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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R8005anjfrgtl | 3.2100 |  | 1 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | R8005 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Lpts | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 800 v | 5a (TC) | 10V | 2.1ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 1MA | 20 NC A 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||
 | NXH010P90MNF1PG | - | | 3288 | 0,00000000 | Onsemi | - | Bandeja | Ativo | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | Módlo | NXH010 | Carboneto de Silício (sic) | 328W (TJ) | - | download | ROHS3 Compatível | Não Aplicável | Alcançar Não Afetado | 488-NXH010P90MNF1PG | Ear99 | 8541.29.0095 | 28 | 2-Canal N (Duplo) Fonte Comum | 900V | 154a (TC) | 14mohm @ 100a, 15V | 4.3V @ 40MA | 546.4NC @ 15V | 7007pf @ 450V | - | |||||
| MRF7S24250N-3STG | - | | 2591 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | MRF7S24250 | - | ROHS3 Compatível | Alcançar Não Afetado | 935345449598 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
| E3M0045065K | 12.2872 | | 5692 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | Automotivo, AEC-Q101, e | Tubo | Ativo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) | To-247-4L | - | 1697-E3M0045065K | 30 | N-canal | 650 v | 46a (TC) | 15V | 60mohm @ 17.6a, 15V | 3.6V @ 4.84MA | 64 nc @ 15 V | +19V, -8V | 122 pf @ 400 V | 150W (TC) | ||||||||||
 | SPB04N60S5ATMA1 | - | | 5997 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Spb04n | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA263-3-2 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-canal | 600 v | 4.5a (TC) | 10V | 950mohm @ 2.8a, 10V | 5.5V @ 200µA | 22,9 nc @ 10 V | ± 20V | 580 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||
 | PJMD390N65EC_L2_00001 | 6.9000 | | 5 | 0,00000000 | Panjit International Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | PJMD390 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 3757-PJMD390N65EC_L2_00001CT | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 650 v | 10a (TC) | 10V | 390mohm @ 5a, 10V | 4V A 250µA | 19 NC @ 10 V | ± 30V | 726 pf @ 400 V | - | 87,5W (TC) | |||
| FW225-TL-E | 0,2700 | | 106 | 0,00000000 | Onsemi | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||
 | IRF8852TRPBF | - | | 5013 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm de largura) | IRF8852 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | 8-TSSOP | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | 2 canal n (Duplo) | 25V | 7.8a | 11.3mohm @ 7.8a, 10V | 2.35V @ 25µA | 9.5NC @ 4.5V | 1151pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | PSMN8R5-108ES127 | - | | 4809 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | DMS2120LFWB-7 | 0.1710 | | 7520 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | Pad Exposto de 8-VDFN | DMS2120 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN3020B (3x2) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 2.9a (ta) | 1.8V, 4.5V | 95mohm @ 2.8a, 4.5V | 1.3V a 250µA | ± 12V | 632 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Isolado) | 1.5W (TA) | |||||
 | Upa608t-t1-a | 0,1700 | | 38 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 3.000 | |||||||||||||||||||||
 | SQJ146ELP-T1_GE3 | 0,9400 | | 2030 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ146 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ146ELP-T1_GE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 74a (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 15a, 10V | 2.2V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1780 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||
 | IXTX400N15X4 | 44.1200 | | 1 | 0,00000000 | Ixys | Ultra X4 | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-247-3 Variante | Ixtx400 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Plus247 ™ -3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 150 v | 400A (TC) | 10V | 3.1mohm @ 100a, 10V | 4.5V @ 1MA | 430 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 25 V | - | 1500W (TC) | ||||
 | YJL03N06B | 0,0360 | | 300 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-YJL03N06BTR | Ear99 | 3.000 | ||||||||||||||||||||||
 | HUF75631S3S | 0,7000 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Huf75 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263AB) | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | ALCANCE AFETADO | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 100 v | 33a (TC) | 10V | 40mohm @ 33a, 10V | 4V A 250µA | 79 NC @ 20 V | ± 20V | 1220 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||
 | NTMFS5C450NLT1G | 2.3300 | | 2 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS5 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 40 v | 27a (ta), 110a (tc) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 40a, 10V | 2V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 20 V | - | 3.7W (TA), 68W (TC) | ||||
