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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-72HF20 | 8.4227 | ![]() | 3213 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 72HF20 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS72HF20 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,35 V @ 220 A | -65 ° C ~ 150 ° C. | 70A | - | |||
![]() | RH 1AV1 | - | ![]() | 4098 | 0,00000000 | Sanken | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Axial | RH 1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 600 mA | 4 µs | 5 µA A 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 600mA | - | |||
![]() | Uf1kh | 0.1044 | ![]() | 2260 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | VS-MBRS1100-M3/5BT | 0,4900 | ![]() | 3448 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | MBRS1100 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 780 mV @ 1 a | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 42pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | Vs-20wt04fntrl | - | ![]() | 3573 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 20wt04 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Vs20wt04fntrl | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 540 mV @ 10 A | 100 µA A 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 20a | 1900pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | DL4006-13 | - | ![]() | 1044 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | DL4006 | Padrão | Mell | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S40K | 6.3770 | ![]() | 5267 | 0,00000000 | Genesco semicondutors | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | Padrão | Do-5 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | S40KGN | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,1 V @ 40 A | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | ||||
![]() | Jantx1n5615/tr | 5.4300 | ![]() | 2893 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | A, axial | Padrão | A, axial | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N5615/tr | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,6 V @ 3 A | 150 ns | 500 Na @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 45pf @ 12V, 1MHz | |||
![]() | R7S02012XX | 116.2100 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Prenda | Do-200aa, a-puk | R7S02012 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 2000 v | 1,6 V @ 1500 A | 10 µs | 50 mA @ 2000 V | 1200A | - | ||||
SS22LHRVG | - | ![]() | 2748 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | SS22 | Schottky | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 2 a | 400 µA A 20 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | MSE1PJHM3J/89A | 1.2800 | ![]() | 26 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | MicroSMP | MSE1 | Padrão | MicroSMP (DO-219AD) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 1 A | 780 ns | 1 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 5pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SS1H9HE3/61T | - | ![]() | 6071 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS1H9 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 90 v | 770 mV @ 1 a | 1 µA A 90 V | 175 ° C (max) | 1a | - | |||
![]() | FR206G B0G | - | ![]() | 3701 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | Fr206 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,3 V @ 2 A | 500 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SR340 | 0,0800 | ![]() | 125 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-SR340TB | Ear99 | 1.250 | ||||||||||||||||
![]() | SSA23L-E3/61T | 0,4200 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 450 mv @ 2 a | 500 µA A 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 2a | - | |||
![]() | R5111015XXWA | - | ![]() | 3060 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Obsoleto | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 8 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,4 V @ 470 A | 7 µs | 30 mA a 1000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150a | - | |||||
![]() | EU1Z | - | ![]() | 9727 | 0,00000000 | Sanken | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Axial | EU1 | Padrão | - | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 500 mA | 400 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 500mA | - | |||
SBL10L30-E3/45 | - | ![]() | 3751 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | SBL10L30 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 520 mv @ 10 a | 1 mA a 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | ||||
![]() | XBS024S15R-G | 0.1043 | ![]() | 4771 | 0,00000000 | TOREX SEMICONDUCOR LTD | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | XBS024S15 | Schottky | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 8.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 600 mV a 200 mA | 4 ns | 2 µA A 40 V | 125 ° C (Máximo) | 200Ma | 5pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | BYG23T | 0,1336 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | Avalanche | DO-214AC, SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-byg23ttr | 8541.10.0000 | 7.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 1300 v | 1,9 V @ 1 a | 75 ns | 5 µA A 1300 V | -50 ° C ~ 175 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | HERAF1605G C0G | - | ![]() | 9736 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Descontinuado no sic | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-2 | HERAF1605 | Padrão | ITO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,3 V @ 16 a | 50 ns | 10 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 16a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N4150_T26A | - | ![]() | 4381 | 0,00000000 | Onsemi | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ah, do-35, axial | 1N4150 | Padrão | DO-35 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 50 v | 1 V @ 200 mA | 6 ns | 100 Na @ 50 V | 175 ° C (max) | 200Ma | 2.5pf @ 0V, 1MHz |
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