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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CBB032M12FM3T | 149.4500 |  | 5 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | CAIXA | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | CBB032 | Carboneto de Silício (sic) | 10mw | - | download | Não Aplicável | 1697-CBB032M12FM3T | 18 | 4 Canais N (Ponte Conclatá) | 1200V (1,2kV) | 39a (TJ) | 44mohm @ 30a, 15V | 3.9V @ 11ma | 118NC @ 15V | 3500pf @ 1000V | Carboneto de Silício (sic) | |||||
 | DMC3071LVT-13 | 0,0948 | | 7607 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMC3071 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW (TA) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 4.6a (ta), 3.3a (ta) | 50mohm @ 3.5a, 10v, 95mohm @ 3.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 4.5NC @ 10V, 6.5NC @ 10V | 190pf @ 15V, 254pf @ 15V | - | ||
 | SI3588DV-T1-E3 | - | | 3768 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3588 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 830mW, 83MW | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 2.5a, 570mA | 80mohm @ 3a, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | AOSD62666E | 1.1600 | | 15 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AOSD62666 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W (TA) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 9.5a (TA) | 14.5mohm @ 9.5a, 10V | 2.2V A 250µA | 10NC @ 4.5V | 755pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SQJ740EP-T1_GE3 | 1.9200 | | 50 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 93W (TC) | PowerPak® SO-8L Dual BWL | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 3.000 | 2 n-canal | 40V | 123A (TC) | 3.4mohm @ 7a, 10V | 3,5V a 250µA | 56NC @ 10V | 3143pf @ 25V | Padrão | ||||||
| Nvljwd023n04clTag | 0,3338 | | 8663 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 6 WDFN PAD Exposto | NVLJWD023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 24W (TC) | 6-WDFNW (2.2x2.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NVLJWD023N04CLTAGTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 7a (ta), 25a (tc) | 23mohm @ 5a, 10V | 2V @ 13µA | 9NC @ 10V | 440pf @ 25V | - | |
 | Aptm50tdum65pg | - | | 7413 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 500V | 51a | 78mohm @ 25.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7000pf @ 25V | - | |||
 | FDS6898AZ | 1.2600 | | 6214 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS6898 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 9.4a | 14mohm @ 9.4a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 23NC @ 4.5V | 1821pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMP57D5UV-7 | - | | 3576 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMP57D5UV | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 400mW | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 50V | 160mA | 6ohm @ 100ma, 4v | 1V a 250µA | - | 29pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | HUFA76413DK8 | 0,3100 | | 5694 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | HUFA76413 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W (TA) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 291 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 5.1a (TC) | 49mohm @ 5.1a, 10V | 3V A 250µA | 23NC @ 10V | 620pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| NDS8858H | 0,5300 | | 11 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NDS885 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 6.3a, 4.8a | 35mohm @ 4.8a, 10V | 2,8V a 250µA | 30NC @ 10V | 720pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | ECH8660-S-TL-H | - | | 4720 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8660 | - | - | 8-ECH | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
 | SI2129DW-TP | 0,4400 | | 2 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si2129 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 243mw | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1a | 140mohm @ 1a, 4.5V | 1V a 250µA | 4.5NC @ 4.5V | 327pf @ 10V | - | ||
 | IRF7316pbf | - | | 7164 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF731 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001559786 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 4.9a | 58mohm @ 4.9a, 10V | 1V a 250µA | 34NC @ 10V | 710pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |
 | NTZD3155CT5G | - | | 9126 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | NTZD3155 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SOT-563 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N E P-Canal | 20V | 540mA, 430mA | 550mohm @ 540mA, 4,5V | 1V a 250µA | 2.5NC @ 4.5V | 150pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | |||
| IRF7902TRPBF | - | | 5597 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7902 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W, 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.4a, 9.7a | 22.6mohm @ 6.4a, 10V | 2.25V @ 25µA | 6.9NC @ 4.5V | 580pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDC6432SH | 0,4400 | | 45 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench®, SyncFET ™ | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC6432 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW | SuperSot ™ -6 | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V, 12V | 2.4a, 2.5a | 90mohm @ 2.4a, 10V | 3V @ 1Ma | 3.5NC @ 5V | 270pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||
| FDD9409 | - | | 6158 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | FDD940 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 1 | - | ||||||||||||||||
| DF15MR12W1M1B67BOMA1 | - | | 1571 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | DF15MR12 | - | - | Obsoleto | 1 | - | ||||||||||||||||||
 | Nvmfd5c466nlwft1g | 2.6900 | | 4229 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | Nvmfd5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3W (TA), 40W (TC) | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 14a (ta), 52a (tc) | 7.4mohm @ 10a, 10V | 2.2V @ 30µA | 7NC @ 4.5V | 997pf @ 25V | - | ||
| IRF9952QPBF | - | | 7036 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF995 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 190 | N E P-Canal | 30V | 3.5a, 2.3a | 100mohm @ 2.2a, 10V | 1V a 250µA | 14NC @ 10V | 190pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||||
 | SI1023X-T1-GE3 | 0,4400 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1023 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 370mA | 1.2OHM @ 350MA, 4.5V | 450mv @ 250µA (min) | 1.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDMS3616S | 0,8300 | | 65 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS3616 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 25V | 16a, 18a | 6.6mohm @ 16a, 10V | 2,5V a 250µA | 27NC @ 10V | 1765pf @ 13V | Portão de Nível Lógico | |||||
| FDS4935 | 1.0000 | | 6688 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS49 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 7a | 23mohm @ 7a, 10V | 3V A 250µA | 21NC @ 5V | 1233pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | FF11MR12W1M1PB11BPSA1 | - | | 2479 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | EasyDual ™ | Bandeja | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | FF11MR12 | Carboneto de Silício (sic) | 20mw | Ag-Easy1b-2 | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 30 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 100a (TJ) | 11.3mohm @ 100a, 15V | 5.55V @ 40MA | 248NC @ 15V | 7360pf @ 800V | - | |||
| IPG20N04S4-08 | - | | 6522 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ T2 | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 65W (TC) | Pg-tdson-8-4 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 20a (TC) | 7.6mohm @ 17a, 10V | 4V @ 30µA | 36NC @ 10V | 2940pf @ 25V | - | |||||
 | SI7946DP-T1-E3 | - | | 1178 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7946 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 150V | 2.1a | 150mohm @ 3.3a, 10V | 4V A 250µA | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | MP6M12TCR | - | | 2679 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | MP6M12 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | Mpt6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N E P-Canal | 30V | 5a | 42mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 4NC @ 5V | 250pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| SI9926DY | 0,2200 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI9926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW (TA) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6.5a (ta) | 30mohm @ 6.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 10NC @ 4.5V | 700pf @ 10V | - | ||
 | Sh32n65dm6ag | 21.2800 | | 61 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 9-POWERSMD | SH32N65 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 208W (TC) | 9-AUPPEPACK Smit | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | 2 canal n (Meia Ponte) | 650V | 32a (TC) | 97mohm @ 23a, 10V | 4.75V @ 250µA | 47NC @ 10V | 2211pf @ 100V | - |
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