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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ES1A-M3/61T | 0,3600 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | ES1 | Padrão | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 920 mV @ 1 a | 25 ns | 5 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | R7004003XXUA | 180.6150 | ![]() | 3934 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-200aa, a-puk | R7004003 | Padrão | DO-200AA, R62 | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 4000 v | 2,15 V @ 1500 A | 9 µs | 50 mA a 4000 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 300A | - | |||
![]() | 1ss357-tp | 0,0426 | ![]() | 9344 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | 1ss357 | Padrão | SOD-323 | download | 353-1SS357-TP | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 45 v | 360 mV a 10 mA | 5 µA @ 45 V | 125 ° C. | 100mA | 18pf @ 0V, 1MHz | |||||
![]() | VS-150SQ040TR | - | ![]() | 8868 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-204ar, axial | 150SQ040 | Schottky | Do-204ar | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | VS150SQ040TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 540 mV @ 15 A | 1,75 mA a 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 15a | 900pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | SS5200B | 0,5085 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Mdd | SMB | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3372-SS5200BTR | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 850 mv @ 5 a | 300 µA @ 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 5a | 300pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | CURC302-G | 0,2175 | ![]() | 5211 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | CURC302 | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 3 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | 150 ° C (Máximo) | 3a | - | ||
![]() | VS-73-5265A | - | ![]() | 1625 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Obsoleto | - | 112-VS-73-5265A | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | B150BQ-13-F | 0.1058 | ![]() | 8449 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | B150 | Schottky | SMB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 700 mv @ 1 a | 500 µA A 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
BZT52B16Q | 0,0260 | ![]() | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-BZT52B16QTR | Ear99 | 3.000 | |||||||||||||||||
![]() | 2CZ4004 RHG | - | ![]() | 9660 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SOD-123 | Padrão | SOD-123 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-2CZ4004RHGTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-MBRD320TRR-M3 | 0,2764 | ![]() | 5778 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD320 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRD320TRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA a 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | MBRS320T3G | 0,6000 | ![]() | 8052 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | MBRS320 | Schottky | SMC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | MBRS320T3gostr | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 2 mA a 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||
![]() | S3BHR7G | - | ![]() | 7680 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AB, SMC | S3b | Padrão | DO-214AB (SMC) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 850 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,15 V @ 3 A | 1,5 µs | 5 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 30pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | 1N4148WT-7 | 0,2100 | ![]() | 191 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | Padrão | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 125mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | Egl41bhe3_a/i | - | ![]() | 6688 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell (Vidro) | Egl41 | Padrão | DO-213AB | download | Alcançar Não Afetado | Egl41bhe3_b/i | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 20pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | B140-13-F | 0,3900 | ![]() | 492 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | B140 | Schottky | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | MBR735-BP | 0,3300 | ![]() | 5431 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | MBR735 | Schottky | TO-220AC | download | 353-MBR735-BP | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 35 v | 100 µA A 35 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 7.5a | 400pf @ 4V, 1MHz | ||||||
RLS4448TE-11 | - | ![]() | 3423 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | DO-213AC, Mini-Me-SED, SOD-80 | RLS4448 | Padrão | LLDS | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 2.500 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 75 v | 1 V @ 100 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 150mA | 4pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | VS-ETU1506STRR-M3 | 0,7542 | ![]() | 5851 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Fred Pt® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | ETU1506 | Padrão | TO-263AB (D²PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSETU1506STM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,07 V @ 15 A | 210 ns | 15 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 15a | - | |
![]() | GP3D060A120B | - | ![]() | 2141 | 0,00000000 | Semiq | * | Tubo | Ativo | GP3D060 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||
![]() | VS-SD553C30S50L | 162.0800 | ![]() | 1641 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Volume | Última Vez compra | Prenda | Do-200ab, B-Puk | SD553 | Padrão | Do-200ab, B-Puk | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 3000 v | 3,24 V @ 1500 A | 5 µs | 75 mA A 3000 V | 560a | - | |||
![]() | Jantxv1n6912utk2cs | - | ![]() | 3112 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/723 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Thinkey ™ 2 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | Thinkey ™ 2 | - | Rohs Não Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 45 v | 640 mV @ 25 A | 1,2 mA a 45 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 25a | 1000pf @ 5V, 1MHz | |||||
![]() | S1B-13-F | 0,2500 | ![]() | 298 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | S1b | Padrão | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 1,1 V @ 1 A | 3 µs | 5 µA A 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | MBR1045S | 0,6900 | ![]() | 91 | 0,00000000 | Soluções de diodo SMC | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-277, 3-POWERDFN | MBR104 | Schottky | TO-277B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 45 v | 500 mV @ 10 A | 1 ma @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 10a | - | |||
![]() | Jantx1N5816 | 142.3200 | ![]() | 7361 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/478 | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | DO-203AA, DO-4, Stud | 1N5816 | Padrão | Do-203aa (DO-4) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 150 v | 950 mV @ 20 A | 35 ns | 10 µA A 150 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 20a | 300pf @ 10V, 1MHz | ||
![]() | FR105G | 0,0320 | ![]() | 500 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Fita E CAIXA (TB) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-FR105GTB | Ear99 | 5.000 | ||||||||||||||||
![]() | 1N5408G R0G | 0,1215 | ![]() | 9524 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | 1N5408 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1 V @ 3 A | 5 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 25pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | Janhce1N5802 | 15.9600 | ![]() | 3821 | 0,00000000 | Microchip Technology | Militar, MIL-PRF-19500/561 | Volume | Ativo | Montagem na Superfície | Morrer | Padrão | Morrer | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 150-JANHCE1N5802 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 875 mV @ 1 a | 25 ns | 1 µA a 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 25pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | BY127MGPHE3/54 | - | ![]() | 6043 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101, SuperiorIcier® | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | DO-204AC, DO-15, axial | BY127 | Padrão | DO-204AC (DO-15) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1250 v | 1,5 V @ 5 A | 2 µs | 5 µA A 1250 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1.75a | - | ||
STTH1L06 | 0,5000 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | STTH1 | Padrão | DO-41 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 1 a | 80 ns | 1 µA A 600 V | 175 ° C (max) | 1a | - |
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