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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
RS1PB-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1pb-m3/84a 0,0869
RFQ
 ECAD 9830 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos ESMP® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-220AA Rs1p Padrão DO-220AA (SMP) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 1 a 150 ns 1 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 9pf @ 4V, 1MHz
SFAF804GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF804GHC0G -
RFQ
 ECAD 1737 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF804 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 90pf @ 4V, 1MHz
CDBJFSC5650-G Comchip Technology CDBJFSC5650-G 2.9300
RFQ
 ECAD 496 0,00000000 Tecnologia Comchip - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 CDBJFSC5650 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-220F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 50 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,7 V @ 5 A 0 ns 100 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a 430pf @ 0V, 1MHz
1SR139-600T-32 Rohm Semiconductor 1SR139-600T-32 -
RFQ
 ECAD 3002 0,00000000 Rohm Semiconducor - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco DO-41 mini, axial 1SR139 Padrão Msr download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 10 µA A 600 V 150 ° C (Máximo) 1a -
MBR1045 C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045 C0G -
RFQ
 ECAD 3672 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 MBR104 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 45 v 700 mv @ 10 a 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 10a -
SK510BH-LTP Micro Commercial Co SK510BH-LTP 0,4900
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Micro Commercial Co. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB SK510 Schottky DO-214AA (SMB) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 353-SK510BH-LTPTR Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 5 a 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 175 ° C. 5a -
VS-15ETX06STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETX06STRR-M3 0,6174
RFQ
 ECAD 6400 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Fred Pt® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab 15ETX06 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 3,2 V @ 15 A 32 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
B340LB-13-F Diodes Incorporated B340LB-13-F 0,4100
RFQ
 ECAD 147 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB B340 Schottky SMB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 450 mv @ 3 a 2 mA a 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 3a 180pf @ 4V, 1MHz
VS-80APS16PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80APS16pbf -
RFQ
 ECAD 5686 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-247-3 80APS16 Padrão TO-247AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Vs80aps16pbf Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1600 v 1,17 V @ 80 A 100 µA A 1600 V -40 ° C ~ 150 ° C. 80a -
1N3296A Microchip Technology 1N3296A 93.8550
RFQ
 ECAD 2033 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Montagem do Pino Do-205AA, DO-8, Stud 1N3296 Padrão Do-205AA (DO-8) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado 1n3296ams Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1200 v 1,1 V @ 200 A 200 µA A 1200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 150a -
S1AFJ-M3/6A Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1AFJ-M3/6A 0,0858
RFQ
 ECAD 7658 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-221AC, SMA Flat Leads S1A Padrão DO-221AC (Slimsma) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 1 A 1,47 µs 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 7.9pf @ 4V, 1MHz
GS1B SMC Diode Solutions GS1B 0,0272
RFQ
 ECAD 1261 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA GS1 Padrão SMA (DO-214AC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,1 V @ 1 A 2,5 µs 5 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
RSFML Taiwan Semiconductor Corporation Rsfml 0,0692
RFQ
 ECAD 1827 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Não é para desenhos para Novos Montagem na Superfície DO-219AB Rsfml Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,3 V @ 500 mA 500 ns 5 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 500mA 4pf @ 4V, 1MHz
R9G01822XX Powerex Inc. R9G01822XX -
RFQ
 ECAD 7188 0,00000000 Powerex Inc. - Volume Ativo Prenda Do-200ab, B-Puk R9G01822 Padrão Do-200ab, B-Puk download Rohs Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1800 v 1,1 V @ 1500 A 15 µs 150 mA @ 1800 V 2200A -
ES2AA R3G Taiwan Semiconductor Corporation Es2aa r3g -
RFQ
 ECAD 2249 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA ES2A Padrão DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 50 v 950 mV @ 2 a 35 ns 10 µA a 50 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a 25pf @ 4V, 1MHz
