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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4908DY-T1-GE3 | - |  | 2840 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4908 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.75W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 5a | 60mohm @ 4.1a, 10V | 2.2V A 250µA | 12NC @ 10V | 355pf @ 20V | - | ||
 | F411MR12W2M1HPB76BPSA1 | 225.0528 | | 5688 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Bandeja | Ativo | F411MR | - | ROHS3 Compatível | 18 | ||||||||||||||||||||
| Aptm20dhm16tg | - | | 4225 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Descontinuado no sic | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp4 | APTM20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp4 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 200V | 104a | 19mohm @ 52a, 10V | 5V @ 2.5mA | 140NC @ 10V | 7220pf @ 25V | - | |||
 | PJL9602_R2_00001 | 0,6900 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | PJL9602 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJL9602_R2_00001DKR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N e P-Canal complementar | 30V | 6.1a (ta), 6a (ta) | 28mohm @ 6a, 10V, 30mohm @ 4a, 10V | 2.1V a 250µA, 2,5V a 250µA | 7.8nc @ 10V, 4.5V | 343pf @ 15V, 870pf @ 15V | - | |
| TSM300NB06LDCR | 0,9850 | | 9547 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | TSM300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 1801-TSM300NB06LDCRTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 5a (ta), 24a (tc) | 30mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 17NC @ 10V | 966pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | CSD75205W1015 | - | | 8868 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-UFBGA, DSBGA | CSD75205 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 750mw | 6-DSBGA (1x1.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 1.2a | 120mohm @ 1a, 4.5V | 850mv @ 250µA | 2.2NC @ 4.5V | 265pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | NTQD6866R2 | - | | 2979 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | NTQD68 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 940MW | 8-TSSOP | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | NTQD6866R2OS | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 4.7a | 32mohm @ 6.9a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 22NC @ 4.5V | 1400pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | |
 | Fdy2001pz | 0,0600 | | 161 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | Fdy20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 446MW | SOT-563F | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 150mA | 8ohm a 150mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 100pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
 | Ntljd4116nt1g | 0,8500 | | 10 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | Ntljd41 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 710MW | 6-WDFN (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 2.5a | 70mohm @ 2a, 4.5V | 1V a 250µA | 6.5NC @ 4.5V | 427pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDMQ86530L | 3.0800 | | 16 | 0,00000000 | Onsemi | Greenbridge ™ PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 12 WDFN PAD Exposto | FDMQ86530 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.9W | 12 MLP (5x4.5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 60V | 8a | 17.5mohm @ 8a, 10V | 3V A 250µA | 33NC @ 10V | 2295pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | AO4812L | - | | 5559 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 30mohm @ 6a, 10V | 2.4V a 250µA | 6.3NC @ 10V | 310pf @ 15V | - | |||
 | SIZ270DT-T1-GE3 | 1.4100 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ270 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 100V | 7.1a (ta), 19.5a (tc), 6.9a (ta), 19.1a (tc) | 37.7mohm @ 7a, 10v, 39.4mohm @ 7a, 10v | 2.4V a 250µA | 27NC @ 10V | 860pf @ 50V, 845pf @ 50V | - | ||||
 | ISL6563CR-TK | 1.6500 | | 912 | 0,00000000 | Intersil | * | Volume | Ativo | ISL6563 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||
| AOMU66414Q | 1.4670 | | 4111 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | AOMU66414 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6.2W (TA), 68W (TC), 6,2W (TA), 65W (TC) | 8-DFN (8x5) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-AOMU66414QTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 n-canal | 40V | 40A (TA), 85A (TC) | 2.3mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 60NC @ 10V | 3350pf @ 20V | Padrão | ||
 | CMLDM5757 TR PBFREE | 0,6300 | | 6 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | CMLDM5757 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mw | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 430mA | 900MOHM @ 430MA, 4.5V | 1V a 250µA | 1.2NC @ 4.5V | 175pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | ||
