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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1926DL-T1-E3 | 0,4100 |  | 21 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SI1926 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 510MW | SC-70-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 370mA | 1.4ohm @ 340mA, 10V | 2,5V a 250µA | 1.4NC @ 10V | 18.5pf @ 30V | Portão de Nível Lógico | ||
 | FF11MR12W2M1HPB11BPSA1 | 147.5800 | | 18 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™ | Bandeja | Ativo | - | - | - | FF11MR12 | - | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 18 | - | 1200V (1,2kV) | - | - | - | - | - | - | ||
 | 6LN04CH-TL-E-ON | 0,0600 | | 72 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | 6LN04 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | ||||||||||||||
| 2N7002DW-13-G | - | | 9102 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 2N7002 | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2N7002DW-13-GDI | Ear99 | 8541.21.0095 | 10.000 | - | ||||||||||||||
 | EFC6612R-TF | 0,4053 | | 5 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-smd, sem chumbo | EFC6612 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 6-CSP (1.77x3.54) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | - | - | - | - | 27NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | ||
 | DMG1016VQ-7 | 0,4600 | | 6589 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMG1016 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 530mW | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 20V | 870mA, 640mA | 400mohm @ 600mA, 4,5V | 1V a 250µA | 0,74NC @ 4.5V | 60.67pf @ 16V | Portão de Nível Lógico | ||
 | Sh8ka1gzetb | 0,8200 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Sh8ka1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W (TA) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 4.5a (ta) | 80mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 3NC @ 10V | 125pf @ 15V | - | ||
 | MSCSM120AM50CT1AG | 89.7600 | | 1 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM120 | Carboneto de Silício (sic) | 245W (TC) | Sp1f | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM120am50CT1AG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal (Perna de Fase) | 1200V (1,2kV) | 55a (TC) | 50mohm @ 40a, 20V | 2.7V @ 1MA | 137NC @ 20V | 1990pf @ 1000V | - | |
| Aptm50a15ft1g | - | | 2945 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SP1 | APTM50 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 208W | SP1 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 500V | 25a | 180mohm @ 21a, 10V | 5V @ 1MA | 170NC @ 10V | 5448pf @ 25V | - | |||
 | IRF7389 | - | | 5730 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | IRF738 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-so | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF7389 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N E P-Canal | 30V | - | 29mohm @ 5.8a, 10V | 1V a 250µA | 33NC @ 10V | 650pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | |
 | Nvtjd4001nt1g | 0,5000 | | 520 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NVTJD4001 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 272mw | SC-88/SC70-6/SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 250mA | 1.5OHM @ 10MA, 4V | 1.5V @ 100µA | 1.3NC @ 5V | 33pf @ 5V | - | ||
| BSO211PNTMA1 | 0,8600 | | 1 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | BSO211 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | PG-DSO-8 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.7a | 67mohm @ 4.7a, 4.5V | 1.2V @ 25µA | 23.9NC @ 4.5V | 920pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |||
 | Sia527DJ-T1-GE3 | 0,5500 | | 9764 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SC-70-6 Dual | Sia527 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 7.8W | PowerPak® SC-70-6 Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal | 12V | 4.5a | 29mohm @ 5a, 4.5V | 1V a 250µA | 15NC @ 8V | 500pf @ 6V | Portão de Nível Lógico | |||
 | MMDF2C03HDR2 | - | | 9179 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | Mmdf2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-SOIC | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N E P-Canal | 30V | 4.1a, 3a | 70mohm @ 3a, 10V | 3V A 250µA | 16NC @ 10V | 630pf @ 24V | Portão de Nível Lógico | ||
| IRF6156 | - | | 2360 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-FLIPFET ™ | IRF615 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 6-FLIPFET ™ | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | *IRF6156 | Ear99 | 8541.29.0095 | 6.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 6.5a | 40mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 18NC @ 5V | 950pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | |
 | ALD310708SCL | 6.9700 | | 72 | 0,00000000 | Avançado Linear Devices Inc. | Epad®, Zero Threshold ™ | Tubo | Ativo | 0 ° C ~ 70 ° C. | Montagem NA Superfície | 16-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | ALD310708 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 500mW | 16-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1014-1299 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 canal p, par correspondente | 8V | - | - | 780mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |
