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Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Velocidade | Tensão - DC Reversa (VR) (Max) | Tensão - para um Frente (VF) (max) @ se | Tempo de RecuperAção Reversa (TRR) | ATUAL - Vazamento Reverso @ VR | Temperatura operacional - Junção | Corrente - Retificada Média (IO) | CapacitânCia @ VR, F |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Es2bal | 0,6200 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-221AC, SMA Flat Leads | Es2b | Padrão | SMA FINA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.500 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 950 mV @ 2 a | 35 ns | 1 µA A 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 2a | 18pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | ES3AB-13 | - | ![]() | 7584 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | Montagem na Superfície | DO-214AA, SMB | ES3A | Padrão | SMB | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 50 v | 900 mV @ 3 a | 25 ns | 10 µA a 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 45pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | IDH12SG60CXKSA2 | 6.8800 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolsic ™+ | Tubo | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | IDH12SG60 | Sic (carboneto de Silíc) Schottky | PG-PARA220-2-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | SEM TEMPO DE RECUPERAÇÃO> 500MA (IO) | 600 v | 2,1 V @ 12 A | 0 ns | 100 µA A 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 12a | 310pf @ 1V, 1MHz | ||
UPS5100E3/TR13 | 0,7200 | ![]() | 27 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | PowerMite®3 | UPS5100 | Schottky | Powermite 3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 5 A | 200 µA a 100 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 5a | 150pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | R5031018FSWA | - | ![]() | 1357 | 0,00000000 | Powerex Inc. | - | Volume | Ativo | Chassi, montagem em pântano | Do-205AA, DO-8, Stud | R5031018 | Polaridada reversa padrão | Do-205AA (DO-8) | download | Rohs Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,65 V @ 470 A | 1,5 µs | 45 mA a 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 175a | - | |||
MMBD914-HE3-08 | 0,2100 | ![]() | 15 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBD914 | Padrão | SOT-23-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 100 v | 1 V @ 10 Ma | 4 ns | 5 µA @ 75 V | 150 ° C (Máximo) | 200Ma | 4pf @ 0V, 1MHz | |||
![]() | SB3100-B | - | ![]() | 3131 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Schottky | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 790 mV @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 250pf @ 4V, 1MHz | ||||
![]() | HER603G | 0,7703 | ![]() | 9750 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Através do buraco | R-6, axial | Padrão | R-6 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 1801-HER603GTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 6 A | 50 ns | 10 µA A 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 6a | 80pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | SM4004PL-TP | 0,3000 | ![]() | 312 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SOD-123F | SM4004 | Padrão | SOD-123fl | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 400 v | 1,1 V @ 1 A | 5 µA A 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 1a | 15pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | S1FLM-GS18 | 0,3400 | ![]() | 49 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-219AB | S1f | Padrão | DO-219AB (SMF) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 10.000 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 1000 v | 1,1 V @ 1 A | 1,8 µs | 10 µA A 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 700mA | 4pf @ 4V, 1MHz | ||
![]() | NTE5885 | 8.0600 | ![]() | 8 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 2368-nte5885 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,2 V @ 30 A | 1 mA a 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 30a | - | |||||
![]() | NTE5863 | 6.4300 | ![]() | 6 | 0,00000000 | NTE Electronics, inc | - | Bolsa | Ativo | Montagem do Pino | DO-203AA, DO-4, Stud | Padrão | Do-4 | download | ROHS3 Compatível | 2368-NTE5863 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,1 V @ 19 A | 12 mA a 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 6a | - | |||||
![]() | IDP15E60 | 0,8600 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | IDP | Volume | Ativo | Através do buraco | To-220-2 | Padrão | PG-A220-2 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 2 V @ 15 A | 87 ns | 50 µA A 600 V | -40 ° C ~ 175 ° C. | 29.2a | - | ||||||
![]() | VS-MBRD320TRR-M3 | 0,2764 | ![]() | 5778 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MBRD320 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | VSMBRD320TRRM3 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 20 v | 600 mv @ 3 a | 200 µA a 20 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | 189pf @ 5V, 1MHz | ||