 | AOD208 | - | | 3936 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 18a (ta), 54a (tc) | 4.5V, 10V | 4.4mohm @ 20a, 10V | 2.3V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2210 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 62W (TC) | |||||
| 2SJ653 | - | | 5170 | 0,00000000 | Sanyo | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C. | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220ML | - | Rohs Não Compatível | Fornecedor indefinido | 2156-2SJ653-600057 | 1 | Canal P. | 60 v | 37a (TA) | 4V, 10V | 25mohm @ 19a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 120 nc @ 10 V | ± 20V | 6500 pf @ 20 V | - | 2W (TA), 35W (TC) | |||||||
 | FDMS2506SDC | - | | 4733 | 0,00000000 | Onsemi | Dual Cool ™, PowerTrench®, Syncfet ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | FDMS25 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-pqfn (5x6) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 v | 39A (TA), 49A (TC) | 4.5V, 10V | 1.45mohm @ 30a, 10V | 3V @ 1Ma | 93 NC @ 10 V | ± 20V | 5945 pf @ 13 V | - | 3.3W (TA), 89W (TC) | |||||
 | Dmp31d7ldw-7 | 0,0706 | | 6056 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Dmp31 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-363 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Dmp31d7ldw-7di | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 550mA (TA) | 900MOHM @ 420MA, 10V | 2.6V a 250µA | - | |||||||||
 | SQJ444EP-T1_BE3 | 1.3300 | | 9631 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | 1 (ilimito) | 742-SQJ444EP-T1_BE3TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 10a, 10V | 2,5V a 250µA | 80 nc @ 10 V | ± 20V | 5000 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||
| OP533.005 | 0,3375 | | 5733 | 0,00000000 | Semicondutores de Ween | * | Bandeja | Ativo | OP533 | - | - | 1 (ilimito) | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||
 | IRF9Z34NSTRRPBF | - | | 4590 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 800 | Canal P. | 55 v | 19a (TC) | 10V | 100mohm @ 10a, 10V | 4V A 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 25 V | - | 3.8W (TA), 68W (TC) | |||||
 | PSMN7R8-120PSQ | - | | 2412 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak | download | Ear99 | 8541.29.0095 | 177 | N-canal | 120 v | 70A (TC) | 10V | 7.9mohm @ 25a, 10V | 4V @ 1MA | 167 NC @ 10 V | ± 20V | 9473 pf @ 60 V | - | 349W (TC) | ||||||||
 | IXFN44N50Q | - | | 6857 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Q CLASSE | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem do chassi | SOT-227-4, Minibloc | Ixfn44 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-227B | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-canal | 500 v | 44a (TC) | 10V | 120mohm @ 500Ma, 10V | 4V @ 4MA | 190 nc @ 10 V | ± 20V | 7000 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||
| FDP13AN06A0_NL | - | | 4876 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 60 v | 10.9a (ta), 62a (tc) | 6V, 10V | 13.5mohm @ 62a, 10V | 4V A 250µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 25 V | - | 115W (TC) | |||||
 | DMC2710UV-7 | 0,4400 | | 5 | 0,00000000 | Diodos Incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-563, SOT-666 | DMC2710 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 460MW (TA) | SOT-563 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N e P-Canal complementar | 20V | 1.1a (ta), 800mA (ta) | 400MOHM @ 600MA, 4,5V, 700MOHM @ 430MA, 4.5V | 1V a 250µA | 0,6NC @ 4.5V, 0,7NC @ 4.5V | 42pf @ 16V, 49pf @ 16V | - | ||||||
 | BUK7675-100A, 118 | 0,8600 | | 1 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 v | 23a (TC) | 10V | 75mohm @ 13a, 10v | 4V @ 1MA | ± 20V | 1210 pf @ 25 V | - | 99W (TC) | ||||||
| AOD66923 | 1.1200 | | 12 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ALPHASGT ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | AOD66 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252 (DPAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 v | 16.5a (ta), 58a (tc) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 20a, 10V | 2.6V a 250µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 1725 pf @ 50 V | - | 6.2W (TA), 73W (TC) | ||||
 | SSM3J372R, LXHF | 0,4600 | | 20 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | Automotivo, AEC-Q101, U-Mosvi | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C. | Montagem na Superfície | SOT-23-3 Propacimento protável | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23F | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 30 v | 6a (ta) | 1.8V, 10V | 42mohm @ 5a, 10V | 1.2V @ 1MA | 8,2 nc @ 4,5 V | +6V, -12V | 560 pf @ 15 V | - | 1W (TA) |
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