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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7379TRPBF | - |  | 7519 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF737 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N E P-Canal | 30V | 5.8a, 4.3a | 45mohm @ 5.8a, 10V | 1V a 250µA | 25NC @ 10V | 520pf @ 25V | - | ||
 | NDH8502P | 0,5900 | | 53 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-TSOP (0,130 ", 3,30 mm de largura) | NDH8502 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mW (TA) | SuperSot ™ -8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 2.2a (ta) | 110mohm @ 2.2a, 10V | 3V A 250µA | 14.5NC @ 10V | 340pf @ 15V | - | ||
 | NTMFD1D4N02P1E | 2.5300 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-POWERWDFN | NTMFD1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 960MW (TA), 1W (TA) | 8-pqfn (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 25V | 13a (ta), 74a (tc), 24a (ta), 155a (tc) | 3.3mohm @ 20a, 10v, 1.1mohm @ 37a, 10V | 2V @ 250µA, 2V @ 800µA | 7.2nc @ 4.5V, 21.5nc @ 4.5V | 1180pf @ 13V, 3603pf @ 13V | - | ||
 | RJK03J9DNS-00#J5 | 0,2700 | | 5 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | RJK03J9 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 5.000 | - | ||||||||||||||
 | FDMC3300NZA | 0,5400 | | 9 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-powervdfn | FDMC3300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W | 8-Power33 (3x3) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 26mohm @ 8a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 12NC @ 4.5V | 815pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||
| UPA2752GR-E2-A | 1.3000 | | 2 | 0,00000000 | Renesas | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,173 ", 4,40 mm de largura) | UPA2752 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA) | 8-SOP | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-UPA2752GR-E2-A | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 8a (TC) | 23mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 1MA | 10NC @ 10V | 480pf @ 10V | - | ||
 | DMNH6065SSDQ-13 | 0,4410 | | 9009 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMNH6065 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W (TA) | 8-so | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMNH6065SSDQ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 3.8a (ta) | 65mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 11.3NC @ 10V | 446pf @ 30V | - | |||
 | ALD1102BPAL | 8.8038 | | 8398 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | - | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Através do buraco | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD1102 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 8-PDIP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 Par de Canais P (Duplo) | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | ||
 | 2N7002DW-7-F | 0,3400 | | 213 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 310mw | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 230mA | 7.5Ohm @ 50Ma, 5V | 2V A 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | DMG6601LVT-7 | 0,3800 | | 50 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMG6601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 850mw | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 30V | 3.8a, 2.5a | 55mohm @ 3.4a, 10V | 1,5V a 250µA | 12.3NC @ 10V | 422pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| Tsm300nb06ldcr rlg | 2.2400 | | 5 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | TSM300 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA), 40W (TC) | 8-PDFNU (5x6) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 5a (ta), 24a (tc) | 30mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 17NC @ 10V | 966pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | TPC8221-H, LQ (s | - | | 1370 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TPC8221 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 450mw | 8-SOP | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6a | 25mohm @ 3a, 10V | 2.3V @ 100µA | 12NC @ 10V | 830pf @ 10V | - | ||||
 | Sia911dj-t1-ge3 | - | | 5903 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia911 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6.5W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.5a | 94mohm @ 2.8a, 4.5V | 1V a 250µA | 12.8NC @ 8V | 355pf @ 10V | - | ||
| APTM120DDA57T3G | - | | 9838 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | SP3 | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 17a | 684mohm @ 8.5a, 10V | 5V @ 2.5mA | 187NC @ 10V | 5155pf @ 25V | - | ||||
 | FDG6318P | - | | 7616 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | FDG6318 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mw | SC-88 (SC-70-6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 500mA | 780mohm @ 500mA, 4,5V | 1,5V a 250µA | 1.2NC @ 4.5V | 83pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
| Jantx2N7335 | - | | 9646 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Militar, MIL-PRF-19500/599 | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | 14-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 2N733 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W | MO-036AB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 canal P. | 100V | 750mA | 1.4OHM @ 500MA, 10V | 4V A 250µA | - | - | - | ||
| BSM400D12P2G003 | 2.0000 | | 4 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Módlo | BSM400 | Carboneto de Silício (sic) | 2450W (TC) | Módlo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-BSM400D12P2G003 | Ear99 | 8541.29.0095 | 4 | 2 canal n (Meia Ponte) | 1200V (1,2kV) | 400A (TC) | - | 4V @ 85MA | - | 38000pf @ 10V | - | ||
 | SI1902DL-T1-E3 | 0,5300 | | 8479 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1902 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 270mw | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 660mA | 385mohm @ 660mA, 4.5V | 1,5V a 250µA | 1.2NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | AO4884 | 0,3910 | | 4169 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AO488 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 10a | 13mohm @ 10a, 10V | 2.7V @ 250µA | 33NC @ 10V | 1950pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMC3035LSD-13 | - | | 3488 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMC3035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 6.9a, 5a | 35mohm @ 6.9a, 10V | 2.1V @ 250µA | 8.6NC @ 10V | 384pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMN31D5UDA-7B | 0,0298 | | 4643 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-smd, sem chumbo | DMN31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | X2-DFN0806-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMN31D5UDA-7BDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 400mA (TA) | 1.5OHM @ 100MA, 4,5V | 1V a 250µA | - | |||||
 | PJT7002H_R1_00001 | 0,2500 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PJT7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 350mW (TA) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 250mA (TA) | 5OHM @ 300MA, 10V | 3V A 250µA | 1.3NC @ 4.5V | 22pf @ 25V | - | ||
 | PJQ5848_R2_00001 | 0,3152 | | 3075 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-PowerTdfn | PJQ5848 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA), 20W (TC) | DFN5060B-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ5848_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 8.6a (ta), 30a (tc) | 12mohm @ 12a, 10V | 2,5V a 250µA | 10NC @ 4.5V | 1040pf @ 20V | - | |
 | ALD110814SCL | 6.2900 | | 10 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad® | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD110814 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1029 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-canal, par correspondente | 10.6V | 12mA, 3mA | 500OHM @ 5.4V | 1.42V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
| 2SK3704-CB11-SY | 0,9000 | | 7 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | 2SK3704 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | ||||||||||||||
 | DMC3021LSDQ-13 | 0,5700 | | 1 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMC3021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 8.5a, 7a | 21mohm @ 7a, 10V | 2.1V @ 250µA | 16.1NC @ 10V | 767pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI7236DP-T1-E3 | - | | 5143 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SI7236 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 46W | PowerPak® SO-8 dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 60a | 5.2mohm @ 20.7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 105NC @ 10V | 4000pf @ 10V | - | |||
 | G06N06S2 | 0,2669 | | 4744 | 0,00000000 | GoFord Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W (TC) | 8-SOP | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 3141-G06N06S2TR | Ear99 | 8541.29.0000 | 4.000 | 2 n-canal | 60V | 6a (TC) | 25mohm @ 6a, 10V | 2.4V a 250µA | 46NC @ 10V | 1600pf @ 30V | Padrão | |||
 | FDS6993 | - | | 9769 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS69 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V, 12V | 4.3a, 6.8a | 55mohm @ 4.3a, 10V | 3V A 250µA | 7.7NC @ 5V | 530pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | PJS6834_S2_00001 | 0.1178 | | 5115 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-23-6 | PJS6834 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW (TA) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJS6834_S2_00001TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 750mA (TA) | 400mohm @ 600mA, 4,5V | 900MV A 250µA | 1.4NC @ 4.5V | 67pf @ 10V | - |
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