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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DN2625DK6-G | 3.3500 |  | 1871 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Bandeja | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | DN2625 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 8-DFN (5x5) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 490 | 2 canal n (Duplo) | 250V | 1.1a | 3.5OHM @ 1A, 0V | - | 7.04nc @ 1.5V | 1000pf @ 25V | Modo de Esgotamento | ||
 | IPG15N06S3L-45 | - | | 5377 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IPG15N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 21W | Pg-tdson-8-4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 55V | 15a | 45mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 10µA | 20NC @ 10V | 1420pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||
 | NDS9959 | 0,4700 | | 7722 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NDS995 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 50V | 2a | 300mohm @ 1.5a, 10V | 4V A 250µA | 15NC @ 10V | 250pf @ 25V | - | ||||
 | 2SJ356 (0) -T2 -AZ | 0,9400 | | 37 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | 2SJ356 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1.000 | - | ||||||||||||||
 | FD6M033N06 | 3.8100 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Power-spm ™ | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | EPM15 | FD6M033 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | EPM15 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 19 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 73a | 3.3mohm @ 40a, 10V | 4V A 250µA | 129NC @ 10V | 6010pf @ 25V | - | ||||
 | DMN5L06VK-13 | - | | 7829 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMN5L06 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SOT-563 | download | 31-DMN5L06VK-13 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 50V | 280mA (TA) | 2OHM @ 50MA, 5V | 1.2V a 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||||
| SISF02DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 28 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® 1212-8SCD | SISF02 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5.2W (TA), 69,4W (TC) | PowerPak® 1212-8SCD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 25V | 30.5a (ta), 60a (tc) | 3.5mohm @ 7a, 10V | 2.3V A 250µA | 56NC @ 10V | 2650pf @ 10V | - | |||
 | BUK9K134-100EX | 1.0400 | | 2757 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K134 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 32W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 8.5a | 159mohm @ 5a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 7.4NC @ 5V | 755pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | MCH3307-TL-E | 0,1000 | | 138 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | MCH3307 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||
| NXH010P90MNF1PTG | 169.4400 | | 1800 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH010 | Carboneto de Silício (sic) | 328W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH010P90MNF1PTG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | |
 | Sp8k1fratb | 1.3400 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8K1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5a (ta) | 51mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 5.5NC @ 5V | 230pf @ 10V | - | ||
 | HUF76113DK8T | 0,5100 | | 77 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-VFSOP (0,091 ", Largura de 2,30 mm) | HUF76113 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W (TA) | US8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a (ta) | 32mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 19.2NC @ 10V | 605pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| Sp8k31hzgtb | 1.4900 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8K31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-SP8K31HZGTBTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 3.5a (ta) | 120mohm @ 3.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 5.2NC @ 5V | 250pf @ 10V | - | |
 | NVMFD016N06CT1G | 2.2800 | | 8637 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W (TA), 36W (TC) | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 9a (ta), 32a (tc) | 16.3mohm @ 5a, 10V | 4V @ 25µA | 6.9NC @ 10V | 489pf @ 30V | - | ||
 | ECH8602M-TL-H | - | | 4796 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8602 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | 8-ECH | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 30mohm @ 3a, 4.5V | - | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | |||
| FDS8958B | 0,9400 | | 4 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS89 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 6.4a, 4.5a | 26mohm @ 6.4a, 10V | 3V A 250µA | 12NC @ 10V | 540pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| FDMS5361L | 0,4600 | | 5 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | FDMS5361 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||
 | MSCSM70AM025CT6LIAG | 881.2550 | | 5787 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | - | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM70 | Carboneto de Silício (sic) | 1882W (TC) | Sp6c li | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM70AM025CT6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n-canal | 700V | 689a (TC) | - | 2.4V @ 24MA (Typ) | 1290NC @ 20V | 27pf @ 700V | - | ||
 | PSMN6R1-40HLX | 1.8800 | | 6199 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | PSMN6R1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 64W (TA) | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 40A (TA) | 6.1mohm @ 10a, 10V | 2.1V @ 1Ma | 22.2NC @ 5V | 3000pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | Um6j1ntn | 0,4800 | | 19 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Um6j1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | Umt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 200Ma | 1.4OHM @ 200MA, 10V | 2.5V @ 1MA | - | 30pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| RFP50N06R4034 | 0,6100 | | 3 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | RFP50 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | BSD840NH6327XTSA1 | 0,3700 | | 93 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | BSD840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | PG-SOT363-PO | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 880mA | 400mohm @ 880mA, 2,5V | 750mv @ 1.6µA | 0,26NC @ 2,5V | 78pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDMA1023PZ | 0,9500 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | FDMA1023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | 6-microfet (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | FDMA1023PZTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3.7a | 72mohm @ 3.7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 12NC @ 4.5V | 655pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |
 | FW297-TL-2W | - | | 4857 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FW297 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.8W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 58mohm @ 4.5a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 14NC @ 10V | 750pf @ 20V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v | ||
 | FDW2501NZ | - | | 8759 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 5.5a | 18mohm @ 5.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | 1286pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | SI9936BDY-T1-E3 | - | | 3861 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9936 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.5a | 35mohm @ 6a, 10V | 3V A 250µA | 13NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMTH4011SPD-13 | 0,7900 | | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMTH4011 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.6W (TA) | PowerDi5060-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 11.1a (ta), 42a (tc) | 15mohm @ 20a, 10V | 4V A 250µA | 10.6nc @ 10v | 805pf @ 20V | - | ||
 | Ssm6p35afe, lf | 0,4200 | | 10 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Mosvii | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | Ssm6p35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW (TA) | ES6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 250mA (TA) | 1.4OHM @ 150MA, 4.5V | 1V @ 100µA | - | 42pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.2V | |||
| TPC8228-H, LQ | - | | 6012 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | U-Musvi-H | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPC8228 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W (TA) | 8-SOP | download | 264-TPC8228-HLQTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 3.8a | 57mohm @ 1.9a, 10V | 2.3V @ 100µA | 11NC @ 10V | 640pf @ 10V | - | ||||
 | FDC6561AN | 0,6600 | | 3114 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6561 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SuperSot ™ -6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 2.5a | 95mohm @ 2.5a, 10V | 3V A 250µA | 3.2NC @ 5V | 220pf @ 15V | Portão de Nível Lógico |
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