![]() | BAS40WS_R1_00001 | 0,2100 | ![]() | 11 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-90, SOD-323F | Bas40 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-BAS40WS_R1_00001DKR | Ear99 | 8541.10.0070 | 5.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 40 v | 1 V @ 40 Ma | 10 µA A 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 200Ma | 5pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | VS-96-1203pbf | - | ![]() | 2031 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | * | Tubo | Obsoleto | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 50 | ||||||||||||||||
![]() | DFLS140Q-7 | 0,4800 | ![]() | 23 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi®123 | DFLS140 | Schottky | Powerdi ™ 123 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 510 mV @ 500 mA | 20 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 1.1a | 28pf @ 10V, 1MHz | |||
![]() | 1N4148WT-7 | 0,2100 | ![]() | 191 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | SC-79, SOD-523 | 1N4148 | Padrão | SOD-523 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | Pequeno sinal = <200mA (io), qualquer velocidade | 80 v | 1 V @ 50 Ma | 4 ns | 1 µA A 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 125mA | 2pf @ 0V, 1MHz | ||
![]() | Sfe1d | 0,0933 | ![]() | 5 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Do-213ab, Mell | Padrão | Mell Do-213ab | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-SFE1DTR | 8541.10.0000 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA A 200 V | -50 ° C ~ 150 ° C. | 1a | - | ||||
![]() | RB060M-30DDTR | 0,2955 | ![]() | 9608 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | Montagem na Superfície | SOD-123F | RB060 | Schottky | PMDU | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 30 v | 490 mV @ 2 a | 50 µA A 30 V | 150 ° C (Máximo) | 2a | - | |||
![]() | MBRX0540-TP | - | ![]() | 2219 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | SC-76, SOD-323 | MBRX0540 | Schottky | SOD-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 550 mV a 500 mA | 300 µA A 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 500mA | - | |||
![]() | SB560-T-01 | - | ![]() | 1446 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Através do buraco | Do-201D, axial | Schottky | Do-201d | - | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 670 mV @ 5 A | 500 µA A 60 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 5a | - | |||||
![]() | CLH01 (TE16L, Q) | - | ![]() | 6230 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Volume | Obsoleto | Montagem na Superfície | L-FLAT ™ | CLH01 | Padrão | L-Flat ™ (4x5.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 200 v | 980 mV @ 3 a | 35 ns | 10 µA A 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3a | - | ||||
![]() | SS26-LTP | 0,3300 | ![]() | 39 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | SS26 | Schottky | DO-214AC (SMA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 60 v | 700 mv @ 2 a | 500 µA A 60 V | -55 ° C ~ 125 ° C. | 2a | ||||
1N5618 | 4.1600 | ![]() | 1392 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Volume | Ativo | Através do buraco | A, axial | 1N5618 | Padrão | A, axial | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | RecuperAção Padrão> 500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,3 V @ 3 A | 2 µs | 500 Na @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C. | 1a | - | |||
MUR460-E3/73 | - | ![]() | 3049 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Fita de Corte (CT) | Ativo | Através do buraco | Do-201D, axial | Mur460 | Padrão | Do-201d | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,28 V @ 4 a | 75 ns | 10 µA A 600 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 4a | - | |||
![]() | B140-13-F | 0,3900 | ![]() | 492 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | DO-214AC, SMA | B140 | Schottky | SMA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 40 v | 500 mV @ 1 a | 500 µA A 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 110pf @ 4V, 1MHz | |||
![]() | VS-30WQ10FNTLPBF | - | ![]() | 1093 | 0,00000000 | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | 30WQ10 | Schottky | D-Pak (TO-252AA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 810 mV @ 3 a | 1 ma @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C. | 3.5a | 92pf @ 5V, 1MHz | |||
![]() | PDS5100H-13 | 1.3200 | ![]() | 1130 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | Montagem na Superfície | Powerdi ™ 5 | PDS5100 | Schottky | Powerdi ™ 5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.10.0080 | 5.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 100 v | 710 mV @ 5 A | 3,5 µA a 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C. | 5a | - | |||
![]() | HER106G B0G | - | ![]() | 5579 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Volume | Ativo | Através do buraco | Do-204al, DO-41, axial | HER106 | Padrão | DO-204AL (DO-41) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.10.0080 | 1.000 | RecuperAção rápida = <500ns,> 200Ma (io) | 600 v | 1,7 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA A 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C. | 1a | 10pf @ 4V, 1MHz |
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