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Diodos únicos (57622)

Imageem Número do Produto Preço (USD) Quantidade Ecad Quantidade Dispon Svel Peso (kg) Mfr Série Pacote Status do produto Tipo de Montagem Pacote / Caso Número do Produto Base Tecnologia Pacote de Dispositivo de Fornecedor Ficha de Dadas Status do rohs Nível de sensibilidade à Umidade (msl) Status de alcance Nomes de Ulros ECCN Htsus PACOTE PADROO Velocidade Tensão - DC Reversa (VR) (Max) Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) ATUAL - Vazamento Reverso @ VR Temperatura operacional - Junção Corrente - Retificada Média (IO) CapacitânCia @ VR, F
DZ23C2V7Q Yangjie Technology Dz23c2v7q 0,0460
RFQ
 ECAD 300 0,00000000 Tecnologia Yangjie - Tape & Reel (TR) Ativo - Rohs Compatível Alcançar Não Afetado 4617-DZ23C2V7QTR Ear99 3.000
VS-12FLR60S02 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12FLR60S02 5.6976
RFQ
 ECAD 5780 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 12flr60 Polaridada reversa padrão Do-203aa (DO-4) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,4 V @ 12 A 200 ns 50 µA A 600 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
BYX86TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYX86TAP 0,6900
RFQ
 ECAD 731 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Fita de Corte (CT) Ativo Através do buraco Sod-57, axial BYX86 Avalanche SOD-57 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 1000 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA A 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C. 2a 20pf @ 4V, 1MHz
RB058LAM-40TR Rohm Semiconductor RB058LAM-40TR 0,5300
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 ECAD 33 0,00000000 Rohm Semiconducor - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SOD-128 RB058 Schottky Pmdtm download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 690 mV @ 3 a 5 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 3a -
SD0805S040S0R5 KYOCERA AVX SD0805S040S0R5 0,4400
RFQ
 ECAD 111 0,00000000 Kyocera Avx - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 0805 (2012 Mética) SD0805S04 Schottky 0805 (2012 Mética) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 480 mV @ 500 mA 100 µA A 40 V -55 ° C ~ 125 ° C. 500mA -
JANTX1N5194 Microchip Technology Jantx1N5194 -
RFQ
 ECAD 4407 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/118 Volume Ativo Através do buraco Do-204ah, do-35, axial 1N5194 Padrão DO-35 download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 1 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 70 v 1 V @ 100 Ma 25 Na @ 70 V -65 ° C ~ 175 ° C. 50mA -
SF12GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHA0G -
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 ECAD 2627 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial SF12 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 100 v 950 mV @ 1 a 35 ns 5 µA A 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 1a 20pf @ 4V, 1MHz
S2520 Microchip Technology S2520 33.4500
RFQ
 ECAD 7950 0,00000000 Microchip Technology S25 Volume Ativo Montagem do Pino DO-203AA, DO-4, Stud S252 Padrão Do-203aa (DO-4) download Rohs Não Compatível Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 200 v 1,1 V @ 30 A 10 µA A 200 V -65 ° C ~ 200 ° C. 25a -
VS-HFA06PB120-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120-N3 5.8800
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 ECAD 2371 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Hexfred® Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 HFA06 Padrão TO-247AC Modifado download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado VS-HFA06PB120-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1200 v 3 V @ 6 A 80 ns 5 µA A 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C. 6a -
SBR12E45LH1-13 Diodes Incorporated SBR12E45LH1-13 -
RFQ
 ECAD 9456 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície Powerdi ™ 5SP SBR12 Super Barreira PowerDi5SP ™ download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 3.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 45 v 520 mV @ 12 A 300 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
BAS19LT1 onsemi BAS19LT1 -
RFQ
 ECAD 9013 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas19 Padrão SOT-23-3 (TO-236) download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade 120 v 1,25 V @ 200 mA 50 ns 100 Na @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C. 200Ma 5pf @ 0V, 1MHz
SD103BWS-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103BWS-HE3-08 0,0606
RFQ
 ECAD 3998 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície SC-76, SOD-323 SD103 Schottky SOD-323 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 15.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 30 v 600 mV a 200 mA 10 ns 5 µA a 20 V -55 ° C ~ 150 ° C. 350mA 50pf @ 0V, 1MHz
ES3CHE3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3CHE3/9AT -
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 ECAD 9225 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Automotivo, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Obsoleto Montagem na Superfície DO-214AB, SMC ES3 Padrão DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 150 v 900 mV @ 3 a 30 ns 10 µA A 150 V -55 ° C ~ 150 ° C. 3a 45pf @ 4V, 1MHz
JANTXV1N5619 Microchip Technology Jantxv1N5619 9.4200
RFQ
 ECAD 9158 0,00000000 Microchip Technology Militar, MIL-PRF-19500/429 Volume Ativo Através do buraco A, axial 1N5619 Padrão A, axial download Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,6 V @ 3 A 250 ns 500 Na @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C. 1a 25pf @ 12V, 1MHz
RGP02-17E-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP02-17E-E3/53 -
RFQ
