SIC
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Imagem Número do produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade disponível Peso (Kg) Fabricante Série Pacote Estado do produto Tipo de montagem Pacote/Caixa Número básico do produto Tecnologia Pacote de dispositivos do fornecedor Ficha de dados Estado RoHS Nível de sensibilidade à umidade (MSL) Estado do REACH Outros nomes ECCN HTSU Pacote Padrão Velocidade Tensão - CC reversão (Vr) (Máx.) Tensão - Direto (Vf) (Máx.) @ Se Tempo de recuperação reversa (trr) Corrente - Vazamento reverso @ Vr Temperatura Operacional - Junção Corrente - Média Retificada (Io) Capacitância @ Vr, F
JAN1N6864US/TR Microchip Technology JAN1N6864US/TR -
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ECAD 3388 0,00000000 Tecnologia de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/620 Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SQ-MELF, B Schottky B, SQ-MELF - Compatível com ROHS3 REACH não afetado 150-JAN1N6864US/TR EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 80 V 700 mV a 3 A 150 µA a 80 V -65°C ~ 125°C 3A -
1N4938-1/TR Microchip Technology 1N4938-1/TR 2.8462
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ECAD 3159 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-204AH, DO-35, Axial padrão DO-35 download Compatível com ROHS3 REACH não afetado 150-1N4938-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade 175 V 1 V a 100 mA 50 ns 100 nA a 175 V -65°C ~ 175°C 100mA -
1N6910UTK2CS Microchip Technology 1N6910UTK2CS 259.3500
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ECAD 5103 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Volume Ativo Montagem em superfície ThinKey™2 SiC (carboneto de silício) Schottky ThinKey™2 - REACH não afetado 150-1N6910UTK2CS EAR99 8541.10.0080 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 15V 520 mV a 25 A 1,2 mA a 15 V -65°C ~ 150°C 25A 2.000 pF a 5 V, 1 MHz
NSB8MT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division NSB8MT-E3/81 1.0400
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ECAD 530 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-263-3, D²Pak (2 derivações + guia), TO-263AB NSB8 padrão TO-263AB (D²PAK) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 800 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 1000V 1,1 V a 8 A 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 8A 55pF @ 4V, 1MHz
BAV20W-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAV20W-E3-08 0,2800
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ECAD 12 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SOD-123 BAV20 padrão SOD-123 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 3.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 150 V 1,25 V a 200 mA 50 ns 100 nA @ 150 V 150°C (máx.) 250mA 1,5 pF a 0 V, 1 MHz
JANTX1N4150-1/TR Microchip Technology JANTX1N4150-1/TR 1.1305
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ECAD 8638 0,00000000 Tecnologia de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/231 Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-204AH, DO-35, Axial padrão DO-35 - Compatível com ROHS3 REACH não afetado 150-JANTX1N4150-1/TR EAR99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade 50 V 1 V a 200 mA 4 ns 100 nA @ 50 V -65°C ~ 175°C 200mA -
SS12HM2G Taiwan Semiconductor Corporation SS12HM2G -
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ECAD 4726 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Descontinuado na SIC Montagem em superfície DO-214AC, SMA SS12 Schottky DO-214AC (SMA) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 7.500 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 20 V 500 mV por 1 A 200 µA a 20 V -55°C ~ 125°C 1A -
PMEG100T120ELPEZ Nexperia USA Inc. PMEG100T120ELPEZ 0,9100
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ECAD 886 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície TO-277, 3-PowerDFN PMEG100 Schottky CFP15B download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 5.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 840 mV a 12 A 28 ns 6 µA a 100 V 175°C 12A 1050pF @ 1V, 1MHz
1N5393G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5393G -
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ECAD 4159 0,00000000 Corporação de Semicondutores de Taiwan - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-204AC, DO-15, Axial padrão DO-204AC (DO-15) - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado 1801-1N5393GTR EAR99 8541.10.0080 3.500 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 1,5 A 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 1,5A 15pF @ 4V, 1MHz
CMOSH-3 TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp CMOSH-3 TR13 PBFREE 0,8400
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ECAD 39 0,00000000 Central Semiconductor Corp. - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície SC-79, SOD-523 CMOSH-3 Schottky SOD-523 download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0070 10.000 Pequeno sinal =<200mA (Io), qualquer velocidade 30 V 1 V a 100 mA 5 ns 500 nA @ 25 V -65°C ~ 150°C 100mA 7pF @ 1V, 1MHz
BZX84C4V3T Yangjie Technology BZX84C4V3T 0,0190
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ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita e Carretel (TR) Ativo - Compatível com RoHS REACH não afetado 4617-BZX84C4V3TTR EAR99 3.000
UG2AA Yangjie Technology UG2AA 0,0850
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ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita e Carretel (TR) Ativo - Compatível com RoHS REACH não afetado 4617-UG2AATR EAR99 5.000
D740N46TXPSA1 Infineon Technologies D740N46TXPSA1 -
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ECAD 6255 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Obsoleto Montagem em chassi DO-200AB, B-PUK D740N46 padrão - download Não aplicável REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 4600V 1,45 V a 700 A 70 mA @ 4600 V -40°C ~ 160°C 750A -
1N3612GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3612GPHE3/73 -
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ECAD 4581 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, Superectificador® Fita e Caixa (TB) Obsoleto Através do furo DO-204AL, DO-41, Axial 1N3612 padrão DO-204AL (DO-41) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 3.000 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 400 V 1 V @ 1 A 2 µs 1 µA a 400 V -65°C ~ 175°C 1A -
UFS310GE3/TR13 Microchip Technology UFS310GE3/TR13 1.5000
