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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMSH3-100 TR13 PBFREE | 1.1200 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Central Semiconductor Corp | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | Cmsh3 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 800 mv @ 2 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | |||
![]() | PR1003GL-T | - | ![]() | 5016 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | PR1003 | Padrão | DO-41 | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,3 V @ 1 a | 150 ns | 5 µA A 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | R6030825HSYA | - | ![]() | 3192 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-205AB, DO-9, Stud | R6030825 | Polaridada reversa padrão | DO-205AB (DO-9) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 2 V @ 800 A | 1 µs | 50 mA a 800 V | -45 ° C ~ 150 ° C. | 250a | - | |||
![]() | CGRM4004-HF | 0,3700 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123T | CGRM4004 | Padrão | Mini SMA/SOD-123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | RB060MM-40TR | 0,5800 | ![]() | 7 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB060 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 560 mV @ 2 a | 500 µA A 40 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||
![]() | SBA140CS_R1_00001 | 0,2900 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | SBA140 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 1 a | 100 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | |||
![]() | Jan1n5807urs/tr | 17.6250 | ![]() | 3370 | 0,00000000 | Microchip Technology | MIL-PRF-19500/477 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SQ-Melf, b | Padrão | B, Sq-Melf | - | 150-JAN1N5807URS/TR | 100 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 4 a | 30 ns | 5 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 3a | 60pf @ 10V, 1MHz | |||||||
![]() | STTH1506DPI | 6.6400 | ![]() | 5924 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | DOP3I-2 ISOLADO (Leads Retos) | STTH1506 | Padrão | Dop3i | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,6 V @ 15 A | 35 ns | 20 µA A 600 V | 150 ° C (Máximo) | 15a | - | ||
![]() | GF1G-6493HE3_A/H. | - | ![]() | 4471 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214BA | Padrão | DO-214BA (GF1) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 112-GF1G-6493HE3_A/HTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S3KHE3-TP | 0.1156 | ![]() | 6063 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Última Vez compra | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3K | Padrão | SMC (DO-214AB) | download | 353-S3KHE3-TP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,2 V @ 3 A | 10 µA a 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||
![]() | SK1045-LTP | 0,8500 | ![]() | 344 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | SK1045 | Schottky | SMC (DO-214AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 353-SK1045-LTPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 550 mV @ 10 A | 200 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | 500pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1n1196a | 75.5700 | ![]() | 7489 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AB, DO-5, Stud | 1N1196 | Padrão | DO-203AB (DO-5) | download | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,19 V @ 90 A | 10 µA A 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 40A | - | ||||
![]() | Uf1k a0g | - | ![]() | 7209 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | Uf1k | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 800 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 17pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | PMEG060V050EPEZ | 0,5800 | ![]() | 4 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | Schottky | CFP15B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 560 mV @ 5 A | 14 ns | 400 µA A 60 V | 175 ° C. | 5a | 429pf @ 1V, 1MHz | |||
![]() | SEG10FGHM3/i | 0,4300 | ![]() | 10 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 700 mA | 1,2 µs | 5 µA A 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 7.3pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-42HFR100 | 6.5000 | ![]() | 4209 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AB, DO-5, Stud | 42HFR100 | Polaridada reversa padrão | DO-203AB (DO-5) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VS42HFR100 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,3 V @ 125 A | -65 ° C ~ 190 ° C. | 40A | - | |||
MBR7H35HE3/45 | - | ![]() | 8094 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-2 | MBR7 | Schottky | TO-220AC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 630 mV @ 7.5 A | 50 µA @ 35 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - | ||||
![]() | D371S45TXPSA1 | - | ![]() | 5675 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Obsoleto | Prenda | Do-200ab, B-Puk | D371S45 | Padrão | - | download | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4500 v | 3,9 V @ 1200 A | 100 mA a 4500 V | -40 ° C ~ 125 ° C. | 510A | - | ||||
![]() | NTE6084 | 14.5500 | ![]() | 108 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE6084 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 550 mV @ 30 A | 125 mA a 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 30a | 2000pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | PDS4150-13 | 1.2500 | ![]() | 22 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | PDS4150 | Schottky | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 760 mV @ 4 a | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | |||
![]() | SK1020D1 | 0,2794 | ![]() | 9522 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | Schottky | TO-252-3, DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SK1020D1TR | 8541.10.0000 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 550 mV @ 10 A | 300 µA A 20 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||
![]() | SL23-7001HE3_A/i | - | ![]() | 9088 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | SL23 | Schottky | DO-214AA (SMB) | download | 1 (ilimito) | 112-SL23-7001HE3_A/ITR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 440 mV @ 2 a | 400 µA A 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | - | ||||
![]() | AS1PD-M3/85A | 0,2393 | ![]() | 1867 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-220AA | AS1 | Avalanche | DO-220AA (SMP) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1,15 V @ 1,5 A | 1,5 µs | 5 µA A 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1.5a | 10.4pf @ 4V, 1MHz | ||
HER602-AP | - | ![]() | 6856 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Fita E CAIXA (TB) | Obsoleto | Através do buraco | R-6, axial | HER602 | Padrão | R-6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 450 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 100pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | Jantx1N6843U3 | 165.2100 | ![]() | 2229 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | 3-SMD, sem chumbo | Schottky | U3 (SMD-0.5) | - | Alcançar Não Afetado | 150-Jantx1N6843U3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,2 V @ 100 Ma | 10 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||||
S1al r3g | - | ![]() | 8335 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1A | Padrão | Sub sma | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 9pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | DTH8S06D | 0,8600 | ![]() | 30 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | TO220AC (TIPO WX) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 31-DTH8S06D | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 3,4 V @ 8 A | 18 ns | 15 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 8a | - | ||
![]() | 1N3957GP-M3/54 | - | ![]() | 3538 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | 1N3957 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | |||||||||||||
![]() | 1N4007GPHE3/54 | - | ![]() | 3839 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Superectifier® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | 1N4007 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | IN4007GPHE3/54 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 2 µs | 5 µA A 1000 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 8pf @ 4V, 1MHz | |
![]() | MBRB7H45HE3/45 | - | ![]() | 3264 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MBRB7 | Schottky | TO-263AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 630 mV @ 7.5 A | 50 µA @ 45 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 7.5a | - |
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