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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF433 | - |  | 8910 | 0,00000000 | Harris Corporation | - | Volume | Ativo | - | Através do buraco | TO-204AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-3 | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 154 | N-canal | 450 v | 4a | - | - | - | - | - | 75W | |||||||||||||||
 | Apt60m75l2fllg | 50.6400 | | 3148 | 0,00000000 | Microchip Technology | Power MOS 7® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-264-3, TO-264AA | APT60M75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 264 Max ™ [L2] | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 73a (TC) | 10V | 75mohm @ 36.5a, 10V | 5V @ 5MA | 195 NC @ 10 V | ± 30V | 8930 pf @ 25 V | - | 893W (TC) | ||||||||||||
 | MKE38P600TLB | - | | 2226 | 0,00000000 | Ixys | - | Volume | Ativo | - | Montagem na Superfície | Módulo 9-SMD | MKE38P600 | - | - | Isoplus-smpd ™ .b | download | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | 600V | 50a (TC) | - | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | PSMN4R2-80YSEX | 3.3600 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-1023, 4-LFPAK | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | LFPAK56, Power-So8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 80 v | 170A (TA) | 10V | 4.2mohm @ 25a, 10V | 3.6V @ 1Ma | 110 nc @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 40 V | - | 294W (TA) | |||||||||||||
 | FDU6692 | 1.2800 | | 62 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-251-3 Leads de Stub, Ipak | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-251 (IPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 30 v | 54a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 14a, 10V | 3V A 250µA | 25 NC @ 5 V | ± 16V | 2164 pf @ 15 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
 | MRF7S38075HR5 | - | | 4257 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 65 v | Montagem do chassi | SOT-957A | MRF7 | 3,4 GHz ~ 3,6 GHz | LDMOS | NI-780H-2L | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 900 MA | 12w | 14dB | - | 30 v | ||||||||||||||||
 | BLF984PU | 144.4400 | | 526 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | - | Bandeja | Ativo | 104 v | Montagem do chassi | SOT-1121A | BLF984 | 470MHz ~ 860MHz | LDMOS | CDFM4 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | Fonte Dupla E Comum | 1.4µA | 650 Ma | 350W | 21dB | - | 50 v | |||||||||||||||
 | SI2101-TP | - | | 3217 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-70, SOT-323 | SI2101 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-323 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 1.4a (TJ) | 1.8V, 4.5V | 100mohm @ 1a, 4,5V | 1.2V a 250µA | ± 8V | 640 PF @ 8 V | - | 290MW | ||||||||||||||
 | IPB100N04S2L-03ATMA2 | 2.0900 | | 17 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Automotivo, AEC-Q101, Optimos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 40 v | 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 80a, 10V | 2V A 250µA | 230 NC @ 10 V | ± 20V | 6000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||||||||||
 | FDS9933 | 0,3600 | | 20 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS99 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 900MW | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Duplo) | 20V | 5a | 55mohm @ 3.2a, 4.5V | 1.2V a 250µA | 20NC @ 4.5V | 825pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
 | AUIRFR5305TR | 2.8500 | | 2 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AUIRFR5305 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D-Pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 55 v | 31a (TC) | 65mohm @ 16a, 10V | 4V A 250µA | 63 nc @ 10 V | 1200 pf @ 25 V | - | ||||||||||||||||
 | 2SK4097LS | 1.7200 | | 334 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FI (LS) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 500 v | 8.3a (TC) | 650mohm @ 5a, 10V | - | 30 NC a 10 V | 750 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 35W (TC) | |||||||||||||||||
 | AOD526_DELTA | - | | 4670 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Alphamos | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD52 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 5mohm @ 20a, 10V | 2.4V a 250µA | 33 nc @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 50W (TC) | |||||||||||||
 | IPT60T065S7XTMA1 | 3.5864 | | 2846 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BSP299L6327 | - | | 9136 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | * | Volume | Ativo | - | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | SI5948DU-T1-GE3 | 0,6800 | | 2 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® Chipfet Dual | SI5948 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 7w | PowerPak® Chipfet Dual | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 40V | 6a (TC) | 82mohm @ 5a, 10V | 2,5V a 250µA | 2.6NC @ 4.5V | 165pf @ 20V | - | |||||||||||||||
