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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Tensão - Classificada | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Freqüência | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Classificação ATUAL (Amplificadorores) | ATUAL - TESTE | POTÊNCIA - SAÍDA | Ganho | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) | Figura de Ruído | Tensão - Teste |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM70N750CP ROG | 4.2900 |  | 6 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | TSM70 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 700 v | 6a (TC) | 10V | 750mohm @ 1.8a, 10V | 4V A 250µA | 10,7 nc @ 10 V | ± 30V | 555 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||
 | FDD8770 | 0,4000 | | 79 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 742 | N-canal | 25 v | 35a (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 35a, 10V | 2,5V a 250µA | 73 NC @ 10 V | ± 20V | 3720 pf @ 13 V | - | 115W (TC) | ||||||||||||||||
 | BSS123IXTMA1 | - | | 6535 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Descontinuado no sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT23-3-5 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 190mA (TA) | 4.5V, 10V | 6ohm @ 190ma, 10V | 1.8V @ 13µA | 0,63 nc @ 10 V | ± 20V | 15 pf @ 50 V | - | 500mW (TA) | ||||||||||||
 | STP30NF20 | 3.0800 | | 9666 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | Stripfet ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | STP30 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-5825-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 v | 30a (TC) | 10V | 75mohm @ 15a, 10V | 4V A 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1597 PF @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||||||
 | SIRC10DP-T1-GE3 | 0,8700 | | 5369 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SIRC10 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 60a (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 10a, 10V | 2.4V a 250µA | 36 nc @ 10 V | +20V, -16V | 1873 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Corpo) | 43W (TC) | |||||||||||||
 | TN5335K1-G | 1.0000 | | 8622 | 0,00000000 | Microchip Technology | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TN5335 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 (TO-236AB) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 350 v | 110mA (TJ) | 3V, 10V | 15ohm @ 200Ma, 10V | 2V @ 1MA | ± 20V | 110 pf @ 25 V | - | 360MW (TA) | |||||||||||||
 | PMCM4401VPEZ | - | | 8918 | 0,00000000 | Semicondutores nxp | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 4-XFBGA, WLCSP | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 4-WLCSP (0,78x0,78) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 2156-PMCM4401VPEZ-954 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | Canal P. | 12 v | 3.9a (ta) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5V | 900MV A 250µA | 10 nc @ 4,5 V | ± 8V | 415 pf @ 6 V | - | 400mW (TA), 12,5W (TC) | |||||||||||||
 | 73282 | 0,4900 | | 9 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | - | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 7328 | - | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | 0000.00.0000 | 2.500 | 60V | 12a | 107mohm @ 8a, 5V | 3V A 250µA | 6.2NC @ 5V | - | |||||||||||||||||||||
 | YJD45G10A | 0,3350 | | 250 | 0,00000000 | Tecnologia Yangjie | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | Rohs Compatível | Alcançar Não Afetado | 4617-YJD45G10ATR | Ear99 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPCF8304 (TE85L, F, M | - | | 5747 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | TPCF8304 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 330mw | VS-8 (2.9x1.5) | download | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 2 Canal P (Duplo) | 30V | 3.2a | 72mohm @ 1.6a, 10V | 1.2V @ 1MA | 14NC @ 10V | 600pf @ 10V | Portão de Nível Lógico | ||||||||||||||||
| CEZ6R40SL-HF | 0,8647 | | 2476 | 0,00000000 | Tecnologia Comchip | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | P-Pak (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 641-CEZ6R40SL-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 65 v | 27a (ta), 93a (tc) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 3V A 250µA | 26 NC a 4,5 V | ± 20V | 1790 pf @ 30 V | - | 73W (TC) | |||||||||||||
 | ISZ0702NLSATMA1 | 1.2900 | | 9 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | ISZ0702N | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-TSDSON-8-25 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 60 v | 17a (ta), 86a (tc) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10V | 2.3V @ 26µA | 39 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 30 V | - | 2.5W (TA), 65W (TC) | ||||||||||||
 | IPP65R600C6XKSA1 | - | | 2398 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ipp65r | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 v | 7.3a (TC) | 10V | 600mohm @ 2.1a, 10V | 3,5V A 210µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 440 PF @ 100 V | - | 63W (TC) | |||||||||||||
| SIPC69N65C3X1SA1 | - | | 7421 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | - | Volume | Ativo | SIPC69 | - | ROHS3 Compatível | 2 (1 Ano) | Alcançar Não Afetado | SP000437778 | 0000.00.0000 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||
