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FET, MOSFET Matriza (6056)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTUD3169CZT5G | 0,5500 |  | 71 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-963 | NTUD3169 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 125mW | SOT-963 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 8.000 | N E P-Canal | 20V | 220mA, 200Ma | 1.5OHM @ 100MA, 4,5V | 1V a 250µA | - | 12.5pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | SI5905BDC-T1-GE3 | - | | 2661 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | SI5905 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3.1W | 1206-8 Chipfet ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 8V | 4a | 80mohm @ 3.3a, 4.5V | 1V a 250µA | 11nc @ 8v | 350pf @ 4V | Portão de Nível Lógico | ||
 | MSCSM70TLM07CAG | 741.9300 | | 4 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | MSCSM70 | Carboneto de Silício (sic) | 966W (TC) | Sp6c | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 150-MSCSM70TLM07CAG | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 4 Canais n (três inversores de nível) | 700V | 349a (TC) | 6.4mohm @ 120a, 20V | 2.4V @ 12Ma | 645NC @ 20V | 13500pf @ 700V | - | |
 | DMC3061SVT-7 | - | | 7486 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | DMC3061 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 880mw | TSOT-23-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMC3061SVT-7DI | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 30V | 3.4a (ta), 2.7a (ta) | 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10V | 1,8V a 250µA, 2,2V a 250µA | 6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V | 278pf @ 15V, 287pf @ 15V | - | |
 | DMP2108UCB6-7 | - | | 7038 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-UFBGA, WLBGA | DMP2108 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 840mw | U-WLB1510-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-DMP2108UCB6-7TR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 2.25a | 55mohm @ 1a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 2.1NC @ 4.5V | 269pf @ 10V | - | |
| IRF630A_CP001 | 0,4000 | | 227 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | IRF630 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
| FW217-NMM-TL-E | 0,5500 | | 104 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | FW217 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||
 | MCQD09P04-TP | 0,9700 | | 6803 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | MCQD09 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.7W (TJ) | 8-SOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 8.000 | 2 Canal P. | 40V | 9a (TC) | 23mohm @ 9a, 10V | 2,5V a 250µA | 75NC @ 10V | 3302pf @ 30V | Padrão | |||
 | EMH2308-TL-H | - | | 7162 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | EMH2308 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-EMH | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 3a | 85mohm @ 3a, 4.5V | - | 4NC @ 4.5V | 320pf @ 10V | Portão de Nível Lógico, Unidade de 1.8V | |||
 | TSM500P02DCQ RFG | 1.1900 | | 83 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-VDFN PAD EXPOSTO | TSM500 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 620mw | 6-tdfn (2x2) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 4.7a (TC) | 50mohm @ 3a, 4.5V | 800mV A 250µA | 9.6NC @ 4.5V | 1230pf @ 10V | - | ||
 | FDW2506P | - | | 6293 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | FDW25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 600mW | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 5.3a | 22mohm @ 5.3a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 34NC @ 4.5V | 1015pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
| IRF810 | 0,4600 | | 93 | 0,00000000 | Harris Corporation | * | Volume | Ativo | IRF81 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||
 | MCS8804-TP | - | | 6309 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | MCS8804 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | - | 8-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 353-MCS8804-TPTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8a | 13mohm @ 8a, 10V | 1V a 250µA | 17.9NC @ 4.5V | 1800pf @ 10V | - | ||
| FSS133-TL-E | 0,7700 | | 17 | 0,00000000 | Sanyo | * | Volume | Ativo | FSS133 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1.000 | - | ||||||||||||||
 | 2N7002VC-7 | 0,4000 | | 33 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | 2N7002 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 150mW | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 280mA | 7.5Ohm @ 50Ma, 5V | 2,5V a 250µA | - | 50pf @ 25V | - | ||
 | AON3611 | 0,6000 | | 50 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON361 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.1W, 2,5W | 8-DFN (3x3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N E P-Canal, Dreno Comum | 30V | 5a, 6a | 50mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 10NC @ 10V | 170pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||