 | Rs1e200gntb | 0,8600 | | 2 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | Rs1e | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-HSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 1MA | 16,8 nc @ 10 V | ± 20V | 1080 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 25,1W (TC) | ||||||||||||
 | IRFSL3306PBF | 2.6400 | | 1978 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | IRFSL3306 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-262 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 v | 120A (TC) | 10V | 4.2mohm @ 75a, 10V | 4V A 150µA | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 4520 pf @ 50 V | - | 230W (TC) | ||||||||||||
| FS70KM-06#B00 | 4.4900 | | 115 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | Fs70km | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||
 | IPN60R1K0CEATMA1 | 0,7500 | | 2709 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ CE | Tape & Reel (TR) | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | IPN60R1 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 6.8a (TC) | 10V | 1OHM @ 1.5A, 10V | 3,5V A 130µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 280 pf @ 100 V | - | 5W (TC) | ||||||||||||
 | IRF6610TRPBF | - | | 9902 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | DirectFet ™ SQ Isométrico | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DirectFET ™ SQ | download | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.800 | N-canal | 20 v | 15a (ta), 66a (tc) | 4.5V, 10V | 6.8mohm @ 15a, 10V | 2,55V a 250µA | 17 NC @ 4,5 V | ± 20V | 1520 pf @ 10 V | - | 2.2W (TA), 42W (TC) | ||||||||||||||
 | IXTP180N055T | - | | 1440 | 0,00000000 | Ixys | - | Tubo | Obsoleto | - | Através do buraco | To-220-3 | IXTP180 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 180A (TC) | - | 4V @ 1MA | - | - | |||||||||||||||||
 | DMP4011SK3-13 | 0,5541 | | 5032 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | DMP4011 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | DMP4011SK3-13DI | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P. | 40 v | 14a (ta), 74a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 9.8a, 10V | 2,5V a 250µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2747 pf @ 20 V | - | 1.8W (TA), 4,2W (TC) | |||||||||||
 | FDM2509NZ | 0,3700 | | 4 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-AUDFN PAD EXPOSTO | FDM2509 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 800mw | Microfet 2x2 Thin | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 20V | 8.7a | 18mohm @ 8.7a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 17NC @ 4.5V | 1200pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
 | PSMN017-30EL, 127 | - | | 3587 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | PSMN017 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 v | 32a (TC) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 10a, 10V | 2.15V @ 1Ma | 10,7 nc @ 10 V | ± 20V | 552 pf @ 15 V | - | 47W (TC) | ||||||||||||
| Nvmfs5h600nlwft1g | 2.0418 | | 6135 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | Nvmfs5 | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 488-NVMFS5H600NLWFT1GTR | 1.500 | 35a (ta), 250a (tc) | ||||||||||||||||||||||||||||
| FCB20N60-F085 | - | | 8057 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Automotivo, AEC-Q101, Superfet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 v | 20a (TC) | 198MOHM @ 20A, 10V | 5V A 250µA | 102 NC @ 10 V | ± 30V | 3080 pf @ 25 V | - | 341W (TC) | ||||||||||||||
| FDS8842NZ | 1.6300 | | 16 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SOIC (0,154 ", 3,90 mm de largura) | FDS8842 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-SOIC | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 v | 14.9a (TA) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 14.9a, 10V | 3V A 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 3845 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA) | ||||||||||||
 | RQ5L035GNTCL | 0,7800 | | 3 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SC-96 | RQ5L035 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TSMT3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 3.5a (ta) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 3.5a, 10V | 2.7V @ 50µA | 7.3 NC @ 10 V | ± 20V | 375 pf @ 30 V | - | 700mW (TA) | ||||||||||||
 | STI400N4F6 | 5.0400 | | 1 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate ™, Stripfet ™ VI | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | STI400N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 40 v | 120A (TC) | 10V | 1.7mohm @ 60a, 10V | 4.5V a 250µA | 377 nc @ 10 V | ± 20V | 20000 pf @ 25 V | - | 300W (TC) |
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