| UJ4SC075018L8S | 21.0900 | | 6800 | 0,00000000 | Qorvo | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-POWERSFN | UJ4SC075 | Sicfet (cascode sicjfet) | Pedágio | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 750 v | 53a (TC) | 12V | 23mohm @ 50a, 12v | 6V @ 10Ma | 37,8 nc @ 15 V | ± 20V | 1414 PF @ 400 V | - | 349W (TC) | ||||||||||||
 | SI7788DP-T1-GE3 | 1.3183 | | 3551 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SI7788 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 v | 50a (TC) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 15a, 10V | 2,5V a 250µA | 125 nc @ 10 V | ± 20V | 5370 pf @ 15 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||
| 2SK2111-D-T1-AZ | 0,4300 | | 8 | 0,00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Volume | Ativo | download | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MCH6606-TL-E | - | | 9032 | 0,00000000 | Onsemi | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MCH6606 | - | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | FQI4N20 | - | | 4903 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | QFET ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | I2pak (to-262) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.29.0095 | 950 | N-canal | 200 v | 3.6a (TC) | 10V | 1.4OHM @ 1.8a, 10V | 5V A 250µA | 6,5 nc @ 10 V | ± 30V | 220 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 45W (TC) | |||||||||||||
| NVMFS020N10MCL | - | | 8561 | 0,00000000 | Onsemi | Automotivo, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Ativo | - | - | NVMFS020 | - | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||
 | FQB19N20CTM | 1.5300 | | 7254 | 0,00000000 | Onsemi | QFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | FQB19N20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D²PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 v | 19a (TC) | 10V | 170mohm @ 9.5a, 10V | 4V A 250µA | 53 nc @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 25 V | - | 3.13W (TA), 139W (TC) | ||||||||||||
| PH3530DL115 | 0,4600 | | 24 | 0,00000000 | NXP USA Inc. | * | Volume | Ativo | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||
 | FDC602P_F095 | - | | 4064 | 0,00000000 | Onsemi | PowerTrench® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | FDC602 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SuperSot ™ -6 | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P. | 20 v | 5.5a (ta) | 2.5V, 4.5V | 35mohm @ 5.5a, 4.5V | 1,5V a 250µA | 20 NC a 4,5 V | ± 12V | 1456 pf @ 10 V | - | 1.6W (TA) | |||||||||||||
| IPP80N08S207AKSA1 | 2.3890 | | 8676 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tubo | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | IPP80N08 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA220-3-1 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 75 v | 80a (TC) | 10V | 7.4mohm @ 80a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 4700 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | ||||||||||||
 | R6010ANX | 2.3862 | | 7247 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Volume | Não é para desenhos para Novos | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote completo parágrafo 220-3 | R6010 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220FM | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 v | 10a (ta) | 10V | - | - | ± 30V | - | 50W (TC) | ||||||||||||||
 | STL3NM60N | 2.4000 | | 9 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ II | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | STL3NM60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Powerflat ™ (3.3x3.3) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-13351-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 v | 650mA (ta), 2.2a (tc) | 10V | 1.8OHM @ 1A, 10V | 4V A 250µA | 9,5 nc @ 10 V | ± 25V | 188 pf @ 50 V | - | 2W (TA), 22W (TC) | |||||||||||
| ART1K6PHZ | - | | 3926 | 0,00000000 | Ampleon USA Inc. | Arte | Bandeja | Ativo | 177 v | Montagem na Superfície | OMP-1230-4G-1 | ART1K6 | 1MHz ~ 450MHz | LDMOS | OMP-1230-4G-1 | download | ROHS3 Compatível | 3 (168 Horas) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | Fonte Dupla E Comum | 960na | 50 MA | 1600W | 27.4dB | - | 55 v | |||||||||||||||
 | SQJ850EP-T1_GE3 | 1.7900 | | 5 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | PowerPak® SO-8 | SQJ850 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PowerPak® SO-8 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 v | 24a (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 10.3a, 10V | 2,5V a 250µA | 30 NC a 10 V | ± 20V | 1225 pf @ 30 V | - | 45W (TC) | |||||||||||||
 | BSP88L6327 | - | | 3665 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Sipmos® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-SOT223-4-21 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 240 v | 350mA (TA) | 2.8V, 10V | 6ohm a 350mA, 10V | 1.4V a 108µA | 6,8 nc @ 10 V | ± 20V | 95 pf @ 25 V | - | 1.8W (TA) | |||||||||||||
 | Buk9540-100A, 127 | - | | 6316 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 v | 39a (TC) | 4.5V, 10V | 39mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1MA | 48 nc @ 5 V | ± 15V | 3072 pf @ 25 V | - | 158W (TC) |
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