 | PMCXB1000UEZ | 0,5100 | | 95 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-XFDFN PAD EXPOSTO | PMCXB1000 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 285MW (TA) | DFN1010B-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 5.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 590mA (ta), 410mA (ta) | 670MOHM @ 590MA, 4.5V, 1.4OHM @ 410MA, 4.5V | 950MV A 250µA | 1.05NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V | 30.3pf @ 15V, 43.2pf @ 15V | - | ||
| UPA1873GR-9JG-E1-A | 0,3467 | | 9202 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Última Vez compra | Montagem NA Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | Upa1873 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6a | 23mohm @ 3a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 9NC @ 4V | 705pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
 | Ssm6p35fe (te85l, f) | 0,4400 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | Ssm6p35 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | ES6 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 100mA | 8ohm @ 50ma, 4v | 1V @ 1MA | - | 12.2pf @ 3V | Portão de Nível Lógico | |||
| AO4806 | 0,3704 | | 4676 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO480 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | - | 14mohm @ 9.4a, 10V | 1V a 250µA | 17.9NC @ 4.5V | 1810pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
| 2SJ653-CB11 | 1.7400 | | 16 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | 2SJ65 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | AO6608 | 0,5200 | | 69 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.25W (TA) | 6-TSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V, 20V | 3.4a (ta), 3.3a (ta) | 60mohm @ 3.4a, 10v, 75mohm @ 3.3a, 4.5V | 1,5V a 250µA, 1V a 250µA | 3NC @ 4.5V, 10NC @ 4.5V | 235pf @ 15V, 510pf @ 10V | - | ||
 | IRF7350PBF | - | | 7188 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF7350 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N E P-Canal | 100V | 2.1a, 1.5a | 210mohm @ 2.1a, 10V | 4V A 250µA | 28NC @ 10V | 380pf @ 25V | - | |||
 | AOC4810 | - | | 6722 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-Xflga Pad Exposta | AOC481 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-Alphadfn (3,2x2) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | - | - | - | - | 20NC @ 10V | 1130pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
| NXH040F120MNF1PG | - | | 5736 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH040 | Carboneto de Silício (sic) | 74W (TJ) | 22-PIM (33,8x42,5) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH040F120MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 4 n-canal | 1200V (1,2kV) | 30a (TC) | 56mohm @ 25a, 20V | 4.3V @ 10Ma | 122.1NC @ 20V | 1505pf @ 800V | - | |
 | ALD210808APCL | 8.3302 | | 7246 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 16-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD210808 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | AOD603A | 0.3807 | | 5734 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | TO-252-5, DPAK (4 leads + guia), to-252AD | AOD603 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | TO-252-4L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal, Dreno Comum | 60V | 3.5a, 3a | 60mohm @ 12a, 10V | 3V A 250µA | 10NC @ 10V | 540pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | Ntmd4840nr2g | - | | 3619 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NTMD4840 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 680MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.5a | 24mohm @ 6.9a, 10V | 3V A 250µA | 9.5NC @ 10V | 520pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FDMB2307NZ | 0,9400 | | 5961 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6 WDFN PAD Exposto | FDMB2307 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | 6 MLP (2x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | FDMB2307NZFSTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | - | - | - | - | 28NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico | |
 | DMN3013LFG-13 | 0,3080 | | 9401 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-Powerldfn | DMN3013 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.16W (TA) | PowerDi3333-8 (Tipo D) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 9.5a (ta), 15a (tc) | 14.3mohm @ 4a, 8v | 1.2V a 250µA | 5.7nc @ 4.5V | 600pf @ 15V | - | ||
| HAT3043C-EL-E | 0,3100 | | 2 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | - | Montagem NA Superfície | 6-SMD, FiOS Planos | HAT3043 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 6-cmfpak | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-HAT3043C-EL-E | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | N E P-Canal | 20V | 1.5a | 205mohm @ 1.5a, 4.5V | - | - | - | - |
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