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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
UTR60/TR Microchip Technology Utr60/tr 9.4350
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 ECAD 7831 0,00000000 Microchip Technology - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco A, axial Padrão A, axial - Alcançar Não Afetado 150-UTR60/tr Ear99 8541.10.0070 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,1 V @ 200 mA 400 ns 3 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 40pf @ 0V, 1MHz
31GF4-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 31GF4-M3/73 -
RFQ
 ECAD 2116 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial 31GF4 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 400 v 1,25 V @ 3 A 30 ns 20 µA A 400 V -40 ° C ~ 150 ° C. 3a -
US1KFA Fairchild Semiconductor US1KFA 1.0000
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 ECAD 3723 0,00000000 Semicondutor Fairchild - Volume Ativo Montagem na Superfície SOD-123W Padrão SOD-123FA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,7 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 800 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 15pf @ 4V, 1MHz
R3000G Rectron USA R3000G 0,0880
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 ECAD 4128 0,00000000 Rectron EUA - Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial Padrão DO-41 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) 2516-R3000GTR Ear99 8541.10.0080 20.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 3000 v 3 V @ 200 mA 5 µA @ 3000 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA 30pf @ 4V, 1MHz
1N4154 onsemi 1N4154 -
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 ECAD 5348 0,00000000 Onsemi - Volume Obsoleto Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N4154 Padrão DO-35 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 2.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 35 v 1 V @ 30 Ma 4 ns 100 Na @ 25 V 175 ° C (max) 100mA 4pf @ 0V, 1MHz
GI754-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI754-E3/73 0,9700
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 ECAD 8 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco P600, axial GI754 Padrão P600 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 300 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 400 v 900 mV @ 6 A 2,5 µs 5 µA A 400 V -50 ° C ~ 150 ° C. 6a 150pf @ 4V, 1MHz
NRVBA1H100NT3G onsemi NRVBA1H100NT3G 0,4600
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 ECAD 2238 0,00000000 Onsemi Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AC, SMA NRVBA1 Schottky SMA download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 760 mV @ 1 a 40 µA A 100 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a -
SIDC73D170E6X1SA2 Infineon Technologies SIDC73D170E6X1SA2 -
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 ECAD 1531 0,00000000 Tecnologias Infineon - Volume Descontinuado no sic Montagem na Superfície Morrer Sidc73d Padrão Serra Em Papel Alumínio download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1700 v 2,15 V @ 100 A 27 µA A 1700 V -40 ° C ~ 175 ° C. 100a -
FYV0203SMTF onsemi FYV0203SMTF -
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 ECAD 9263 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FYV02 Schottky SOT-23-3 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 1 V @ 200 mA 5 ns 2 µA A 30 V 150 ° C (Máximo) 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
1N6542 Microchip Technology 1N6542 20.7600
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 ECAD 5379 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo 1N6542 - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1
MUR4L20H Taiwan Semiconductor Corporation MUR4L20H 0.2907
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 ECAD 8568 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Através do buraco Do-201D, axial MUR4L20 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.250 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 890 mV @ 4 a 25 ns 5 µA A 200 V -55 ° C ~ 175 ° C. 4a 65pf @ 4V, 1MHz
20FR100 Solid State Inc. 20FR100 1.8670
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 ECAD 25 0,00000000 Solid State Inc. - Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud Polaridada reversa padrão Do-4 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Fornecedor indefinido 2383-20FR100 Ear99 8541.10.0080 10 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,2 V @ 20 A 10 µA A 1000 V -65 ° C ~ 150 ° C. 20a -
RS1JLHRUG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1jlhrug -
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 ECAD 3163 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-219AB Rs1j Padrão Sub sma download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,3 V @ 800 mA 250 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 800mA 10pf @ 4V, 1MHz
129NQ135-1 SMC Diode Solutions 129NQ135-1 25.5842
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 ECAD 2805 0,00000000 Soluções de diodo SMC - Volume Ativo Montagem do chassi Meio pak 129nq Schottky Prm1-1 (Módulo Half Pak) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO 129NQ135-1SMC Ear99 8541.10.0080 27 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 135 v 1,07 V @ 120 A 3 mA @ 135 V -55 ° C ~ 175 ° C. 120a 3000pf @ 5V, 1MHz
SBRT15U100SP5-13 Diodes Incorporated SBRT15U100SP5-13 0,8900
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 ECAD 7 0,00000000 Diodos Incorporados Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície Powerdi ™ 5 SBRT15 Super Barreira Powerdi ™ 5 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 700 mV @ 15 a 200 µA a 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 15a -