 | RM2003 | 0,0620 | | 9948 | 0,00000000 | Rectron EUA | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 | RM200 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mW (TA) | SOT-23-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2516-RM2003TR | 8541.10.0080 | 30.000 | N E P-Canal | 20V | 3a (ta) | 35mohm @ 3a, 4.5V, 75mohm @ 2.5a, 4.5V | 1,2V a 250µA, 1V a 250µA | 5NC @ 4.5V, 3.2NC @ 4.5V | 260pf @ 10V, 325pf @ 10V | - | |||
| NXH010P90MNF1PG | - | | 3288 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH010 | Carboneto de Silício (sic) | 328W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH010P90MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | |
| IRF8852TRPBF | - | | 5013 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | IRF8852 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 7.8a | 11.3mohm @ 7.8a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.5NC @ 4.5V | 1151pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||
 | Dmp31d7ldw-7 | 0,0706 | | 6056 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dmp31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Dmp31d7ldw-7di | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 550mA (TA) | 900MOHM @ 420MA, 10V | 2.6V a 250µA | - | |||||
| DMC2710UV-7 | 0,4400 | | 5 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMC2710 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 460MW (TA) | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 1.1a (ta), 800mA (ta) | 400MOHM @ 600MA, 4,5V, 700MOHM @ 430MA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,6NC @ 4.5V, 0,7NC @ 4.5V | 42pf @ 16V, 49pf @ 16V | - | ||
| DMHT10H032LFJ-13 | 0,4767 | | 3037 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 12-powervdfn | DMHT10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | V-DFN5045-12 (TIPO C) | download | Alcançar Não Afetado | 31-DMHT10H032LFJ-13TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 4 Canais n (Meia Ponte) | 100V | 6a (ta) | 33mohm @ 6a, 10V | 2,5V a 250µA | 11.9NC @ 10V | 683pf @ 50V | - | |||
| ECH8601M-TL-H | - | | 3871 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | ECH8601 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-ECH | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 24V | 8a (ta) | 23mohm @ 4a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 7.5NC @ 4.5V | - | Portão de Nível Lógico, Unidade de 2.5V | ||||
 | APTM100TDU35PG | - | | 2316 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | - | Volume | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Sp6 | APTM100 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 390W | Sp6-p | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 CANais N (Ponte de Três Fases) | 1000V (1KV) | 22a | 420mohm @ 11a, 10v | 5V @ 2.5mA | 186NC @ 10V | 5200pf @ 25V | - | |||
 | DMN3033LSDQ-13 | 0,6000 | | 2 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | DMN3033 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2W | 8-so | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 6.9a | 20mohm @ 6.9a, 10V | 2.1V @ 250µA | 13NC @ 10V | 725pf @ 15V | - | ||
| DMNH6021SPDWQ-13 | 0,7046 | | 2666 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem NA Superfície, Flanco Molhado | 8-PowerTdfn | DMNH6021 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1.5W (TA) | PowerDi5060-8 (Tipo R) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | DMNH6021SPDWQ-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 8.2a (ta), 32a (tc) | 25mohm @ 15a, 10V | 3V A 250µA | 20.1NC @ 10V | 1143pf @ 25V | - | |
| AON3816_101 | - | | 1997 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | AON381 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 2.5W | 8-DFN (3x3) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2-canal n (Duplo) Dreno Comum | 20V | - | 22mohm @ 4a, 4.5V | 1.1V @ 250µA | 13NC @ 4.5V | 1100pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | |||
 | CSD88584Q5DCT | 4.5200 | | 6077 | 0,00000000 | Texas Instruments | NexFET ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 22-powertfdfn | CSD88584Q5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 12w | 22-vson-clip (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 250 | 2 canal n (Meia Ponte) | 40V | - | 0,95MOHM @ 30A, 10V | 2.3V A 250µA | 88NC @ 4.5V | 12400pf @ 20V | - | ||
 | SIZ260DT-T1-GE3 | 1.2100 | | 40 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERWDFN | SIZ260 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4.3W (TA), 33W (TC) | 8-Powerpair® (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 80V | 8.9a (ta), 24.7a (tc), 8.9a (ta), 24.6a (tc) | 24.5mohm @ 10a, 10v, 24.7mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 27NC @ 10V | 820pf @ 40V | - | |||
 | SI4818DY-T1-E3 | - | | 7266 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | SI4818 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1W, 1,25W | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 5.3a, 7a | 22mohm @ 6.3a, 10V | 800mv @ 250µA (min) | 12NC @ 5V | - | Portão de Nível Lógico |
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