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ECAD 6779 0,00000000 Tecnologia de Microchip - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície DO-215AB, gaivota SMC UFS310 padrão DO-215AB download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 3.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 950 mV a 3 A 30 segundos 10 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 3A -
VS-8TQ080GPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8TQ080GPBF -
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ECAD 3988 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do furo PARA-220-2 8TQ080 Schottky TO-220AC download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) VS8TQ080GPBF EAR99 8541.10.0080 50 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 720 mV a 8 A 280 µA a 100 V -55°C ~ 175°C 8A 500pF @ 5V, 1MHz
JANTX1N6622 Microchip Technology JANTX1N6622 19.8150
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ECAD 7681 0,00000000 Tecnologia de Microchip Militar, MIL-PRF-19500/585 Volume Ativo Através do furo A, axial 1N6622 padrão A, axial download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 660 V 1,4 V a 1,2 A 30 segundos 500 nA a 660 V -65°C ~ 150°C 2A 10pF @ 10V, 1MHz
S3KHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3KHE3/57T -
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ECAD 7851 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície DO-214AB, SMC S3K padrão DO-214AB (SMC) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 850 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 800V 1,15 V a 2,5 A 2,5µs 10 µA a 800 V -55°C ~ 150°C 3A 60pF @ 4V, 1MHz
PMEG6030ETPX NXP Semiconductors PMEG6030ETPX -
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ECAD 2481 0,00000000 Semicondutores NXP - Volume Ativo Montagem em superfície SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 - 2156-PMEG6030ETPX 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 60 V 530 mV a 3 A 12 ns 200 µA a 60 V 175°C 3A 360pF @ 1V, 1MHz
G3S06510P Global Power Technology Co. Ltd G3S06510P -
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ECAD 9563 0,00000000 Global Power Technology Co. - Volume Ativo Através do furo PARA-247-2 SiC (carboneto de silício) Schottky TO-247AC - Fornecedor indefinido 4436-G3S06510P 1 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 10 A 0 ns 50 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 32,8A 690pF a 0 V, 1 MHz
VS-SD203N25S20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD203N25S20PC 119.8250
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ECAD 2557 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Última compra Montagem em pino DO-205AB, DO-9, pino SD203 padrão DO-205AB (DO-9) download RoHS não compatível 1 (ilimitado) REACH não afetado EAR99 8541.10.0080 12 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 2500V 1,65 V a 628 A 2 µs 35 mA a 2.500 V -40°C ~ 125°C 200A -
60S2-TP Micro Commercial Co 60S2-TP 0,4326
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ECAD 7693 0,00000000 Micro Comercial - Fita e Carretel (TR) Ativo Através do furo DO-201AD, Axial 60S2 padrão DO-201AD download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado Q3949638 EAR99 8541.10.0080 1.200 Recuperação padrão >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V @ 6 A 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 6A -
SK420 Diotec Semiconductor SK420 0,2840
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ECAD 3076 0,00000000 Diotec Semicondutor - Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície DO-214AB, SMC Schottky SMC (DO-214AB) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 2796-SK420TR 8541.10.0000 3.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 200 V 860 mV a 4 A 100 µA a 200 V -50°C ~ 150°C 4A -
DSC08065FP Diodes Incorporated DSC08065FP 4.6350
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ECAD 6394 0,00000000 Diodos Incorporados - Tubo Ativo Através do furo TO-220-2 Pacote Completo, Guia Isolado DSC08 SiC (carboneto de silício) Schottky ITO-220AC (Tipo WX) download REACH não afetado 31-DSC08065FP EAR99 8541.10.0080 50 Sem tempo de recuperação > 500mA (Io) 650 V 1,7 V a 8 A 0 ns 230 µA a 650 V -55°C ~ 175°C 8A 295pF a 100mV, 1MHz
ES5J Yangjie Technology ES5J 0,1290
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ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Fita e Carretel (TR) Ativo - Compatível com RoHS REACH não afetado 4617-ES5JTR EAR99 3.000
SET130204 Semtech Corporation SET130204 -
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ECAD 7917 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado na SIC Solda Módulo SET130 padrão - download RoHS não compatível 1 (ilimitado) EAR99 8541.10.0080 1 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 400 V 1,5 V a 9 A 150 ns 1 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 15A -
MSASC75H100FX/TR Microchip Technology MSASC75H100FX/TR -
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ECAD 2027 0,00000000 Tecnologia de Microchip * Fita e Carretel (TR) Ativo - REACH não afetado 150-MSASC75H100FX/TR 100
VS-80-1320PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80-1320PBF -
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ECAD 7492 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto VS-80 - Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) 112-VS-80-1320PBF EAR99 8541.10.0080 25
SBR2U30SA-13 Diodes Incorporated SBR2U30SA-13 0,5200
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ECAD 540 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Fita e Carretel (TR) Ativo Montagem em superfície DO-214AC, SMA SBR2U30 Superbarreira SMA download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH afetado EAR99 8541.10.0080 5.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 30 V 400 mV a 2 A 500 µA a 30 V -65°C ~ 150°C 2A -
VS-50WQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ10FNTRRPBF -
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ECAD 8026 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita e Carretel (TR) Obsoleto Montagem em superfície TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63 50WQ10 Schottky D-PAK (TO-252AA) download Compatível com ROHS3 1 (ilimitado) REACH não afetado VS50WQ10FNTRRPBF EAR99 8541.10.0080 3.000 Recuperação rápida =< 500ns, >200mA (Io) 100V 770 mV a 5 A 1 mA a 100 V -40°C ~ 150°C 5,5A 183pF @ 5V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    Mais de 2.000

    Volume médio diário de RFQ

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2.800+

    Fabricantes mundiais

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Armazém em estoque