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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | APTSM120am25CT3AG | - |  | 6362 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 937W | SP3 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Canal (Duplo), Schottky | 1200V (1,2kV) | 148A (TC) | 25mohm @ 80a, 20V | 3V @ 4MA | 544NC @ 20V | 10200pf @ 1000V | - | ||
 | NX3008NBKS, 115 | 0,5000 | | 937 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NX3008 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 445mw | 6-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 350mA | 1.4OHM @ 350MA, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 0,68NC @ 4.5V | 50pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
| FS10KMJ-2#B01 | 1.9200 | | 15 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | FS10KM | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | SH8MA3TB1 | 1.0100 | | 19 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8ma3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 7a (ta), 6a (ta) | 28mohm @ 7a, 10v, 50mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 1MA | 7.2nc @ 10V, 10NC @ 10V | 300pf @ 15V, 480pf @ 15V | - | ||
 | STL15DN4F5 | 2.9200 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Automotivo, AEC-Q101, Stripfet ™ V | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | STL15 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 60W | Powerflat ™ (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 60a | 9mohm @ 7.5a, 10V | 4V A 250µA | 25NC @ 10V | 1550pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | PMDPB80XP, 115 | 1.0000 | | 5676 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFDFN PAD EXPOSTO | PMDPB80 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 485mw | 6-Huson (2x2) | download | 0000.00.0000 | 1 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.7a | 102mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V a 250µA | 8.6nc @ 4.5V | 550pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.8V | ||||||
 | PJQ5850_R2_00001 | 0,2707 | | 6250 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | PJQ5850 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TA), 12W (TC) | DFN5060B-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJQ5850_R2_00001TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 5a (ta), 14a (tc) | 33mohm @ 8a, 10V | 2,5V a 250µA | 4.4NC @ 4.5V | 425pf @ 25V | - | |
| APTM50DHM65T3G | - | | 9594 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | Power MOS 8 ™ | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP3 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | SP3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 500V | 51a | 78mohm @ 42a, 10V | 5V @ 2.5mA | 340NC @ 10V | 10800pf @ 25V | - | |||
 | 2N7002DWA-7 | - | | 5577 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mw | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 180mA | 6ohm a 115mA, 10V | 2,5V a 250µA | 0,87NC @ 10V | 22pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | IPG20N06S3L-23 | - | | 6688 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | IPG20N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 45W | Pg-tdson-8-4 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP000396304 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 55V | 20a | 23mohm @ 16a, 10V | 2.2V @ 20µA | 42NC @ 10V | 2950pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | Buk98150-55/cu | - | | 9814 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | * | Volume | Ativo | Buk98150 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||
 | AON6938 | - | | 9328 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | AON693 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.6W, 4.3W | 8-DFN (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 17a, 33a | 8.2mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 24NC @ 10V | 1150pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | SLA5041 | - | | 3720 | 0,00000000 | Sanken | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Guia Exposta de 12-sip | SLA50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5W | 12-sip | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | SLA5041 DK | Ear99 | 8541.29.0095 | 180 | 4 n-canal | 200V | 10a | 175mohm @ 5a, 10V | 4V @ 1MA | - | 850pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | CSD86311W1723 | 0,4542 | | 1940 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-UFBGA, DSBGA | CSD86311 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | 12-DSBGA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 4.5a | 39mohm @ 2a, 8v | 1.4V A 250µA | 4NC @ 4.5V | 585pf @ 12.5V | Portão de Nível Lógico | ||
 | AO6602_DELTA | - | | 9459 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-74, SOT-457 | AO660 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.15W | 6-TSOP | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 3.5a (ta), 2.7a (ta) | 50mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10V | 2,5V a 250µA, 2,4V a 250µA | 5NC @ 10V, 5.2NC @ 10V | 210pf @ 15V, 240pf @ 15V | - | |||
