250µA | 1.3NC @ 10V | 35pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||
 | DMN3016LDV-7 | 0,6300 | | 2274 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | DMN3016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDI3333-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo) | 21a (TC) | 12mohm @ 7a, 10V | 2V A 250µA | 9.5NC @ 4.5V | 1184pf @ 15V | - | ||||
 | Qs8k11tcr | 0,9200 | | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | QS8K11 | - | 1.5W | TSMT8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 3.5a | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3.3NC @ 5V | 180pf @ 10V | - |
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