SK210A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK210A R3G -
RFQ
 ECAD 6698 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície DO-214AC, SMA SK210 Schottky DO-214AC (SMA) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.800 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mv @ 2 a 100 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 2a -
V10PM10HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pm10hm3/i 0,3795
RFQ
 ECAD 5224 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície TO-277, 3-POWERDFN V10pm10 Schottky TO-277A (SMPC) download Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 6.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 750 mv @ 10 a 120 µA @ 100 V -40 ° C ~ 150 ° C. 10a -
BAS19-7 Diodes Incorporated Bas19-7 -
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 ECAD 1855 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado no sic Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas19 Padrão SOT-23-3 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V -65 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
SFAF802G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF802G C0G -
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 ECAD 2542 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco Pacote completo parágrafo 220-2 SFAF802 Padrão ITO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 8 A 35 ns 10 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 90pf @ 4V, 1MHz
HS247200 Microsemi Corporation HS247200 -
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 ECAD 3636 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Montagem do chassi Meio pak Schottky Meio pak download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 860 mV @ 240 A 8 mA a 200 V 240a 6000pf @ 5V, 1MHz
NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Nsb8mthe3_b/p 1.4700
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 ECAD 9776 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tubo Ativo Montagem na Superfície TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab NSB8 Padrão TO-263AB (D²PAK) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1,1 V @ 8 A 10 µA A 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C. 8a 55pf @ 4V, 1MHz
MURA160T3H onsemi MURA160T3H -
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 ECAD 1614 0,00000000 Onsemi - Bandeja Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AC, SMA Mura160 Padrão SMA - ROHS3 Compatível Fornecedor indefinido Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,25 V @ 1 A 75 ns 5 µA A 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 2a -
1SS400T1G onsemi 1ss400t1g 0,2200
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 ECAD 265 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-79, SOD-523 1ss400 Padrão SOD-523 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 100 v 1,2 V @ 100 Ma 4 ns 100 Na @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 3pf @ 0V, 1MHz
JAN1N6657R Microchip Technology Jan1n6657r 213.6600
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 ECAD 5890 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-254-3, TO-254AA (Leads retos) Padrão To-254 - Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,2 V @ 20 A 35 ns 10 µA A 100 V - 15a 150pf @ 10V, 1MHz
V20150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150S-M3/4W 0,7229
RFQ
 ECAD 2117 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Tubo Ativo Através do buraco To-220-3 V20150 Schottky To-220-3 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 1,6 V @ 20 A 200 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 20a -
SMD110PLHE3-TP Micro Commercial Co SMD110PLHE3-TP 0,4400
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 ECAD 1 0,00000000 Micro Commercial Co. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-123F SMD110 Schottky SOD-123fl download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 2.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 850 mV @ 1 a -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 30pf @ 4V, 1MHz
BAT54WTHE3-TP Micro Commercial Co Bat54wthe3-tp 0,1800
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 ECAD 1 0,00000000 Micro Commercial Co. Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-70, SOT-323 BAT54 Schottky SOT-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 30 v 800 mV @ 100 Ma 5 ns 2 µA A 25 V -55 ° C ~ 125 ° C. 200Ma 10pf @ 1V, 1MHz
SRA2020 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SRA2020 C0G -
RFQ
 ECAD 5773 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation - Tubo Ativo Através do buraco To-220-2 SRA2020 Schottky TO-220AC download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 50 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 20 v 550 mV @ 20 A 500 µA A 20 V -55 ° C ~ 125 ° C. 20a -
1N6665 Microchip Technology 1N6665 185.8500
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 ECAD 8970 0,00000000 Microchip Technology - Volume Ativo Através do buraco TO-257-3 1n666 Padrão To-257 - Alcançar Não Afetado 150-1N6665 Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 35 ns 200 ° C. 10a -
1N3209R GeneSiC Semiconductor 1N3209R 7.0650
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 ECAD 3843 0,00000000 Genesco semicondutors - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N3209R Polaridada reversa padrão Do-5 download Rohs Compatível 1 (ilimito) 1N3209RGN Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 100 v 1,5 V @ 15 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 175 ° C. 15a -
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