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Fets, MOSFETS (55612)
| Imageem | Número do Produto | Preço (USD) | Quantidade | Ecad | Quantidade Dispon Svel | Peso (kg) | Mfr | Série | Pacote | Status do produto | Temperatura operacional | Tipo de Montagem | Pacote / Caso | Número do Produto Base | Tecnologia | Poder - Máx | Pacote de Dispositivo de Fornecedor | Ficha de Dadas | Status do rohs | Nível de sensibilidade à Umidade (msl) | Status de alcance | Nomes de Ulros | ECCN | Htsus | PACOTE PADROO | Configuraça | TIPO DE FET | Escorra para um tensão de origem (VDSS) | Corrente - DRENO CONTÍNO (ID) A 25 ° C | Tensão de conduça (max rds on, min rds on) | Rds em (max) @ id, vgs | VGS (th) (max) @ id | Carga Do Portão (QG) (Max) @ VGS | VGs (Máximoo) | CapacitânCia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Recurso FET | DISPAÇÃO DE ENERGIA (MAX) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TSM4N90CI C0G | - |  | 6687 | 0,00000000 | Taiwan Semiconductor Corporation | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | Pacote Completo Parágrafo 220-3, Guia Isolada | TSM4N90 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | ITO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | N-canal | 900 v | 4a (TC) | 10V | 4ohm @ 2a, 10V | 4V A 250µA | 25 nc @ 10 V | ± 30V | 955 pf @ 25 V | - | 38.7W (TC) | ||||
 | IPI80N04S4-03 | 1.0700 | | 350 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Coolmos ™ | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-262-3 Leitos Longos, i²pak, TO-262AA | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PG-PARA262-3-1 | download | Ear99 | 8542.39.0001 | 350 | N-canal | 40 v | 80a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 80a, 10V | 4V @ 53µA | 66 nc @ 10 V | ± 20V | 5260 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||
 | BUK954R2-55B, 127 | - | | 9867 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Trenchmos ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 55 v | 75a (TC) | 4.5V, 10V | 3.7mohm @ 25a, 10V | 2V @ 1MA | 95 NC @ 5 V | ± 15V | 10220 pf @ 25 V | - | 300W (TC) | |||||
 | VEC2415-TL-E | - | | 1713 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-SMD, Chumbo Plano | VEC2415 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 1w | SOT-28FL/VEC8 | - | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 60V | 3a | 80mohm @ 1.5a, 10V | 2.6V @ 1Ma | 10NC @ 10V | 505pf @ 20V | Portão de Nível Lógico | |||||||
 | SIHP22N60S-E3 | - | | 1043 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | Através do buraco | To-220-3 | SIHP22 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-220AB | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | SIHP22N60SE3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 22a (TC) | 190mohm @ 11a, 10V | 4V A 250µA | 110 nc @ 10 V | 2810 pf @ 25 V | - | ||||||||
 | IRFAF50 | 7.0500 | | 644 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | TO-204AA, TO-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-204AA (TO-3) | download | Rohs Não Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | N-canal | 900 v | 6.2a (TC) | 10V | 1.85OHM @ 6.2a, 10V | 4V A 250µA | 180 nc @ 10 V | ± 20V | 2700 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||||
 | STY139N65M5 | 35.9200 | | 3878 | 0,00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH ™ V. | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | STY139 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Max247 ™ | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 497-13043-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 v | 130a (TC) | 10V | 17mohm @ 65a, 10V | 5V A 250µA | 363 nc @ 10 V | ± 25V | 15600 pf @ 100 V | - | 625W (TC) | |||
 | IRFS7730-7PPBF | - | | 9846 | 0,00000000 | Retificador Internacional | HEXFET® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-canal | 75 v | 240a (TC) | 2mohm @ 100a, 10V | 3.7V @ 250µA | 428 nc @ 10 V | ± 20V | 13970 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | IXFA20N50P3 | 3.4707 | | 7997 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™, Polar3 ™ | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | IXFA20 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AA (IXFA) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 v | 20a (TC) | 10V | 300mohm @ 10a, 10V | 5V A 1,5mA | 36 nc @ 10 V | ± 30V | 1800 pf @ 25 V | - | 380W (TC) | ||||
