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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
CD214A-B1100R Bourns Inc. CD214A-B1100R 0,4800
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Bourns Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-SMD, sem chumbo CD214A Schottky 2-SMD download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 790 mV @ 1 a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 110pf @ 4V, 1MHz
PX3746HDNG008XTMA1 Infineon Technologies PX3746HDNG008XTMA1 -
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 ECAD 1998 0,00000000 Tecnologias Infineon - Bandeja Obsoleto PX3746HD - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado Obsoleto 1
VS-6FR100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6FR100M 8.5474
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 ECAD 5467 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 6FR100 Polaridada reversa padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs6fr100m Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 19 A -65 ° C ~ 175 ° C. 6a -
VS-ETX1506STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETX1506STL-M3 0,7542
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 ECAD 7567 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab ETX1506 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSETX1506STRLM3 Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,4 V @ 15 A 20 ns 36 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
S1GL RHG Taiwan Semiconductor Corporation S1gl rhg -
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 ECAD 4376 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB S1G Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 10.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,1 V @ 1 A 1,8 µs 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 175 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
RS2GAHR3G Taiwan Semiconductor Corporation Rs2gahr3g -
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 ECAD 9997 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Rs2g Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,3 V @ 1,5 A 150 ns 5 µA A 400 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1.5a 50pf @ 4V, 1MHz
JAN1N5550 Semtech Corporation JAN1N5550 -
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 ECAD 6720 0,00000000 Semtech Corporation Militar, MIL-PRF-19500/420 Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão Axial download JAN1N5550S Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1 V @ 3 A 2 µs 1 µA A 200 V - 5a 92pf @ 5V, 1MHz
BYC10DX-600,127 WeEn Semiconductors BYC10DX-600,127 0,9700
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 ECAD 4 0,00000000 Semicondutores de Ween - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2, Guia Isolada BYC10 Padrão TO-220FP download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 2,5 V @ 10 A 18 ns 200 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 10a -
SB2100 SMC Diode Solutions SB2100 0,4200
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 ECAD 15 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial SB2100 Schottky DO-15 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 500 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. - 140pf @ 5V, 1MHz
UPS5817E3/TR13 Microchip Technology UPS5817E3/TR13 0,5100
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 ECAD 6398 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-216AA UPS5817 Schottky Powermite download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 12.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 450 mv @ 1 a 1 mA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 105pf @ 5V, 1MHz
BAT42 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Bat42 a0g -
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 ECAD 4129 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial BAT42 Schottky DO-35 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 5.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 650 mV a 50 mA 5 ns 100 Na @ 25 V -65 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 7pf @ 1V, 1MHz
FR12KR05 GeneSiC Semiconductor FR12KR05 7.0500
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 ECAD 8803 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download Rohs Compatível 1 (ilimito) FR12KR05GN Ear99 8541.10.0080 250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 800 mV @ 12 A 500 ns 25 µA A 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
1N1666 Solid State Inc. 1N1666 21.0000
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 ECAD 50 0,00000000 Solid State Inc. - CAIXA Ativo Montagem do Pino DO-205AB, DO-9, Stud Padrão Do-9 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-1N1666 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,3 V @ 300 A 75 µA @ 500 V -65 ° C ~ 190 ° C. 275a -
MBR1045S SMC Diode Solutions MBR1045S 0,6900
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 ECAD 91 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN MBR104 Schottky TO-277B download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 500 mV @ 10 A 1 ma @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
VS-S1517 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-S1517 -
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 ECAD 9919 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto S1517 - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 112-VS-S1517 Obsoleto 25
SBR2A40P1-7 Diodes Incorporated SBR2A40P1-7 0,4600
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 ECAD 612 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi®123 SBR2A40 Super Barreira Powerdi ™ 123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 40 v 500 mv @ 2 a 100 µA A 40 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a -
B5819W HY Electronic (Cayman) Limited B5819W 0.1020
RFQ
 ECAD 2430 0,00000000 Hy Electronic (Cayman) Limited B5819W Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 4024-B5819WTR 5 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 1 mA a 40 V - 1a 120pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N5816 Microchip Technology Jantx1N5816 142.3200
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 ECAD 7361 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/478 Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 1N5816 Padrão Do-203aa (DO-4) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 950 mV @ 20 A 35 ns 10 µA A 150 V -65 ° C ~ 175 ° C. 20a 300pf @ 10V, 1MHz
FR206G Taiwan Semiconductor Corporation Fr206G 0,0981
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 ECAD 5057 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial Fr206 Padrão DO-204AC (DO-15) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,3 V @ 2 A 500 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 4V, 1MHz
JANHCE1N5802 Microchip Technology Janhce1N5802 15.9600
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 ECAD 3821 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/561 Volume Ativo Montagem na Superfície Morrer Padrão Morrer - ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 150-JANHCE1N5802 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 875 mV @ 1 a 25 ns 1 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25pf @ 10V, 1MHz
JANTXV1N6672 Microchip Technology Jantxv1N6672 -
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 ECAD 3705 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/617 Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) Padrão To-254 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,55 V @ 20 A 35 ns 50 µA @ 240 V - 15a 150pf @ 10V, 1MHz
STTH1L06 STMicroelectronics STTH1L06 0,5000
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 ECAD 13 0,00000000 Stmicroelectronics - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial STTH1 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 1 a 80 ns 1 µA A 600 V 175 ° C (max) 1a -
RS1J Yangjie Technology Rs1j 0,0210
RFQ
 ECAD 500 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-rs1jtr Ear99 5.000
RS1JL RTG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jl rtg -
RFQ
 ECAD 8785 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1j Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 7.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 800 mA 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
ES2J Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd ES2J 0,3000
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 ECAD 9197 0,00000000 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Padrão DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 2 A 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 12pf @ 4V, 1MHz
BAT46W-7-F-2477 Diodes Incorporated BAT46W-7-F-2477 -
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 ECAD 3167 0,00000000 Diodos Incorporados - Volume Última Vez compra Montagem na Superfície SOD-123 Schottky SOD-123 - 31-BAT46W-7-F-2477 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 450 mV a 10 mA 2 µA A 75 V -55 ° C ~ 125 ° C. 150mA 20pf @ 0V, 1MHz
SBR8E60P5-13 Diodes Incorporated SBR8E60P5-13 0,2126
RFQ
 ECAD 3584 0,00000000 Diodos Incorporados SBR® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBR8E60 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 60 v 530 mV @ 8 a 580 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a -
V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10p8hm3_a/h 0,9100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN V10p8 Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 80 v 680 mV @ 10 a 800 µA A 80 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SD103AW-13-F Diodes Incorporated SD103AW-13-F 0,3800
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 ECAD 60 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123 SD103 Schottky SOD-123 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA A 30 V -65 ° C ~ 125 ° C. 350mA 28pf @ 0V, 1MHz
MBR1645 Taiwan Semiconductor Corporation MBR1645 -
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 ECAD 8123 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 Schottky TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 1801-MBR1645 Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 630 mV @ 16 a 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 16a -
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    2000+

    Volume médio diário de RFQ

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    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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