 ECAD 5252 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos Superectifier® Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-204al, DO-41, axial RGP02 Padrão DO-204AL (DO-41) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0070 3.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 1700 v 1,8 V @ 100 Ma 300 ns 5 µA A 1700 V -65 ° C ~ 175 ° C. 500mA -
10A01-T Diodes Incorporated 10A01-T -
RFQ
 ECAD 2295 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco R-6, axial 10A01 Padrão R-6 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 50 v 1 V @ 10 A 10 µA a 50 V -65 ° C ~ 150 ° C. 10a 150pf @ 4V, 1MHz
NSR10F40NXT5G onsemi NSR10F40NXT5G 0,5300
RFQ
 ECAD 6732 0,00000000 Onsemi - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 2-xdfn NSR10 Schottky 2-DSN (1,4x0,6) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 5.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 40 v 490 mV @ 1 a 100 µA A 40 V 150 ° C (Máximo) 1a -
APT30SCD65B Microsemi Corporation APT30SCD65B -
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 ECAD 8716 0,00000000 Microsemi Corporation - Volume Obsoleto Através do buraco To-247-2 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247 - 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,8 V @ 30 A 0 ns 600 µA A 650 V -55 ° C ~ 150 ° C. 46a 945pf @ 1V, 1MHz
SF48GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF48GHA0G -
RFQ
 ECAD 1594 0,00000000 Taiwan Semiconductor Corporation Automotivo, AEC-Q101 Fita E CAIXA (TB) Ativo Através do buraco Do-201D, axial SF48 Padrão Do-201d download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 4 a 35 ns 5 µA A 600 V -55 ° C ~ 150 ° C. 4a 80pf @ 4V, 1MHz
C6D08065Q-TR Wolfspeed, Inc. C6D08065Q-TR 3.5600
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Wolfspeed, Inc. - Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície 4-PowerVqfn Sic (carboneto de Silíc) Schottky 4-QFN (8x8) download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 2.500 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 8 A 20 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 28a 518pf @ 0V, 1MHz
VS-1N1190R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1190R 8.7500
RFQ
 ECAD 8314 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos - Volume Ativo Chassi, montagem em pântano DO-203AB, DO-5, Stud 1N1190 Polaridada reversa padrão DO-203AB (DO-5) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 100 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 600 v 1,7 V @ 110 A 10 mA a 600 V -65 ° C ~ 190 ° C. 35a -
MSC010SDA070B Microchip Technology MSC010SDA070B 3.5400
RFQ
 ECAD 7507 0,00000000 Microchip Technology - Tubo Ativo Através do buraco To-247-2 MSC010 Sic (carboneto de Silíc) Schottky To-247 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 700 v 1,8 V @ 10 A 0 ns 200 µA a 700 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 353pf @ 1V, 1MHz
12F80B BN R Y Vishay Semiconductor Opto Division 12F80B Bn Ry -
RFQ
 ECAD 3634 0,00000000 Vishay Semiconductor Opto Division - Volume Obsoleto Chassi, montagem em pântano DO-203AA, DO-4, Stud 12F80 Padrão DO-203AA - Rohs Não Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1,26 V @ 38 A -65 ° C ~ 150 ° C. 12a -
R306010F Microchip Technology R306010F 49.0050
RFQ
 ECAD 9214 0,00000000 Microchip Technology * Volume Ativo - Alcançar Não Afetado 150-R306010F 1
G5S06506CT Global Power Technology-GPT G5S06506CT 4.8300
RFQ
 ECAD 2358 0,00000000 Tecnologia de Energia Global-GPT - Fita de Corte (CT) Ativo Montagem na Superfície TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 Sic (carboneto de Silíc) Schottky TO-252 download 1 (ilimito) Alcance como informação de disponição mediana solicitada Ear99 8541.10.0080 30 SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) 650 v 1,5 V @ 6 A 0 ns 50 µA A 650 V -55 ° C ~ 175 ° C. 24a 395pf @ 0V, 1MHz
MBR5200VPTR-G1 Diodes Incorporated MBR5200VPTR-G1 -
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 ECAD 7040 0,00000000 Diodos Incorporados - Fita E CAIXA (TB) Obsoleto Através do buraco Do-201aa, DO-27, axial Schottky DO-27 download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) ALCANCE AFETADO Ear99 8541.10.0080 500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 200 v 950 mV @ 5 A 500 µA @ 200 V -65 ° C ~ 150 ° C. 5a -
1N5419 Semtech Corporation 1N5419 -
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 ECAD 9255 0,00000000 Semtech Corporation - Volume Descontinuado no sic Através do buraco Axial Padrão Axial download Não Aplicável 1N5419S Ear99 8541.10.0080 1 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 500 v 1,1 V @ 3 A 250 ns 1 µA @ 500 V - 4.5a 140pf @ 4V, 1MHz
RL206-T Diodes Incorporated RL206-T -
RFQ
 ECAD 1541 0,00000000 Diodos Incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Através do buraco DO-204AC, DO-15, axial RL206 Padrão DO-15 download 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 4.000 RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) 800 v 1 V @ 2 A 5 µA A 800 V -65 ° C ~ 150 ° C. 2a -
VSSC8L45-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSC8L45-M3/9AT 0,5800
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos TMBS® Tape & Reel (TR) Ativo Montagem na Superfície DO-214AB, SMC SC8L45 Schottky DO-214AB (SMC) download ROHS3 Compatível 1 (ilimito) Alcançar Não Afetado Ear99 8541.10.0080 3.500 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 45 v 420 mV @ 4 a 1,85 mA a 45 V -40 ° C ~ 150 ° C. 4.9a 1216pf @ 4V, 1MHz
RK 16V1 Sanken RK 16V1 -
RFQ
 ECAD 8378 0,00000000 Sanken - Fita de Corte (CT) Obsoleto Através do buraco Axial Schottky - download 1 (ilimito) Ear99 8541.10.0080 1.000 RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) 60 v 690 mV @ 2 a 200 µA A 60 V -40 ° C ~ 150 ° C. 2a -
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    2000+

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  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unidade de produto padrão

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    2800+

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