 | SI3948DV | - | | 3735 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | SI3948 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 700mW (TA) | SuperSot ™ -6 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 canal n (Duplo) | 30V | 2.5a (ta) | 145mohm @ 2a, 4.5V | 3V A 250µA | 3.2NC @ 5V | 220pf @ 15V | Portão de Nível Lógico | ||||||
| IXFD26N50Q-72 | - | | 8396 | 0,00000000 | Ixys | HiperFet ™ | Volume | Obsoleto | - | - | Morrer | IXFD26N50Q | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Morrer | - | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 500 v | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||
 | AUIRFN8405TR | 1.4978 | | 3725 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | HEXFET® | Tape & Reel (TR) | Não é para desenhos para Novos | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | AUIRFN8405 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | PQFN (5x6) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 40 v | 95a (TC) | 10V | 2mohm @ 50a, 10V | 3.9V @ 100µA | 117 nc @ 10 V | ± 20V | 5142 pf @ 25 V | - | 3.3W (TA), 136W (TC) | ||||
 | FDD7030BL | 0,4400 | | 80 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | PowerTrench® | Volume | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252, (D-PAK) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 v | 14a (ta), 56a (tc) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 14a, 10v | 3V A 250µA | 20 NC @ 5 V | ± 20V | 1425 pf @ 15 V | - | 2.8W (TA), 60W (TC) | |||||||
 | SQD40P10-40L_GE3 | 2.7600 | | 2748 | 0,00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | SQD40 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252AA | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.000 | Canal P. | 100 v | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 8.2a, 10V | 2,5V a 250µA | 144 NC @ 10 V | ± 20V | 5540 pf @ 15 V | - | 136W (TC) | |||||
 | Si2312a | 0,4600 | | 2 | 0,00000000 | Umw | Umw | Tape & Reel (TR) | Ativo | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | SOT-23 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 v | 5a (ta) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5V | 850mv @ 250µA | 14 NC a 4,5 V | ± 8V | - | 750mW (TA) | |||||||
 | AON7452 | - | | 6053 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | SDMOS ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powervdfn | AON745 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 8-DFN-EP (3x3) | download | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 2.5a (ta), 5.5a (tc) | 7V, 10V | 310mohm @ 2.5a, 10V | 4.7V @ 250µA | 4 nc @ 10 V | ± 25V | 185 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 17W (TC) | |||||
 | TK31Z60X, S1F | 12.4300 | | 11 | 0,00000000 | Semicondutor e Armazenento de Toshiba | - | Tubo | Ativo | 150 ° C. | Através do buraco | To-247-4 | TK31Z60 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247-4L (t) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 v | 30.8a (TA) | 10V | 88mohm @ 9.4a, 10V | 3,5V a 1,5mA | 65 nc @ 10 V | ± 30V | 3000 pf @ 300 V | - | 230W (TC) | |||||
 | Bss84aks, 115 | 0,4500 | | 72 | 0,00000000 | Nexperia EUA Inc. | Automotivo, AEC-Q101, Trenchmos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | BSS84 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 445mw | 6-TSSOP | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Duplo) | 50V | 160mA | 7.5Ohm @ 100Ma, 10V | 2.1V @ 250µA | 0,35NC @ 5V | 36pf @ 25V | Portão de Nível Lógico | ||||||
| BSC110N15NS5ATMA1 | 3.4500 | | 7904 | 0,00000000 | Tecnologias Infineon | Optimos ™ | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | BSC110 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | Pg-tdson-8-7 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 150 v | 76a (TC) | 8V, 10V | 11mohm @ 38a, 10V | 4.6V @ 91µA | 35 nc @ 10 V | ± 20V | 2770 pf @ 75 V | - | 125W (TC) | ||||
