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Diodos únicos (57622)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VS-60EPU04LHN3 | - |  | 8956 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-247-2 | VS-60EPU04 | Padrão | TO-247AD | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,25 V @ 60 A | 85 ns | 50 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 60a | - | ||
 | SIC05120B-BP | 6.6100 | | 4 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | SIC05120 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-SIC05120B-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 1200 v | 1,7 V @ 5 A | 3 µA A 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | 353pf @ 0V, 1MHz | ||
 | HSM3100GE3/TR13 | 1.0200 | | 2821 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-215AB, Asa de Gaivota SMC | HSM3100 | Schottky | DO-215AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 100 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
 | 10A05GP-TP | 0,2751 | | 1034 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | 10A05 | Padrão | R-6 | download | 353-10A05GP-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 10 A | 10 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 150pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | NRVHP820LFST1G | 0.6030 | | 4697 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOT-1023, 4-LFPAK | NRVHP820 | Padrão | Lfpak4 (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 8 A | 35 ns | 1 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
 | SBR3M30P1-7 | 0,5700 | | 17 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | SBR® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi®123 | SBR3M30 | Super Barreira | Powerdi ™ 123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 500 mv @ 3 a | 200 µA a 30 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | - | |||
| Jantxv1n3912ar | - | | 4742 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 300 v | 1,4 V @ 50 A | 150 ns | -65 ° C ~ 150 ° C. | 50a | - | |||||
 | NSR0240V2T1G | 0,4900 | | 169 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | NSR0240 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 700 mv @ 200 mA | 3 ns | 10 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 250mA | 4pf @ 5V, 1MHz | ||
| 1N4001-N-0-1-BP | - | | 4232 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4001 | Padrão | DO-41 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 1N4001-N-0-1-BPMS | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1 V @ 1 A | 5 µA a 50 V | - | 1a | - | |||
 | RGL34DHE3/98 | - | | 3955 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-213AA (Vidro) | RGL34 | Padrão | DO-213AA (GL34) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Rgl34dhe3_a/h | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 500 mA | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 500mA | 4pf @ 4V, 1MHz | |
 | VS-70HFR140 | 13.7400 | | 54 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 70HFR140 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1400 v | 1,46 V @ 220 A | 4,5 mA a 1400 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70A | - | |||
 | Tapete SS15L | 0.1965 | | 9511 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS15 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 400 µA A 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
| A390PE | - | | 3846 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | A390 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1500 v | 1,4 V @ 400 A | 25 mA a 1500 V | 400A | - | |||||
 | BYT53B-TR | 0,2772 | | 5908 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Sod-57, axial | BYT53 | Avalanche | SOD-57 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 25.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.9a | - | ||
 | Mur120/54 | - | | 9937 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | MUR120 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 875 mV @ 1 a | 35 ns | 2 µA a 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||
 | HS2GA R3G | 0,2251 | | 8720 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | HS2G | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 1,5 A | 50 ns | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1.5a | 50pf @ 4V, 1MHz | ||
| APT10SCE65K | - | | 9637 | 0,00000000 | Microsemi Corporation | * | Tubo | Obsoleto | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | |||||||||||||||||
| HRU0203ATRF-E | - | | 8678 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | |||||||||||||||
 | Jan1N6642UB | 20.6700 | | 3376 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/578 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | 1N6642 | Padrão | Ub | - | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 75 v | 1,2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 Na @ 75 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 300mA | 5pf @ 0V, 1MHz | ||
 | MUR120-AP | - | | 4861 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | MUR120 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 1 A | 45 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
 | 1N4937GP-TP | 0,0418 | | 5043 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4937 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 1 A | 200 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | ||
 | VI30100SGHM3/4W | - | | 8869 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | VI30100 | Schottky | TO-262AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 30 A | 350 µA A 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 30a | - | |||
 | VS-MBR1045-N3 | - | | 9985 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR10 | Schottky | TO-220AC | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBR1045N3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 840 mV @ 20 A | 100 µA A 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 600pf @ 5V, 1MHz | ||
 | EGP10BHE3/73 | - | | 3771 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | EGP10 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 1 a | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 22pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SJPA-D3VR | - | | 8002 | 0,00000000 | Sanken | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | 2-SMD, J-Lead | SJPA-D3 | Schottky | Sjp | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 360 mV @ 1 a | 1,5 mA a 30 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 1a | - | ||||
 | VS-50SQ100 | - | | 1761 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ar, axial | 50SQ100 | Schottky | Do-204ar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 660 mV @ 5 A | 550 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
 | S3KHE3/57T | - | | 7851 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3K | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,15 V @ 2,5 A | 2,5 µs | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | ||
 | SK24Q-LTP | 0,3900 | | 6 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mv @ 2 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 115pf @ 4V, 1MHz | |||||
 | RFN1L6STE25 | 0,1409 | | 9980 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | RFN1L6 | Padrão | PMDS | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,45 V @ 800 mA | 35 ns | 1 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 800mA | - | ||
 | SS22T3 | - | | 3414 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SS22 | Schottky | SMB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - |
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