JANTX1N6622 Microchip Technology Jantx1N6622 19.8150
RFQ
 ECAD 7681 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/585 Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N6622 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 660 v 1,4 V @ 1,2 A 30 ns 500 Na @ 660 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a 10pf @ 10V, 1MHz
FESE16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES16DT-E3/45 -
RFQ
 ECAD 9139 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Obsoleto Através do buraco To-220-2 Fese16 Padrão TO-220AC - ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 975 mV @ 16 a 35 ns 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 16a 175pf @ 4V, 1MHz
SURS8340T3G onsemi SURS8340T3G 0,9100
RFQ
 ECAD 71 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SURS8340 Padrão SMC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 3 A 75 ns 10 µA A 400 V -65 ° C ~ 175 ° C. 3a -
HER106-AP Micro Commercial Co HER106-AP -
RFQ
 ECAD 3632 0,00000000 Micro Commercial Co. - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-204al, DO-41, axial HER106 Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 mA a 600 V -55 ° C ~ 125 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
VSSA36S-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSA36S-M3/61T 0.1061
RFQ
 ECAD 9270 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SA36 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VSSA36SM361T Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 630 mV @ 3 a 900 µA A 60 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2.4a 245pf @ 4V, 1MHz
RGL41J-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41J-E3/96 0,4600
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Do-213ab, Mell (Vidro) RGL41 Padrão DO-213AB download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 1 a 250 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
UGA8120 C0G Taiwan Semiconductor Corporation UGA8120 C0G -
RFQ
 ECAD 7312 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Descontinuado no sic Através do buraco To-220-2 UGA8120 Padrão TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 2,8 V @ 8 A 70 ns 5 µA A 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 8a -
MBRF745HC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF745HC0G -
RFQ
 ECAD 3653 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 MBRF745 Schottky ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 840 mV @ 15 A 100 µA A 45 V -55 ° C ~ 150 ° C. 7.5a -
BAS16J/ZLF Nexperia USA Inc. Bas16j/zlf -
RFQ
 ECAD 1800 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotive, AEC-Q101, BAS16 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície SC-90, SOD-323F Bas16 Padrão SOD-323F download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado 934070443135 Ear99 8541.10.0070 10.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,25 V @ 150 Ma 4 ns 500 Na @ 80 V 150 ° C (Máximo) 250mA 1.5pf @ 0V, 1MHz
FR2B SMC Diode Solutions Fr2b 0,0537
RFQ
 ECAD 8322 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AA, SMB Fr2 Padrão SMB (DO-214AA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,3 V @ 2 A 150 ns 5 µA A 100 V -50 ° C ~ 150 ° C. 2a 50pf @ 4V, 1MHz
PMEG60T30ELP-QX Nexperia USA Inc. PMEG60T30ELP-QX 0,2323
RFQ
 ECAD 1268 0,00000000 Nexperia EUA Inc. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 Schottky SOD-128/CFP5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 620 mV @ 3 a 16 ns 1,8 µA A 60 V 175 ° C. 3a 560pf @ 1V, 1MHz
PMEG3010ESB315 NXP USA Inc. PMEG3010ESB315 0,0400
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 ECAD 429 0,00000000 NXP USA Inc. * Volume Ativo download Não Aplicável 1 (ilimito) Fornecedor indefinido Ear99 8541.10.0080 10.000
V15P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15p22hm3/h 1.0230
RFQ
 ECAD 1636 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN Schottky TO-277A (SMPC) download ROHS3 Compatível Alcançar Não Afetado 112-V15P22HM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 910 mV @ 15 A 350 µA @ 200 V -40 ° C ~ 175 ° C. 3.3a 835pf @ 4V, 1MHz
SF35G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G 0,2478
RFQ
 ECAD 6591 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF35 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 300 v 1,3 V @ 3 A 35 ns 5 µA A 300 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 60pf @ 4V, 1MHz
BY228GP-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY228GP-E3/73 -
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 ECAD 5005 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Do-201D, axial BY228 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1500 v 1,6 V @ 2,5 A 20 µs 5 µA A 1500 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2.5a 40pf @ 4V, 1MHz
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