| AOCA72104E | 0,3699 | | 3299 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 10-smd, sem chumbo | AOCA72104 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W (TA) | 10-Alphadfn (2.98x1,49) | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 785-AOCA72104TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 8.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 12V | 30a (ta) | 2.6mohm @ 5a, 4.5V | 1.3V a 250µA | 45NC @ 4.5V | - | Padrão | ||
 | PJX8828_R1_00001 | 0,4000 | | 2 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | PJX8828 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 300mW (TA) | SOT-563 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJX8828_R1_00001CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 300mA (TA) | 1.2OHM @ 300MA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,9NC @ 4.5V | 45pf @ 10V | - | |
 | SI1024X-T1-GE3 | 0,5500 | | 132 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | SOT-563, SOT-666 | SI1024 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 250mw | SC-89 (SOT-563F) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 485mA | 700MOHM @ 600MA, 4,5V | 900MV A 250µA | 0,75NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI4914BDY-T1-GE3 | - | | 6992 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4914 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.7W, 3.1W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Meia Ponte) | 30V | 8.4a, 8a | 21mohm @ 8a, 10V | 2.7V @ 250µA | 10.5nc @ 4.5V | - | - | |||
 | ECH8651R-TL-HX | - | | 7858 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8651 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W | 8-ECH | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 24V | 10a | 14mohm @ 5a, 4.5V | - | 24NC @ 10V | - | Portão de Nível Lógico | |||
 | EFC2K101NUZTDG | - | | 1701 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-smd, sem chumbo | EFC2K101 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.4W (TA) | 6-WLCSP (1.79x1.18) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 12V | 15a (ta) | 6.2mohm @ 5a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 16NC @ 3.8V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | ||
 | DMN601DWK-7 | 0,4900 | | 481 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | DMN601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 200mw | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 305mA | 2OHM @ 500MA, 10V | 2.5V @ 1MA | - | 50pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
 | WAB400M12BM3 | 1.0000 | | 11 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | WAB400 | Carboneto de Silício (sic) | - | Módlo | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Meia Ponte) | 1200V (1,2kV) | 468a (TC) | 4.25mohm @ 400a, 15V | 3.6V @ 106MA | 1040NC @ 15V | 29700pf @ 800V | - | |||
| QJD1210SA2 | - | | 6979 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | QJD1210 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 415W | Módlo | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 canal n (Duplo) | 1200V (1,2kV) | 100a | 17mohm @ 100a, 15V | 1.6V @ 34MA | 330NC @ 15V | 8200pf @ 10V | - | |||
 | SQJ980AEP-T1_BE3 | 1.1900 | | 9408 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ980 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 34W (TC) | PowerPak® SO-8 dual | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ980AEP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 75V | 17a (TC) | 50mohm @ 3.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 35V | - | |||
 | DMP3085LSD-13 | 0,3700 | | 298 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMP3085 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.1W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.9a | 70mohm @ 5.3a, 10V | 3V A 250µA | 11NC @ 10V | 563pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| AUIRF7379Q | - | | 4312 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | AUIRF7379 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-SOIC | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | SP001518462 | Ear99 | 8541.29.0095 | 95 | N E P-Canal | 30V | 5.8a, 4.3a | 45mohm @ 5.8a, 10V | 3V A 250µA | 25NC @ 10V | 520pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||
| EFC6617R-A-TF | - | | 8230 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | - | EFC6617 | - | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-EFC6617R-A-TF-488 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | - | ||||||||||
 | SQJ940EP-T1_GE3 | 1.4500 | | 8 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície | PowerPak® SO-8 dual | SQJ940 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 48W, 43W | PowerPak® SO-8 Assimético Duplo | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 15a (ta), 18a (tc) | 16mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 20NC @ 20V | 896pf @ 20V | Portão de Nível Lógico |
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