 | IXTP2R4N120P | 6.7000 | | 30 | 0,00000000 | Ixys | Polar | Tubo | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-220-3 | Ixtp2 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-220-3 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 1200 v | 2.4a (TC) | 10V | 7.5Ohm @ 500Ma, 10V | 4.5V a 250µA | 37 nc @ 10 V | ± 20V | 1207 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | AOB288L | 1.0621 | | 2460 | 0,00000000 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | AOB288 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263 (D2PAK) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 80 v | 10.5a (ta), 46a (tc) | 6V, 10V | 8.9mohm @ 20a, 10V | 3,4V a 250µA | 38 nc @ 10 V | ± 20V | 1871 pf @ 40 V | - | 2.1W (TA), 93,5W (TC) | ||||
| Ixta62n25t | - | | 5809 | 0,00000000 | Ixys | Trincheira | Tubo | Descontinuado no sic | - | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | Ixta62 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-263AA | - | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 v | 62a (TC) | - | - | - | - | ||||||||
 | RFD20N03SM9AR4770 | 0,8500 | | 1 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | * | Volume | Ativo | RFD20 | - | - | Não Aplicável | 1 (ilimito) | Fornecedor indefinido | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | - | ||||||||||||||||||
| E3M0160120K | 56.6892 | | 2385 | 0,00000000 | Wolfspeed, Inc. | - | Tubo | Ativo | 175 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-4 | Sic (transistor de junção de carboneto de Silício) | To-247-4L | - | 1697-E3M0160120K | 450 | - | 1200 v | - | - | - | - | - | 115W | ||||||||||||
| HUFA76633S3S | - | | 6617 | 0,00000000 | Semicondutor Fairchild | Ultrafet ™ | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-263-3, D²PAK (2 leads + guia), to-263ab | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | D2PAK (TO-263) | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.29.0095 | 383 | N-canal | 100 v | 39a (TC) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 39a, 10V | 3V A 250µA | 67 nc @ 10 V | ± 16V | 1820 pf @ 25 V | - | 145W (TC) | |||||||
 | R6047KNZ4C13 | 14.2000 | | 11 | 0,00000000 | Rohm Semiconducor | - | Tubo | Ativo | 150 ° C (TJ) | Através do buraco | To-247-3 | R6047 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | To-247 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | 846-R6047KNZ4C13 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 v | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 25.8a, 10V | 5V @ 1MA | 100 nc @ 10 V | ± 20V | 4300 pf @ 25 V | - | 481W (TC) | |||
 | MCH3421-TL-E | 0,1800 | | 225 | 0,00000000 | Onsemi | - | Volume | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 3-SMD, FiOS Planos | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 3-mcph | download | ROHS3 Compatível | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 v | 800mA (TA) | 890MOHM @ 400MA, 10V | - | 4,8 nc @ 10 V | 165 pf @ 20 V | - | 900MW (TA) | |||||||||
 | MCAC38N10Y-TP | 0,8700 | | 1 | 0,00000000 | Micro Commercial Co. | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-PowerTdfn | MCAC38N10Y | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | DFN5060 | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-canal | 100 v | 38a | 4.5V, 10V | 17.5mohm @ 20a, 10V | 2,5V a 250µA | 16 nc @ 10 V | ± 20V | 1051 pf @ 50 V | - | 59W (TJ) | ||||
 | DI015N25D1 | 1.3889 | | 9488 | 0,00000000 | Diotec Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | TO-252-3, DPAK (2 leads + guia), SC-63 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | TO-252-3, DPAK | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | 2796-Di015N25D1tr | 8541.21.0000 | 2.500 | N-canal | 250 v | 15a (TC) | 10V | 255mohm @ 15a, 10V | 4.5V a 250µA | 8,9 nc @ 10 V | ± 20V | 475 pf @ 125 V | - | 140W (TC) | ||||||
 | NTMFS020N06CT1G | 1.5600 | | 5557 | 0,00000000 | Onsemi | - | Tape & Reel (TR) | Ativo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montagem na Superfície | 8-powertdfn, 5 leads | NTMFS020 | MOSFET (ÓXIDO DE METAL) | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | download | ROHS3 Compatível | 1 (ilimito) | Alcançar Não Afetado | Ear99 | 8541.29.0095 | 1.500 | N-canal | 60 v | 9A (TA), 28A (TC) | 10V | 19.6mohm @ 4a, 10v | 4V @ 20µA | 5,8 nc @ 10 V | ± 20V | 355 pf @ 30 V | - | 3.4W (TA), 31W (TC) |
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