 | LN60A01ES-LF-Z | - | | 4269 | 0,00000000 | Monolithic Power Systems Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -20 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Ln60a | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.3W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 3 Canais n, Portão Comum | 600V | 80mA | 190OHM @ 10MA, 10V | 1.2V a 250µA | - | - | - | ||
 | Nvmfd5483nlwft1g | - | | 3075 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD5483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 6.4a | 36mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 23.4NC @ 10V | 668pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | TSM9926DCS RLG | - | | 3582 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | TSM9926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.6W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6a (TC) | 30mohm @ 6a, 10V | 600mV a 250µA | 7.1NC @ 4.5V | 562pf @ 8V | - | ||
 | CSD87334Q3D | 0,6547 | | 5491 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | CSD87334Q3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 6w | 8-vson (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) Assimético | 30V | 20a | 6mohm @ 12a, 8v | 1.2V a 250µA | 8.3nc @ 4.5V | 1260pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI4539ADY-T1-GE3 | - | | 7144 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4539 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 4.4a, 3.7a | 36mohm @ 5.9a, 10V | 1V @ 250µA (min) | 20NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | ||
| SIZF360DT-T1-GE3 | 1.6100 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-Powerpair ™ | SIZF360 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.8W (TA), 52W (TC), 4,3W (TA), 78W (TC) | 6-Powerpair ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 742-SIZF360DT-T1-GE3CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Canal (Duplo), Schottky | 30V | 23a (ta), 83a (tc), 34a (ta), 143a (tc) | 4.5mohm @ 10a, 10v, 1.9mohm @ 10a, 10V | 2.2V A 250µA | 22NC @ 10V, 62NC @ 10V | 1100pf @ 15V, 3150pf @ 15V | - | ||
 | SIZF928DT-T1-GE3 | 1.6500 | | 6 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZF928 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3,9W (TA), 28W (TC), 4,5W (TA), 74W (TC) | 8-Powerpair® (6x5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 33a (ta), 88a (tc), 61a (ta), 248a (tc) | 2.45mohm @ 10a, 10V, 750µOHM @ 15A, 10V | 2V A 250µA | - | - | - | |||
| Sp8m21fratb | 1.6000 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C. | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8M21 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 45V | 6a (ta), 4a (ta) | 25mohm @ 6a, 10v, 46mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 1MA | 21.6nc @ 5V, 28NC @ 5V | 1400pf @ 10V, 2400pf @ 10V | - | ||
 | SQJB04ELP-T1_GE3 | 0,9700 | | 23 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJB04 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 27W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 30a (TC) | 11mohm @ 5a, 10V | 2.2V A 250µA | 20NC @ 10V | 1055pf @ 25V | - | ||||
| DF16MR12W1M1HFB67BPSA1 | 103.5300 | | 9529 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Easypack ™, Coolsic ™ | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | DF16MR12 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 24 | 2 n-canal | 1200V | 25a | 32.3mohm @ 25a, 18V | 5.15V @ 10Ma | 74NC @ 18V | 2200pf @ 800V | - | ||||||
 | MCH6630-TL-E-ON | 0,0700 | | 93 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | MCH6630 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | - | ||||||||||||||
| SP8J5TB | 1.5669 | | 3256 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SP8J5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 7a | 28mohm @ 7a, 10V | 2.5V @ 1MA | 25NC @ 5V | 2600pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||
 | NTMC1300R2 | - | | 4358 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | NTMC13 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 2.2a, 1.8a | 90mohm @ 3a, 10V | 2.2V A 250µA | 5NC @ 4.5V | 300pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | ||
 | DMC2053UVTQ-7 | 0,4900 | | 225 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMC2053 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW (TA) | TSOT-26 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 4.6a (ta), 3.2a (ta) | 35mohm @ 5a, 4.5V, 74mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V a 250µA | 3.6NC @ 4.5V, 5.9NC @ 4.5V | 369pf @ 10V, 440pf @ 10V | - | ||
| Nvmfd5489nlt1g | 0,4374 | | 4895 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | NVMFD5483 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3w | Sinalizoça Dupla de 8-DFN (5x6) (SO8FL-DUN) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 4.5a | 65mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 12.4NC @ 10V | 330pf @ 25V | Portão de Nível Lógico |
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