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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMB3900AN | - |  | 8648 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | FDMB3900 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | 8-mlp, microfet (3x1.9) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 7a | 23mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 17NC @ 10V | 890pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | ||
 | NDH8304P | 0,7000 | | 78 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) | NDH8304 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | SuperSot ™ -8 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.7a | 70mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 23NC @ 4.5V | 865pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | FDS3601 | - | | 4652 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS36 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 1.3a | 480mohm @ 1.3a, 10V | 4V A 250µA | 5NC @ 10V | 153pf @ 50V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SI4914BDY-T1-E3 | - | | 6821 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.7V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5V | - | - | |||
 | DMC3021LK4-13 | 0,6000 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD | DMC3021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.7W | TO-252-4L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal, Dreno Comum | 30V | 9.4a, 6.8a | 21mohm @ 7a, 10V | 2.1V @ 250µA | 17.4NC @ 10V | 751pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | CSD87330Q3DT | - | | 6172 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-Powerldfn | CSD87330 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6W (TA) | 8-lson (3,3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 296-CSD87330Q3DT | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 20A (TA) | 9.45mohm @ 15a, 5v, 3.6mohm @ 15a, 5v | 2.1V a 250µA, 1,15V a 250µA | 5.8nc @ 4.5V, 11.5nc @ 4.5V | 900pf @ 15V, 1632pf @ 15V | Padrão | ||
 | SQUN700E-T1_GE3 | 2.4400 | | 5083 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Morrer | SQUN700 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 50W (TC), 48W (TC) | Morrer | download | 1 (ilimito) | 742-SQUN700E-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | 2 canal n (Duplo), Canal P | 200V, 40V | 16a (TC), 30A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 75mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 3,5V a 250µA, 2,5V a 250µA | 23NC @ 10V, 11NC @ 10V, 30.2NC @ 10V | 1474pf @ 20V, 600pf @ 100V, 1302pf @ 100V | - | |||
 | 2N7002DWK-7 | 0,0600 | | 8823 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 330mW (TA) | SOT-363 | download | Alcançar Não Afetado | 31-2N7002DWK-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 261mA (TA) | 3ohm @ 200Ma, 10V | 2V A 250µA | 1.04NC @ 10V | 41pf @ 30V | - | |||
 | BUK9K5R6-30EX | 1.6300 | | 7762 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1205, 8-LFPAK56 | Buk9K5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 64W | LFPAK56D | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 40A | 5.8mohm @ 10a, 5V | 2.1V @ 1Ma | 22.6NC @ 5V | 2480pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | ECH8655R-TL-H | 0,7700 | | 3 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8655 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | 8-ECH | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 24V | 9a | 17mohm @ 4.5a, 4.5V | - | 16.8NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| SI4953ADY-T1-GE3 | - | | 4441 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Fita de Corte (CT) | Obsoleto | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4953 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.7a | 53mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 25NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||
| FDS4559-F085 | - | | 1233 | 0,00000000 | Onsemi | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS45 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 60V | 4.5a, 3.5a | 55mohm @ 4.5a, 10V | 3V A 250µA | 18NC @ 10V | 650pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | AUIRF7343QTR | 1.0000 | | 8885 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF7343 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N E P-Canal | 55V | 4.7a, 3.4a | 50mohm @ 4.7a, 10V | 1V a 250µA | 36NC @ 10V | 740pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | CPH3407-TL-E-ON | 0,1900 | | 12 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | CPH3407 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 3.000 | - | |||||||||||||||
| MSCSM120AM03T6LIAG | 1.0000 | | 5001 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 3.215kW (TC) | - | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120AM03T6LIAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal (Perna de Fase) | 1200V (1,2kV) | 805a (TC) | 3.1mohm @ 400a, 20V | 2.8V @ 30MA | 2320NC @ 20V | 30200PF @ 1000V | - | |
| UPA2384T1P-E1-A | - | | 9994 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | - | - | Upa2384 | - | - | - | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||
| FW342-T-TL-H-SY | 1.0000 | | 1527 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | FW342 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 1.000 | - | ||||||||||||||||
| UPA2756GR-E1-A | 0,8200 | | 14 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-PowerSoic (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA2756 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-POWERSOP | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | 2156-UPA2756GR-E1-A | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4a (ta) | 105mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 1MA | 6nc @ 10V | 260pf @ 10V | - | ||
 | PJT7802-AU_R1_000A1 | 0,1400 | | 4189 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7802 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJT7802-AU_R1_000A1TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 500mA (TA) | 400MOHM @ 500MA, 4,5V | 1V a 250µA | 0,9NC @ 4.5V | 39pf @ 10V | - | |
| Fdpf5n50utydtu | 0,6300 | | 49 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | Fdpf5n | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | ALD310704APCL | 10.1814 | | 3338 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD310704 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1292 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
 | G1K8P06S2 | 0,0970 | | 4 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TC) | 8-SOP | download | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 Canal P. | 60V | 3.2a (TC) | 170mohm @ 1a, 10v | 2,5V a 250µA | 11.3NC @ 10V | 594pf @ 30V | Padrão | ||||
 | VEC2616-TL-WZ | - | | 6876 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | VEC2616 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | SOT-28FL/VEC8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 60V | 3a, 2.5a | 80mohm @ 1.5a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 10NC @ 10V | 505pf @ 20V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 4v | |||
 | DMG6898LSDQ-13 | 0,8900 | | 2285 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMG6898 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.28W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 9.5a | 16mohm @ 9.4a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 26NC @ 10V | 1149pf @ 10V | - | ||
 | Ntjd4401nt4g | - | | 1895 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NTJD4401 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 270mw | SC-88/SC70-6/SOT-363 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 630mA | 375mohm @ 630mA, 4.5V | 1,5V a 250µA | 3NC @ 4.5V | 46pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||
 | APTM50HM75STG | 164.9400 | | 2832 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 357W | Sp4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 500V | 46a | 90mohm @ 23a, 10V | 5V @ 2.5mA | 123NC @ 10V | 5600pf @ 25V | - | ||
| DMT3006LPB-13 | 0,2533 | | 4085 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | DMT3006 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerDi5060-8 (TIPO S) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMT3006LPB-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 11a (ta), 35a (tc), 14a (ta), 50a (tc) | 11.1mohm @ 11.5a, 10v, 6mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | - | |||||
| SI1539CDL-T1-GE3 | 0,4300 | | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 340mw | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 700mA, 500mA | 388MOHM @ 600MA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.5NC @ 10V | 28pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| SI4228DY-T1-GE3 | 0,8700 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4228 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 8a | 18mohm @ 7a, 10V | 1.4V A 250µA | 25NC @ 10V | 790pf @ 12.5V | Portão de Nível Lógico | |||
 | IRF7306TRPBF | 1.1200 | | 18 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF73 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.6a | 100mohm @ 1.8a, 10V | 1V a 250µA | 25NC @ 10V | 440pf @ 25V | Portão de Nível Lógico |
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