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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
GPP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GPP10A-E3/73 -
RFQ
 ECAD 1620 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial GPP10 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,1 V @ 1 A 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a -
FGP30DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP30DHE3/73 -
RFQ
 ECAD 3025 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial FGP30 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 3 a 35 ns 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 70pf @ 4V, 1MHz
FR85KR05 GeneSiC Semiconductor FR85KR05 24.1260
RFQ
 ECAD 9264 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR85KR05GN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,4 V @ 85 A 500 ns 25 µA A 100 V -40 ° C ~ 125 ° C. 85a -
R7000803XXUA Powerex Inc. R7000803XXUA -
RFQ
 ECAD 6394 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano Do-200aa, a-puk R7000803 Padrão DO-200AA, R62 download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 2,15 V @ 1500 A 9 µs 50 mA a 800 V -65 ° C ~ 200 ° C. 300A -
CD214B-S3D Bourns Inc. CD214B-S3D 0,0900
RFQ
 ECAD 1660 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo Padrão 2-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 118-CD214B-S3DTR Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 3 A 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a 23pf @ 4V, 1MHz
FCHS10A12 KYOCERA AVX FCHS10A12 0,7500
RFQ
 ECAD 2872 0,00000000 Kyocera Avx - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-3 Schottky TO-220 Presos concluídos download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 120 v 860 mV @ 10 A 100 µA A 120 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
CGRAT102L-HF Comchip Technology CGRAT102L-HF -
RFQ
 ECAD 3991 0,00000000 Tecnologia Comchip * Tape & Reel (TR) Obsoleto download 1 (ilimito) 641-CGRAT102L-HFTR Ear99 8541.10.0080 3.000
STTH30RQ06DY STMicroelectronics STTH30RQ06DY 2.3900
RFQ
 ECAD 8230 0,00000000 Stmicroelectronics Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 STTH30 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 497-17601 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,95 V @ 30 A 55 ns 40 µA A 600 V -40 ° C ~ 175 ° C. 30a -
MR856RL onsemi MR856RL -
RFQ
 ECAD 9255 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial MR85 Padrão Axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.200 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 3 A 300 ns 10 µA A 600 V -65 ° C ~ 125 ° C. 3a -
GP10GE-124E3/91 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-124E3/91 -
RFQ
 ECAD 3635 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Volume Obsoleto - - Gp10 - - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Obsoleto 0000.00.0000 1 - - - -
BAS40LT1G Rochester Electronics, LLC Bas40lt1g -
RFQ
 ECAD 8384 0,00000000 Rochester Electronics, LLC - Volume Ativo Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Schottky SOT-23-3 (TO-236) - Rohs Não Compatível Fornecedor indefinido 2156-BAS40LT1G-2156 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 40 v 1 V @ 40 Ma 1 µA A 25 V -55 ° C ~ 150 ° C. 120mA 5pf @ 1V, 1MHz
CMS09(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage CMS09 (TE12L) -
RFQ
 ECAD 5132 0,00000000 Semicondutor e Armazenento de Toshiba - Digi-Reel® Obsoleto Montagem na Superfície SOD-128 CMS09 Schottky M-flat (2.4x3.8) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 450 mv @ 1 a 500 µA A 30 V -40 ° C ~ 150 ° C. 1a -
CDBB5150-HF Comchip Technology CDBB5150-HF 0,2465
RFQ
 ECAD 4218 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB CDBB5150 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 870 mV @ 5 A 500 µA @ 150 V -50 ° C ~ 175 ° C. 5a 380pf @ 4V, 1MHz
PMEG6020ETR,115 Nexperia USA Inc. PMEG6020ETR, 115 0,4400
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Nexperia EUA Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123W PMEG6020 Schottky SOD-123W download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 530 mv @ 2 a 8,5 ns 150 µA A 60 V 175 ° C (max) 2a 240pf @ 1V, 1MHz
VS-50SQ060TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50SQ060TR -
RFQ
 ECAD 9810 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco Do-204ar, axial 50SQ060 Schottky Do-204ar download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 660 mV @ 5 A 550 µA A 60 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a -
VS-80PF160W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80PF160W 6.3468
RFQ
 ECAD 8948 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud 80pf160 Padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs80pf160w Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,46 V @ 220 A -55 ° C ~ 150 ° C. 80a -
1N3909A Microchip Technology 1N3909A 48.5400
RFQ
 ECAD 7774 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AB, DO-5, Stud 1N3909 Padrão DO-203AB (DO-5) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 1,4 V @ 50 A 150 ns 15 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 50a -
VS-MBRB1635-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1635-M3 1.7100
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab MBRB1635 Schottky TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 35 v 630 mV @ 16 a 200 µA A 35 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 1400pf @ 5V, 1MHz
ES2C R5G Taiwan Semiconductor Corporation ES2C R5G 0,7700
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AA, SMB ES2C Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 850 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 2 a 35 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
20ETF06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF06S -
RFQ
 ECAD 3690 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 20ETF06 Padrão TO-263AB (D²PAK) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 20 A 160 ns 100 µA A 600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 20a -
UFR3015 Microchip Technology UFR3015 51.4650
RFQ
 ECAD 6342 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Padrão Do-203aa (DO-4) - Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 975 mV @ 30 A 35 ns 175 ° C (max) 30a 140pf @ 10V, 1MHz
RFX10TF6S Rohm Semiconductor RFX10TF6S 1.7800
RFQ
 ECAD 937 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tubo Não é para desenhos para Novos Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 RFX10 Padrão TO-220NFM - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 2,5 V @ 10 A 30 ns 10 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 10a -
SF61G R0G Taiwan Semiconductor Corporation SF61G R0G -
RFQ
 ECAD 5196 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Através do buraco Do-201D, axial SF61 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 975 mV @ 6 a 35 ns 5 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a 100pf @ 4V, 1MHz
VI30100SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100SGHM3/4W -
RFQ
 ECAD 8869 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Obsoleto Através do buraco TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA VI30100 Schottky TO-262AA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1 V @ 30 A 350 µA A 100 V -40 ° C ~ 150 ° C. 30a -
MBRH30040L GeneSiC Semiconductor MBRH30040L -
RFQ
 ECAD 1619 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Obsoleto Montagem do chassi D-67 Schottky D-67 - 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 300 A 5 mA a 40 V -55 ° C ~ 150 ° C. 300A -
HS1GL MTG Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL MTG -
RFQ
 ECAD 9659 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB HS1G Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1 a 50 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
RL203-T Diodes Incorporated RL203-T -
RFQ
 ECAD 6330 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial RL203 Padrão DO-15 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 2 A 5 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a -
JANTX1N6622 Microchip Technology Jantx1N6622 19.8150
RFQ
 ECAD 7681 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/585 Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N6622 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 660 v 1,4 V @ 1,2 A 30 ns 500 Na @ 660 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 10V, 1MHz
S1AFM-M3/6B Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFM-M3/6B 0,0858
RFQ
 ECAD 9731 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads S1A Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 14.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 1 A 1,47 µs 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7.9pf @ 4V, 1MHz
1N4148WQ-13-F-52 Diodes Incorporated 1N4148WQ-13-F-52 0,0204
RFQ
 ECAD 4571 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-123 1N4148 Padrão SOD-123 download 31-1N4148WQ-13-F-52 Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 1 µA A 75 V -55 ° C ~ 150 ° C. 300mA 2pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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